Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Аномальное поведение механических напряжений в полупроводниковых структурах класса сфалерита

The work was carried out with financial support from the Ministry of Education and Science of the Russian Federation in the framework of Russian Science Foundation (development of technique and hardware) , FWGW-2025-0008

Ступак М.Ф.¹, Дворецкий С.А.², Михайлов Н.Н.², Макаров С.Н.¹, Елесин А.Г.¹

¹Конструкторско-технологический институт научного приборостроения Сибирского отделение Российской академии наук
²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделение Российской академии наук (ИФП СО РАН), Новосибирск, Россия

Email: stupak@tdisie.nsc.ru, dvor@isp.nsc.ru, mikhilov@isp.nsc.ru, makarovsn@tdisie.nsc.ru, 0009-0005-4931-0792

Поступила в редакцию: 5 марта 2026 г.

В окончательной редакции: 15 мая 2026 г.

Принята к печати: 29 мая 2026 г.

Выставление онлайн: 28 июля 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Наблюдалось аномальное поведение механических напряжений в слоях HgCdTe и подложке (013)GaAs с кристаллической структурой класса сфалерита в составе гетероструктуры HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs(013) при изменении пространственной ориентации, которое определяет существенные изменение формы азимутальной зависимости генерации отраженной второй гармоники. Зондирование поверхностей HgCdTe и GaAs, находящихся в вертикальном и горизонтальном положениях, проводилось при вращении нормально падающего лазерного инфракрасного излучения с линейной поляризацией. Положение образца в пространстве изменялась последовательным поворотом по окружности с шагом 45^o относительно первоначального положения базового среза (011). Проводится анализ возможных причин, приводящих к наблюдаемому эффекту кардиального изменения формы азимутальной зависимости генерации второй гармоники и, соответственно, аномальному распределению напряжений. Ключевые слова: напряжения, вторая гармоника, азимутальная зависимость, HgCdTe, GaAs.

С.А. Ахманов, В.И. Емельянов, Н.И. Коротеев, В.В. Семиногов. УФН 147, 675 (1985)
T.F. Heinz. In: Nonlinear Surface Electromagnetic Phenomena / Eds. H. Ponath, G. Stegeman, North Holland Pub., Amsterdam, The Netherlands. (1991). С. 353
T. Kimura, Ch. Yamada. J. Cryst. Growth 150, 92 (1995)
К.А. Брехов, К.А. Гришунин, Д.В. Афанасьев, С.В. Семин, Н.Э. Шерстюк, Е.Д. Мишина, А.В. Кимель. ФТТ 60, 33 (2018)
В.В. Баланюк, В.Ф. Краснов, С.Л. Мушер, В.И. Проць, В.Э. Рябченко, С.А. Стоянов, С.Г. Струц, М.Ф. Ступак, В.С. Сыскин. Квантовая электроника 22, 196 (1995)
Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, К.С. Журавлев, А.А. Ковалев, С.А. Кочубей, Д.В. Ледовских, Т.В. Малин, Н.Н. Рубцова. Сиб. физ. журн. 13, 64 (2018)
С.Б. Бодров, А.И. Корытин, Ю.А. Сергеев, А.Н. Степанов. Квантовая электроника 50, 496 (2020)
Е.В. Пермикина, А.С. Кашуба. Успехи прикл. физ. 4, 493 (2016)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев, Д.Г. Икусов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ФТТ 62, 214 (2020)
A. Rogalski. Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005)
W. Lei, J. Antoszewski, L. Faraone. Appl. Phys. Rev, 2, 041303 (2015)
Н.А. Кульчицкий, А.В. Наумов, В.В. Старцев. Фотоника 14, 3, 234 (2020)
Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.П. Анциферов. Оптический журнал 67, 39 (2000)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наукова думка, Киев. (1987). 606 с
Handbook of Optical Constants of Solids / Ed. by E.D. Palik. Elsevier Science, USA (1998). 1096 p
S. Adachi. Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors. Springer Science+ Business Media, N. Y. (1999). 714 p.
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин, А.Г. Верхогляд. ЖТФ 91, 1799 (2021)
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев. Автометрия 55, 5, 31 (2019)
H. Hardhuenata, A. Lejo-Molina, C. Reitb\=ock, A. Prylepa, D. Stifter, K. Hingerl. J. Opt. Soc. Am. B 33, 195 (2016)
Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, В.С. Варавин, А.В. Колесников, Е.М. Труханов, И.В. Сабинина, И.Д. Лошкарев. ФТТ 57, 2095 (2015)
Haruo Nagai. J. Appl. Phys. 45, 3789 (1974)
M.A. Berding, W.D. Nix, D.R. Rhiger, S. Sen, A. Sheri. J. Electron. Mater. 29, 676 (2000)
M.F. Stupak, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, S.N. Makarov, A.G. Elesin. J. Appl. Phys. 138, 195102 (2025)
D. Shin, A. Rubio, P. Tang. Phys.Rev. Lett. 132, 016603 (2024)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель