Издателям
Вышедшие номера
Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами C+, B+ и совместно C+ и B+
Jadan М.1, Челядинский А.Р.2, Оджаев В.Б.2
1Tafila Technical University, Tafila, Jordan
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: muhanad_jadan@yahoo.com
Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Показана возможность управления локализацией внедряемого углерода по узлам и междоузлиям в кремнии непосредственно во время имплантации. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+, B+ и совместно ионами С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах C (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1.0 muA·cm-2.
  • R. Liefting. IEEE Trans. Electron Dev. ED-41, 50 (1994)
  • R. Jones, T.A.G. Eberliein, N. Pinho, B.J. Coomer, J.P. Goss., P.R. Briddon, S. Oberg. Nucl. Instr. Meth. B 186, 10 (2002)
  • К.В. Феклистов. Л.И. Федина, А.Г. Черков. ФТП. 44, 302 (2010)
  • H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu, J. Liu, J.W. Appl. Phys. Lett. 52, 1023 (1988)
  • J.R. Liefting, J.S. Custer, F.W. Saris. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235, 179 (1992)
  • T.W. Simpson, R.D. Goldberg, I.V. Mitchell. Appl. Phys. Lett. 67, 2857 (1995)
  • J.C. North, W.M. Gibson. Appl. Phys. Lett. 16, 126 (1970)
  • L.E. Eriksson, J.A. Davis, J.E. Denhartog. Can. Nucl. Tech. 5, 40 (1966)
  • F. Cristiano, C. Bonafos, A. Nejim, S. Lombardo, D. Omrim Alquier, A. Martinez, S.U. Campisano, P.L.F. Hemment, A. Claverie. Nucl. Instr. Meth. B. 127--128, 22 (1997)
  • N.E.B. Cowern, W. Vandervorst. Appl. Phys. Lett. 68, 1150 (1996)
  • G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett. 36, 1329 (1976)
  • G.D. Watkins. In: Radiation damage and defects in semiconductors: Proc. of Intern. Conf. Reading. England. 1972. Conf. Ser. Inst. of Phys. N 16. Institute of Physics. London (1973). P. 228
  • G.D. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Letts. 44, 593 (1980)
  • В.И. Плебанович, А.И. Белоус, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. ФТТ. 50, 1378 (2008)
  • J.K. Hirvonen, F.H. Eisen. Appl. Phys. Lett. 19, 14 (1971)
  • M. Jadan, N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii. Phys. Status Solidi. B 189, 1 (1995 K1)
  • В.Ф. Стельмах, В.Д. Ткачев, А.Р. Челядинский. ФТТ. 20, 2196 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.