Вышедшие номера
Моделирование напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках
Ивукин И.Н.1,2, Артемьев Д.М.1,2, Бугров В.Е.1,2, Одноблюдов М.А.1, Романов А.Е.1,2,3
1Группа компаний "Оптоган", Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ivan.ivukin@optogan.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

Представлены результаты моделирования напряженно-деформированного состояния в тонких структурированных пленках нитрида галлия на сапфировых подложках, содержащих открытые поры. Результаты получены методом конечных элементов в коммерческом программном комплексе. Вычислен коэффициент интенсивности напряжений KI для модели, рассматривающей трещину на границе GaN/сапфир вблизи открытой поры. На основании расчетов упругих полей получена оценка перераспределения напряжений структурой с упорядоченным массивом открытых пор в пленках нитрида галлия. Работа выполнена при поддержке гранта N РФФИ 12-08-00397-а и проекта Мари Кюри PIIF2-GA-2008-908419.
  1. J.-M. Bethoux, P. Vennegues, F. Natali, E. Feltin, O. Tottereau, G. Nataf, P. De Mierry, F. Semond. J. Appl. Phys. 94, 6499 (2003)
  2. Y.-S. Chen, W.-Y. Shiao, T.-Y. Tang, W.-M. Chang, C.-H. Liao, C.-H. Lin, K.-C. Shen, C.C. Yang, M.-C. Hsu, J.-H. Yeh, T.-C. Hsu. J. Appl. Phys. 106, 023 521 (2009)
  3. T. Gehrke. J. Nanophotonics 2, 021 990 (2008)
  4. D.-S. Wuu, H.-W. Wu, S.-T. Chen, T.-Y. Tsai, X. Zheng, R.-H. Horng. J. Cryst. Growth 311, 3063 (2009)
  5. M. Ali, A.E. Romanov, S. Suihkonen, O. Svensk, P.T. Torma, M. Sopanen, H. Lipsanen, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov. J. Cryst. Growth 315, 188 (2010)
  6. Н.А. Берт, А.Л. Колесникова, И.К. Королев, А.Е. Романов, А.Б. Фрейдин, В.В. Чалдышев, E.C. Aifantis. ФТТ 53, 1986 (2011)
  7. F. Wright. J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997)
  8. A.E. Romanov, T.J. Baker, S. Nakamura, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 100, 023 522 (2006)
  9. W. Qian, M. Skowronski, G.R. Rohrer. In: III-nitride, SiC, and diamond materials for electronic devices. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. / Eds D.K. Gaskill, C.D. Brandt, R.J. Nemanich. Pittsburgh, PA (1996). V. 423. P. 475
  10. A. Polian, M. Grimsditch, I. Grzegory. J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996)
  11. Г.П. Черепанов. Механика разрушения композитных материалов. Наука, М. (1983). 296 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.