Вышедшие номера
Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами C+, B+ и совместно C+ и B+
Jadan М.1, Челядинский А.Р.2, Оджаев В.Б.2
1Tafila Technical University, Tafila, Jordan
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: muhanad_jadan@yahoo.com
Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Показана возможность управления локализацией внедряемого углерода по узлам и междоузлиям в кремнии непосредственно во время имплантации. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+, B+ и совместно ионами С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах C (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1.0 muA·cm-2.
  1. R. Liefting. IEEE Trans. Electron Dev. ED-41, 50 (1994)
  2. R. Jones, T.A.G. Eberliein, N. Pinho, B.J. Coomer, J.P. Goss., P.R. Briddon, S. Oberg. Nucl. Instr. Meth. B 186, 10 (2002)
  3. К.В. Феклистов. Л.И. Федина, А.Г. Черков. ФТП. 44, 302 (2010)
  4. H. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu, J. Liu, J.W. Appl. Phys. Lett. 52, 1023 (1988)
  5. J.R. Liefting, J.S. Custer, F.W. Saris. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 235, 179 (1992)
  6. T.W. Simpson, R.D. Goldberg, I.V. Mitchell. Appl. Phys. Lett. 67, 2857 (1995)
  7. J.C. North, W.M. Gibson. Appl. Phys. Lett. 16, 126 (1970)
  8. L.E. Eriksson, J.A. Davis, J.E. Denhartog. Can. Nucl. Tech. 5, 40 (1966)
  9. F. Cristiano, C. Bonafos, A. Nejim, S. Lombardo, D. Omrim Alquier, A. Martinez, S.U. Campisano, P.L.F. Hemment, A. Claverie. Nucl. Instr. Meth. B. 127--128, 22 (1997)
  10. N.E.B. Cowern, W. Vandervorst. Appl. Phys. Lett. 68, 1150 (1996)
  11. G.D. Watkins, K.L. Brower. Phys. Rev. Lett. 36, 1329 (1976)
  12. G.D. Watkins. In: Radiation damage and defects in semiconductors: Proc. of Intern. Conf. Reading. England. 1972. Conf. Ser. Inst. of Phys. N 16. Institute of Physics. London (1973). P. 228
  13. G.D. Watkins, J.R. Troxell. Phys. Rev. Letts. 44, 593 (1980)
  14. В.И. Плебанович, А.И. Белоус, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев. ФТТ. 50, 1378 (2008)
  15. J.K. Hirvonen, F.H. Eisen. Appl. Phys. Lett. 19, 14 (1971)
  16. M. Jadan, N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii. Phys. Status Solidi. B 189, 1 (1995 K1)
  17. В.Ф. Стельмах, В.Д. Ткачев, А.Р. Челядинский. ФТТ. 20, 2196 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.