Вышедшие номера
Экспериментальное исследование величины встроенного поля в межзеренных каналах тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr,Ti)O3
Делимова Л.А.1, Юферев В.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ladel@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Измеренная в тонкопленочных M/Pb(Zr,Ti)O3(PZT)/M-конденсаторах зависимость фотоэдс от остаточной поляризации хорошо согласуется с развитой нами моделью межзеренного фотовольтаического эффекта для пленок со столбчатой структурой зерен PZT и гетерофазными межзеренными границами. В этом случае фотоэдс задается деполяризующим полем, которое генерируется нескомпенсированным поляризационным зарядом на границах PZT-зерен. Показано, что величину и направление встроенного поля в межзеренном канале таких PZT-пленок можно определить с помощью измерений фотоэдс при нулевой поляризации с чувствительностью порядка милливольт. Работа поддержана грантом РФФИ N 10-02-00562а, программой Президиума РАН N 22 "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов", программой ОФН.
  1. A.L. Kholkin, V.K. Yarmarkin, B.M. Goltsman, J.L. Baptista. Integrated Ferroelectrics 35, 261 (2001)
  2. M. Qin, K. Yao, Y.C. Liang. J. Appl. Phys. 105, 061 624 (2009)
  3. G. Gerlach, G. Suchaneck, R. Kohler, T. Sandner. Ferroelectrics 230, 109 (1999)
  4. M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Takayama, A. Tomozawa. Jpn J. Appl. Phys. 37, 5154 (1998)
  5. V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov, J. Graul. J. Phys.: Cond. Matter 13, 8755 (2001)
  6. J.F. Scott, K. Watanabe, A.J. Hartmann, R.N. Lamb. Ferroelectrics 225, 83 (1999)
  7. S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutani, T. Nishida, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 5364 (1999)
  8. В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2011)
  9. K. Ogata, K. Suenaga, K. Horikoshi, K. Yoshizumi, H. Kato, M. Mori. Ferroelectrics 225, 163 (1999)
  10. K. Lee, J.-M. Ku, C.-R. Cho, Y.K. Lee, S. Shin, Y. Park. J. Semicond. Technol. Sci. 2, 205 (2002)
  11. G.-S. Park, I.-S. Chung. Jpn. J. Appl. Phys. 41, Pt I, 1519 (2002)
  12. L.F. Fu, S.J. Welz, N.D. Browning, M. Kurasawa, P.C. McIntyre. Appl. Phys. Lett. 87, 262 904 (2005)
  13. H. Fujisawa, M. Shimizu, T. Horiuchi, T. Shiosaki, K. Matsushige. Appl. Phys. Lett. 71, 416 (1997)
  14. L.A. Delimova, V.S. Yuferev, A.V. Ankudinov, E.V. Gushcnina, I.V. Grekhov. MRS Proc. 1292 mrsf10-1291-k03-31 (2011); doi: 10.1551/opl.2011.367 http://journals.cambridge.org/abstract\_S1946427411003678
  15. L.A. Delimova, V.S. Yuferev, I.V. Grekhov. IEEE Trans. on UFFC 58, 2252 (2011)
  16. L.A. Delimova, V.S. Yuferev. J. Appl. Phys. 108, 084 110 (2010)
  17. L.A. Delimova, I.V. Grekhov, D.V. Mashovets, I.E. Titkov, V.P. Afanasiev, P.V. Afanasiev, G.P. Kramar, A.A. Petrov. Ferroelectrics 348, 25 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.