Анизотропия магнетосопротивления пленок рутената стронция, когерентно выращенных на TiO2-терминированной подложке (001)SrTiO3
Бойков Ю.А.1, Волков М.П.1,2, Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Международная лаборатория сильных магнитных полей и низких температур, Вроцлав, Польша
Email: yu.boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.
Пленки SrRuO3 толщиной 80 nm выращены когерентно на TiO2-терминированной подложке (001)SrTiO3. Двухосные механические напряжения индуцируют существенную разницу в параметрах элементарной ячейки слоя SrRuO3 в плоскости подложки (~3.904 Angstrem) и вдоль нормали к ее поверхности (~3.952 Angstrem). Электросопротивление пленки SrRuO3 практически линейно уменьшается с увеличением напряженности магнитного поля H, когда последнее параллельно направлению измерительного тока Ib и проекции оси легкого намагничивания в плоскости подложки. При T=4.2 K, mu0H=14 T и направлении магнитного поля вдоль оси трудного намагничивания отрицательное анизотропное магнетосопротивление сформированных слоев достигает шестнадцати процентов и оказывает существенное влияние на отклик электросопротивления пленки SrRuO3 на магнитное поле. Финансовая поддержка проведенных исследований была частично получена из проекта РФФИ 11-02-00609а и Госконтракта N 02.740.11.0544.
- P.A. Cox, R.G. Egdell, J.B. Goodenough, A. Hamnett, C.C. Naish. J. Phys. C 16, 6221 (1983)
- M. Shepard, G. Cao, S. Mc Call, F. Freibert, J.E. Crow. Appl. Phys. Lett. 79, 4821 (1996)
- L. Klein, J.S. Dodge, C.H. Ahn, J.W. Reiner, L. Mieville, T.H. Geballe, M.R. Beasley, A. Kapitulnik. J. Phys: Cond. Matter 8, 1011 (1996)
- G. Herranz, B. Martinez, J. Fontcuberta, F. Sanchez, C. Ferrater, M.V. Garcia-Cuenca, M. Varela. Phys. Rev. B 67, 174 423 (2003)
- J.C. Jiang, W. Tian, X. Pan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B 56, 152 (1998)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B 311, 250 (2002)
- L. Antognazza, K. Char, T.H. Geballe, L.L.H. King, A.W. Sleight. Appl. Phys. Lett. 63, 7, 1005 (1993)
- G. Koster, B.L. Kropman, G.J.H.M. Rijnders, D.H.A. Blank, H. Rogalla. Appl. Phys. Lett. 73, 2920 (1998)
- A. Kalabukhov, Yu.A. Boikov, I.T. Serenkov, V.I. Sakharov, J. Borjesson, N. Ljustina, E. Olsson, D. Winkler, T. Claeson. EPL 93, 37001, (2011)
- A. Kalabukhov, R. Gunnarsson, J. Borjesson, E. Olsson, T. Claeson, D. Winkler. Phys. Rev. B 75, 121 404(R) (2007)
- T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
- R.W.J. Wickoff. Crystal structure. 2^nd ed. Interscience Publ., N. Y. (1964). V. 2. P. 394
- J.M. Phillips. J. Appl. Phys. 79, 1829 (1996)
- J.-P. Maria, H.L. Mc Kinstry, S. Trolier-Mc Kinstry. Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000)
- R.A. Rao, Q. Gan, C.B. Eom. Appl. Phys. Lett. 71, 1172 (1997)
- N.D. Zakharov, K.M. Satyalakshmi, G. Koren, D. Hesse. J. Mater. Res. 14, 4385 (1999)
- Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
- E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heathly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
- G.J. Snyder, R. Hiskes, S. Di Carolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 14 434 (1996)
- I.A. Campbel, F. Fert. Ferromagnetic materials. Amsterdam (1982). V. 3. P. 747
- G. Herranz, F. Sanchez, B. Martinez, J. Fontcuberta, M.V. Garcia-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela. Mater. Sci. Eng. B 109, 221 (2004)
- E.D. Dahlberg, K. Riggs. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)
- L. Klein, A.F. Marshall, J.W. Reiner, C.H. Ahn, T.H. Geballe, M.R. Beasley, A. Kapitulnik. J. Magn. Magn. Mater. 188, 319 (1998)
- M. Feigenson, L. Klein, J.W. Reiner, M.R. Beasley. Phys. Rev. B 67, 134 436 (2003)
- G. Herranz, F. Sanchez, M.V. Garcia-Cuenca, C. Ferrater, M. Varela, B. Martinez, J. Fontcuberta. J. Magn. Magn. Mater. 272, 577 (2004)
- B. Raquet, M. Viret, E. Sondergard, O. Cespedes, R. Mamy. Phys. Rev. B 66, 024 433 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.