Применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в термообработанных монокристаллах кремния
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.
Рассмотрено применение диффузионной модели образования ростовых микродефектов для описания дефектообразования в монокристаллах кремния, прошедших термическую обработку. Показано, что предложенная кинетическая модель дефектообразования дает возможность рассмотреть образование и развитие дефектной структуры во время роста кристалла и его термических обработок с единых позиций. Математический аппарат диффузионной модели может быть положен в основу программного комплекса для анализа и расчета образования ростовых и постростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния. Показано, что диффузионная модель образования ростовых и постростовых микродефектов позволяет определить необходимые условия роста кристалла и режимы его обработок для получения точно определенной дефектной структуры.
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. I.E. In: New research on semiconductors / Ed. T.B. Elliot. Nova Science Publ. Inc. N.Y. (2006). P. 31
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Open Cond. Matter Phys. J. 4, 8 (2011)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 49, 450 (2007)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1925 (2010)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1751 (2010)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. J. Cryst. Growth 346, 45 (2012)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin, N.Ph. Ustimenko. J. Crystallization Proc. Technol. 1, 13 (2011)
- Z. Wang, R.A. Brown. J. Cryst. Growth 231, 442 (2001)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 53, 114 (2011)
- J. Vanhellemont, C. Claeus. J. Appl. Phys. 62, 3960 (1987)
- J. Vanhellemont. Appl. Phys. Lett. 68, 3413 (1996)
- V.V. Voronkov, R. Falster. J. Appl. Phys. 91, 5802 (2002)
- С.В. Булярский, В.В. Светухин, О.В. Приходько. ФТП 33, 1281 (1999)
- В.В. Слезов, С.А. Кукушкин. ФТТ 29, 1812 (1987)
- А.Л. Колесникова, А.Е. Романов, В.В. Чалдышев. ФТТ 49, 633 (2007)
- B. Burton, M.V. Speight. Phil. Mag. A 53, 385 (1985)
- M. Itsumi. J. Cryst. Growth 237--239, 1773 (2002)
- Y. Yanase, H. Nishihata, T. Ochiai, H. Tsuya. Jpn. J. Appl. Phys. 37, 1 (1998)
- T. Ueki, M. Itsumi, T. Takeda, K. Yoshida, A. Takaoka, S. Nakajima. Jpn. J. Appl. Phys. 37, L771 (1998)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. I.E. In: Advances in Crystallization Processes / Ed. Y. Mastai. InTech, Rijeka (2012) P. 611
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук