Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках
Ивукин И.Н.1,2, Артемьев Д.М.1,2, Бугров В.Е.1,2, Одноблюдов М.А.1, Романов А.Е.1,2,3
1Группа компаний "Оптоган", Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ivan.ivukin@optogan.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Представлены результаты моделирования напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках, содержащих открытые поры. Результаты получены методом конечных элементов в коммерческом программном комплексе. Вычислен коэффициент интенсивности напряжений KI для модели, рассматривающей трещину на границе GaN/сапфир вблизи открытой поры. На основании расчетов упругих полей получена оценка перераспределения напряжений структурой с упорядоченным массивом открытых пор в пленках нитрида галлия. Работа выполнена при поддержке гранта N РФФИ 12-08-00397-а и проекта Мари Кюри PIIF2-GA-2008-908419.
- J.-M. Bethoux, P. Vennegues, F. Natali, E. Feltin, O. Tottereau, G. Nataf, P. De Mierry, F. Semond. J. Appl. Phys. 94, 6499 (2003)
- Y.-S. Chen, W.-Y. Shiao, T.-Y. Tang, W.-M. Chang, C.-H. Liao, C.-H. Lin, K.-C. Shen, C.C. Yang, M.-C. Hsu, J.-H. Yeh, T.-C. Hsu. J. Appl. Phys. 106, 023 521 (2009)
- T. Gehrke. J. Nanophotonics 2, 021 990 (2008)
- D.-S. Wuu, H.-W. Wu, S.-T. Chen, T.-Y. Tsai, X. Zheng, R.-H. Horng. J. Cryst. Growth 311, 3063 (2009)
- M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. J. Cryst. Growth 315, 188 (2010)
- Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, И.К. Королев, А.Е. Романов, А.Б. Фрейдин, В.В. Чалдышев, E.C. Aifantis. ФТТ 53, 1986 (2011)
- F. Wright. J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997)
- A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 100, 023 522 (2006)
- W. Qian, M. Skowronski, G.R. Rohrer. In: III-nitride, SiC, and diamond materials for electronic devices. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. / Eds D.K. Gaskill, C.D. Brandt, R.J. Nemanich. Pittsburgh, PA (1996). V. 423. P. 475
- A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)
- Г.П. Черепанов. Механика разрушения композитных материалов. Наука, М. (1983). 296 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.