Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сегнетоэлектрические запоминающие устройства

Воротилов К.А.¹, Сигов А.С.¹

¹Московский государственный технический университет радиотехники электроники и автоматики, Москва, Россия

Email: vorotilov@mirea.ru

Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассматривается современное состояние разработок в области сегнетоэлектрических запоминающих устройств. Проведен анализ стремительно растущего рынка энергонезависимой памяти, рассмотрено состояние и перспективы скейлинга параметров различных типов энергонезависимых запоминающих устройств. Обсуждаются основные конструктивные и технологические решения в области создания сегнетоэлектрических запоминающих устройств, а также "дорожные карты" развития данной технологии.

М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Пер. с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. Мир, М. (1981). 736 c
Nobelprize.org. 7.212 http://nobelprize.org/nobel\_prizes/physics/laureates/1956/
J.S. Kilby. IEEE Trans. Electron Devices ED-23, 648 (1976); R.N. Noyce. Semiconductor device-and-lead structure. U.S. Patent 2,981,877 (1961)
F.M. Wanlass, C.T. Sah. Tech. Digest IEEE Int. Solid-State Circuit Conf. 6, 32 (1963)
R.M. Dennard. Field effect transistor memory, U.S. Patent 3,387,286 (1968)
G.S. May, C. J. Spanos. Fundamentals of semiconductor manufacturing and process control. John Wiley \& Sons, Inc., N. Y. (2006). 463 p
The international technology roadmap for semiconductors. SEMATECH (2009); http://www.itrs.net
Дж. Барфут, Дж. Тейлор. Полярные диэлектрики и их применения / Пер. с англ. под ред. Л.А. Шувалова. Мир, М. (1970). 526 c
S.Y. Wu. IEEE Trans. Electron Devices ED-21, 499 (1974)
G.W. Taylor. Integr. Ferroelectrics 1, iii (1992)
К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрики. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
A. Fazio. MRS Bull. 11, 814 (2004)
R. Bez, A. Pirovano. Mater. Sci. in Semicond. Proc. 7, 394 (2004)
G. Grynkewich, J. Angstremkerman, P. Brown, B. Butcher, R.W. Dave, M. De Herrera, M. Durlam, B.N. Engel, J. Janesky, S. Pietambaram, N.D. Rizzo, J.M. Slaughter, K. Smith, J.J. Sun, S. Tehrani. MRS Bull. 11, 818 (2004)
H. Jeong, K. Kim. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 830, D7.6.1 (2005)
В.М. Фридкин. УФН 176, 203 (2006)
C.H. Ahn, K.M. Rabe, J.-M. Triscone. Science 303, 488 (2004)
V.I. Petrovsky, A.S. Sigov, K.A. Vorotilov. Integr. Ferroelectrics 3, 59 (1993)
F.J. Walker, R.A. Mc Kee. In: High dielectric constant materials VLSI MOSFET applications / Eds H.R. Huff, D.C. Gilmer. Springer-Verlag, Heidelberg --- Berlin (2006). 607 p
B.-E. Park, H. Ishiwara. Ferroelectrics 293, 145 (2003)
S.-M. Yoon, I.-K. You, N.-Y. Lee, K.-D. Kim, S.-M. Cho, S.-O. Ryu, W.-C. Shin, K.-J. Choi, B.-G. Yu. Ferroelectrics 293, 195 (2003)
S. Kawashima, J.S. Cross. In: Embedded memories for nano-scale VLSIs / Ed. K. Zhang, Springer Science \& Business Media Inc., N. Y. (2009). 279 p
К.А. Воротилов, А.С. Сигов. Нано- и микросистемная техника 10, 30 (2008)
J. Niinisto, K. Kukli, M. Heikkila, M. Ritala, M. Leskela. Adv. Eng. Mater. 11, 223 (2009)
F.G. Celii, M. Thakre, M.K. Gay, S.R. Summerfelt, S. Aggarwal, J.S. Martin, L. Hall, K.R. Udayakumara, T.S. Moise. Integr. Ferroelectrics 53, 269 (2003)
D.J. Wouters, D. Maes, L. Goux, J.G. Lisoni, V. Paraschiv, J.A. Johnson, M. Schwitters, J.-L. Everaert, W. Boullart, M. Schaekers, M. Willegems, H. Vander Meeren, L. Haspeslagh, C. Artoni, C. Caputa, P. Casella, G. Corallo, G. Russo, R. Zambrano, H. Monchoix, G. Vecchio, L. Van Autryve. J. Appl. Phys. 100, 051 603 (2006)
J. Baliga. Semicond. Int. 11, 1 (2000)
E. Fujii; K. Uchiyama. Integr. Ferroelectrics 53, 317 (2003)
D. Takashima. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1250, G11-01 (2010)
А.С. Валеев, В.Н. Дягилев, А.А. Львович, В.И. Сладков, Т.П. Трайнис, К.А. Воротилов, Е.Ф. Певцов, В.И. Петровский, А.С. Сигов, М.И. Яновская, И.Е. Обвинцева, Е.П. Ковсман, Л.И. Соловьева. Электрон. пром-сть 6, 75 (1994)
А. Валеев, К. Воротилов. Электроника: наука, технология, бизнес 3-4, 75 (1998)
К.А. Воротилов, А.С. Сигов, А.А. Романов, П.Р. Машевич. Наноматериалы и наноструктуры 1, 45 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель