Вышедшие номера
Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами C+, B+ и совместно C+ и B+
Jadan М.1, Челядинский А.Р.2, Оджаев В.Б.2
1Tafila Technical University, Tafila, Jordan
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: muhanad_jadan@yahoo.com
Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 января 2013 г.

Показана возможность управления локализацией внедряемого углерода по узлам и междоузлиям в кремнии непосредственно во время имплантации. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С+, B+ и совместно ионами С+ и В+. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах C (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1.0 muA·cm-2.