Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2026
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Получение, кристаллическая структура, наностроение и свойства тонких пленок 0.91NaNbO3-0.09SrZrO3, выращенных на подложке SrRuO3/MgO(001)
Павленко Д.С.1,2, Матяш Я.Ю.
1, Стрюков Д.В.
1, Крутиев С.В.
2, Павленко А.В.
1,2, Зинченко С.П.
1, Назаренко А.В.
1, Тер-Оганесян Н.В.
2
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону. Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону. Россия
Email: dapa@sfedu.ru, matyash.ya.yu@gmail.com, strdl@mail.ru, sergey-kryt@yandex.ru, tolik_260686@mail.ru, tres-3@mail.ru, avnazarenko1@gmail.com, teroganesyan@sfedu.ru
Поступила в редакцию: 26 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2026 г.
Принята к печати: 5 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 28 июля 2026 г.
Одностадийным методом на подложке SrRuO3/MgO(001) в атмосфере кислорода выращены наноразмерные пленки бессвинцового антисегнетоэлектрика 0.91NaNbO3-0.09SrZrO3. Проведены исследования их структуры, наностроения, химического состава и диэлектрических свойств. Показано, что полученные пленки беспримесные, однофазные, монокристаллические и вследствие деформации при росте в тетрагональном приближении имеют следующие параметры элементарной ячейки: c=0.3948(1) nm и a=0.393(1) nm, соответственно. Диэлектрические измерения свидетельствуют о том, что пленки 0.91NaNbO3-0.09SrZrO3 при комнатной температуре имеют высокие значения ε, находятся в антисегнетоэлектрическом состоянии и характеризуются высокой диэлектрической управляемостью. Обсуждаются возможные причины выявленных особенностей, механизм роста пленок, а также перспективы применения данных антисегнетоэлектрических пленок в СВЧ-устройствах. Ключевые слова: тонкие пленки, антисегнетоэлектрик, SRO, MgO, рентгеновская дифракция, диэлектрическая проницаемость.
- H. Guo, Y. Lin, X. Chen, D. Wang, C.W. Nan. J. Appl. Phys. 117, 21, 214103 (2015)
- N.V. Ter-Oganessian, V.P. Sakhnenko. J. Phys.: Condens. Matter 32, 27, 275401 (2020)
- G. Shirane, R. Newnham, R. Pepinsky. Phys. Rev. 96, 4, 581 (1954)
- B. Cai, Y. Lin, D. Wang, H. Guo, C.W. Nan. Phys. Rev. B 93, 22, 224107 (2016)
- H. Guo, H. Shimizu, Y. Mizuno, C.A. Randall. J. Appl. Phys. 118, 5, 054102 (2015)
- Л.А. Резниченко, Л.А. Шилкина, О.Н. Разумовская, В.Д. Комаров, Л.С. Иванова. Кристаллография 51, 1, 95 (2006)
- J. Sellmann, T. Castan, C.A. Randall, H. Guo, J.M. Gregg. Thin Solid Films 570, Part A, 107 (2014)
- N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 9, 1988 (1998)
- В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Изд-во ЮНЦ РАН, Ростов н/Д (2008). 224 с
- Я.Ю. Матяш, Д.В. Стрюков, А.В. Павленко, Н.В. Тер-Оганесян. ФТТ 65, 10, 1777 (2023)
- R.W. Vook. MRS Online Proceedings Library 103, 1, 3 (1987)
- A.V. Pavlenko, Ya.Yu. Matyash, D.V. Stryukov, I.P. Raevski, N.V. Ter-Oganessian. Ferroelectrics 590, 1, 227 (2022)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
