Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2026, выпуск 6 » Статья стр. 875
<<<>>>
Селективный рост колончатых микрокристаллов GaN методом HVPE на темплейтах SiOx/AlN(PA-MBE)/Si(111), полученных с использованием микросферной фотолитографии
Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 25-29-00761.
Корякин А.А. 1, Шарофидинов Ш.Ш. 2, Гридчин В.О. 3, Даутов А.М.3, Дворецкая Л.Н. 1, Нащекин А.В.2, Штром И.В. 1,3,4, Философов Н.Г. 3, Минив Д.В.1, Мухин И.С. 1, Цырлин Г.Э. 3,4
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: koryakinaa@spbau.ru
Поступила в редакцию: 15 июня 2026 г.
В окончательной редакции: 17 июня 2026 г.
Принята к печати: 18 июня 2026 г.
Выставление онлайн: 28 июля 2026 г.
PDF версия
Исследованы особенности селективного роста колончатых микрокристаллов GaN методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии (HVPE) на темплейтах SiOx/AlN(PA-MBE)/Si(111), полученных с использованием микросферной фотолитографии. Изучено влияние примеси Mg на морфологию колончатых микрокристаллов GaN. Обнаружено, что увеличение количества примеси Mg в атмосфере реактора HVPE приводит к смене огранки микрокристаллов GaN. Морфология, структура и оптические свойства колончатых микрокристаллов GaN исследованы методами растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции и низкотемпературной фотолюминесценции. Ключевые слова: HVPE, селективная эпитаксия, нитрид галлия, колончатые микрокристаллы.
  1. J. Meier, G. Bacher. Materials (Basel) 15, 5, 1626 (2022)
  2. D. Wei, B. Zhang, S. Zhang, B. Yang, D. Sun, H. Yu, K. Jiang, B. Wang, Y. Wu, Q. Li, L. Wang, L. Zhang, G. Wang, S. Wang, Y. Zhang, Q. Xu. Semicond. Sci. Technol. 41, 5, 053002 (2026)
  3. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci. 38, 75 (2014)
  4. A.A. Koryakin, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.S. Sharofidinov, M.P. Shcheglov. Materials (Basel) 15, 18, 6202 (2022)
  5. W. Bergbauer, M. Strassburg, C. Kolper, N. Linder, C. Roder, J. Lahnemann, A. Trampert, S. Fundling, S.F. Li, H.-H. Wehmann, A. Waag. Nanotechnology 21, 30, 305201 (2010)
  6. S.F. Li, S. Fuendling, X. Wang, S. Merzsch, M.A.M. Al-Suleiman, J.D. Wei, H.-H. Wehmann, A. Waag, W. Bergbauer, M. Strassburg. Cryst. Growth Des. 11, 5, 1573 (2011)
  7. M. Ahn, W. Jeong, K. Shim, S. Kang, H. Kim, D. Kim. J. Jhin, J. Kim, D. Byun, Materials (Basel) 16, 6, 2462 (2023)
  8. S. Albert, A. Bengoechea-Encabo, P. Lefebvre, F. Barbagini, M.A. Sanchez-Garcia, E. Calleja, U. Jahn, A. Trampert. Appl. Phys. Lett. 100, 23 (2012)
  9. V.N. Jmerik, N.V. Kuznetsova, D.V. Nechaev, T.V. Shubina, D.A. Kirilenko, S.I. Troshkov, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 477, 207 (2017)
  10. H.-P. Liu, J.-D. Tsay, W.-Y. Liu, Y.-D. Guo, J.T. Hsu, I.-G. Chen. J. Cryst. Growth 260, 1-2, 79 (2004)
  11. K. Lekhal, S.-Y. Bae, H.-J. Lee, T. Mitsunari, A. Tamura, M. Deki, Y. Honda, H. Amano. J. Cryst. Growth 447, 55 (2016)
  12. G. Avit, Y. Andre, C. Bougerol, D. Castelluci, A. Dussaigne, P. Ferret, S. Gaugiran, B. Gayral, E. Gil, Y. Lee, M.R. Ramdani, E. Roche, A. Trassoudaine. Cryst. Growth Des. 16, 5, 2509 (2016)
  13. E. Semlali, G. Avit, Y. Andre, E. Gil, A. Moskalenko, P. Shields, V.G. Dubrovskii, A. Cattoni, J.-C. Harmand, A. Trassoudaine. Nanotechnology 35, 26, 265604 (2024)
  14. А.А. Корякин, В.О. Гридчин, Ш.Ш. Шарофидинов, Л.Н. Дворецкая, И.В. Штром, А.Ю. Серов, К.П. Котляр, В.В. Лендяшова, И.С. Мухин, Г.Э. Цырлин. ФТТ 67, 6, 934 (2025)
  15. S. Krylyuk, R. Debnath, H.P. Yoon, M.R. King, J.-Y. Ha, B. Wen, A. Motayed, A.V. Davydov. APL Mater. 2, 10 (2014)
  16. E. Gil, Y. Andre, R. Cadoret, A. Trassoudaine. В сб.: Handb. Cryst. Growth / Под ред. T.F. Kuech. Elsevier, Amsterdam. (2015). С. 51
  17. Z. Zhang, C. Geng, Z. Hao, T. Wei, Q. Yan. Adv. Colloid Interface Sci. 228, 105 (2016)
  18. L. Dvoretckaia, V. Gridchin, A. Mozharov, A. Maksimova, A. Dragunova, I. Melnichenko, D. Mitin, A. Vinogradov, I. Mukhin, G. Cirlin. Nanomaterials 12, 12, 1993 (2022)
  19. B.-C. Lin, C.-S. Ku, H.-Y. Lee, A.T. Wu. Appl. Surf. Sci. 414, 212 (2017)
  20. C. Du, T. Wei, H. Zheng, L. Wang, C. Geng, Q. Yan, J. Wang, J. Li. Opt. Express 21, 21, 25373 (2013)
  21. K. Wu, T. Wei, D. Lan, X. Wei, H. Zheng, Y. Chen, H. Lu, K. Huang, J. Wang, Y. Luo, J. Li. Appl. Phys. Lett. 103, 24 (2013)
  22. В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, Л.Н. Дворецкая, А.В. Парфеньева, И.С. Мухин, Г.Э. Цырлин. Письма в ЖТФ 46, 21, 32 (2020)
  23. V.N. Jmerik, E.V. Lutsenko, S.V. Ivanov. Phys. status solidi 210, 3, 439 (2013)
  24. D. Milakhin, T. Malin, V. Mansurov, Y. Maidebura, D. Bashkatov, I. Milekhin, S. Goryainov, V. Volodin, I. Loshkarev, V. Vdovin, A. Gutakovskii, S. Ponomarev, K. Zhuravlev. Surfaces and Interfaces 51, 104817 (2024)
  25. В.О. Гридчин, А.М. Даутов, Т. Шугабаев, В.В. Лендяшова, К.П. Котляр, Г.П. Сотник, Д.А. Козодаев, Е.В. Пирогов, Р.Р. Резник, Д.Н. Лобанов, А. Кузнецов, А.Д. Большаков, Г.Э. Цырлин. Письма в ЖТФ 51, 14, 39 (2025)
  26. Ш.Ш. Шарофидинов, С.А. Кукушкин, А.В. Редьков, А.С. Гращенко, А.В. Осипов. Письма в ЖТФ 45, 14, 24 (2019)
  27. X.-Q.S. Ide, S.-H.C. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, S. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 1A, L16 (2000)
  28. A.K. Dhasiyan, F.W. Amalraj, S. Jayaprasad, N. Shimizu, O. Oda, K. Ishikawa, M. Hori. Sci. Rep. 14, 1, 10861 (2024)
  29. O. Chelda-Gourmala, A. Trassoudaine, Y. Andre, S. Bouchoule, E. Gil, J. Tourret, D. Castelluci, R. Cadoret. J. Cryst. Growth 312, 12-13, 1899 (2010)
  30. X. Wang, S. Li, M.S. Mohajerani, J. Ledig, H.-H. Wehmann, M. Mandl, M. Strassburg, U. Steegmuller, U. Jahn, J. Lahnemann, H. Riechert, I. Griffiths, D. Cherns, A. Waag. Cryst. Growth Des. 13, 8, 3475 (2013)
  31. T.W. Kang, H.-M. Kim. Met. Mater. Int. 10, 4, 367 (2004)
  32. S. Bae, K. Lekhal, H. Lee, J. Min, D. Lee, Y. Honda, H. Amano. Phys. status solidi 254, 8 (2017)
  33. M.A. Reshchikov, P. Ghimire, D.O. Demchenko. Phys. Rev. B 97, 20, 205204 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme