Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 403
<<<>>>
Морфология поверхности лент и монокристаллов твердых растворов n-Bi2Te3-ySey
Лукьянова Л.Н. 1, Макаренко И.B.1, Усов С.О. 2, Новиков С.В. 1, Дементьев П.А. 1, Усов О.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, igor.makarenko@mail.ioffe.ru, s.usov@mail.ioffe.ru, S.Novikov@mail.ioffe.r, Demenp@mail.ioffe.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 марта 2026 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2026 г.
Принята к печати: 22 марта 2026 г.
Выставление онлайн: 22 апреля 2026 г.
PDF версия
Представлены результаты исследований морфологии поверхности методами сканирующей туннельной микроскопии и атомно-силовой микроскопии для поликристаллических лент твердого раствора n-Bi2Te3-ySey (y=0.45), сформированных спиннингованием расплава при различных технологических параметрах. Для сравнения, наряду с лентами, был исследован монокристаллический твердый раствор при y=0.3. Определены средние Sa, среднеквадратичные Sq и максимальные Sy высоты нанофрагментов из анализа локальных профилей, гистограмм распределения размеров от числа нанофрагментов и параметры зерен на поверхности. В монокристаллическом образце идентифицированы собственные и примесные дефекты на поверхности Ван-дер-Ваальса (0001). Показано, что основной пик на гистограмме равен высоте пятислойного пакета. Построены изображения обратной решетки методом быстрого преобразования Фурье, которые подтверждают сохранение гексагональной кристаллической структуры лент, однако по сравнению с монокристаллами структура становится деформированной. Ключевые слова: твердые растворы на основе теллурида висмута, спиннингование, сканирующая туннельная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, дефекты, быстрое преобразование Фурье.
  1. D.M. Rowe. Thermoelectric harvesting of low-temperature heat. 23-1. In Modules, Systems, and Applications in Thermoelectrics / Ed. D.M. Rowe. CRC Press, Boca Raton (2012)
  2. H.J. Goldsmid, H. Julian. Materials 7, 4, 2577 (2014)
  3. Thermoelectrics for Power Generation-A Look at Trends in the Technology / Eds. S. Skipidarov, M. Nikitin. InTech (2016). P. 572
  4. Y.L. Chen, J.G. Analytis, J.H. Chu, Z.K. Liu, S.K. Mo, X.L. Qi, H.J. Zhang, H. Lu, X. Dai, Z. Fang, S.C. Zhang, I.R. Fisher, Z. Hussain, Z.X. Shen. Science 325, 5937, 178 (2009)
  5. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys. 82, 4, 3045 (2010)
  6. J.P. Heremans, R.J. Cava, N. Samarth. Nat. Rev. Mater. 2, 10, 17049 (2017)
  7. T.-H. Liu, J. Zhou, M. Li, Z. Ding, Q. Song, B. Liao, L. Fu, G. Chen. Proc. Natl Acad. Sci. 115, 5, 879 (2018)
  8. M.J. Gilbert. Commun. Phys. 4, 1, 70 (2021)
  9. L. Zhang, J. Liu, J. Li, Z. Wang, Y. Wang, Y. Ge, W. Dong, N. Xu, T. He, H. Zhang, W. Zhang. Laser. Photon. Rev. 14, 4, 1900409 (2020)
  10. J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev. 7, 1, 011312 (2020)
  11. J. Lee, J. Koo, Y.M. Jhon, J.H. Lee. Opt. Express 22, 5, 6165 (2014)
  12. H. Qiao J. Yuan, Z. Xu, C. Chen, S. Lin, Y. Wang, J. Song, Y. Liu, Q. Khan, H.Y. Hoh, C.-X. Pan, S. Li, Q. Bao. ACS Nano 9, 2, 1886 (2015)
  13. Z. Alpichshev, J.G. Analytis, J.-H. Chu, I.R. Fisher, Y.L. Chen, Z.X. Shen, A. Fang, A. Kapitulnik. Phys. Rev. Lett. 104, 1, 016401 (2010)
  14. H. Nam, Y. Xu, I. Miotkowski, J. Tian, Y.P. Chen, C. Liu, C.K. Shih. J. Phys. Chem. Solids 128, 251 (2019)
  15. T. Knispel, W. Jolie, N. Borgwardt, J. Lux, Z. Wang, Y. Ando, A. Rosch, T. Michely, M. Gruninger. Phys. Rev. B 96, 19, 195135 (2017)
  16. M.H. Francombe. Brit. J. Appl. Phys. 9, 10, 415 (1958)
  17. B. Wiendlocha. J. Electron. Mater. 45, 7, 3515 (2016)
  18. T. Zhu, L. Hu, X. Zhao, J. He. Adv. Sci. 3, 7, 1600004 (2016)
  19. A.M. Netsou, D.A. Muzychenko, H. Dausy, T. Chen, F. Song, K. Schouteden, M.J. Van Bael, C. Van Haesendonck. ACS Nano 14, 10, 13172 (2020)
  20. H. Beidenkopf, P. Roushan, J. Seo, L. Gorman, I. Drozdov, Y.S. Hor, R.J. Cava, A. Yazdani. Nat. Phys. 7, 12, 939 (2011)
  21. D. Zavanelli, R.B. Villoro, R.H. Naderloo, N.P. Rodriguez, S. Zhang, R. He, C. Scheu, G.J. Snyder. Phys. Rev. Mater. 9, 6, 045402 (2025)
  22. T.H. Nguyen, J. Enju, T. Ono. J. Electrochem. Soc. 166, 12, D508 (2019)
  23. J. Zheng, Y. Kodera, X. Xu, S. Shin, K.M. Chung, T. Imai, R.V. Ihnfeldt, J.E. Garay, R.J. Chen. J. Appl. Phys. 130, 23, 235106 (2021)
  24. B. Xu, M.T. Agne, T. Feng, T.C. Chasapis, X. Ruan, Y. Zhou, H. Zheng, J.-H. Bahk, M.G. Kanatzidis, G.J. Snyder, Y. Wu. Adv. Mater. 29, 10, 1605140 (2017)
  25. Л.Д. Иванова, Ю.В. Гранаткина, А.Г. Мальчев, И.Ю. Нихезина, М.В. Емельянов. ФТП 53, 5, 659 (2019)
  26. А.А. Мельников, В.Г. Костишин, С.А. Кичик, В.В. Аленков. Известия вузов. Материалы электронной техники 2, 66 (2014)
  27. S. Fan, J. Zhao, Q. Yan, J. Ma, H.H. Hng. J. Electron. Mater. 40, 7, 1018 (2011)
  28. С.В. Новиков, А.В. Ли, А.А. Шабалдин, В.Н. Вербицкий, И.А. Няпшаев. ФТТ 67, 5, 800 (2025)
  29. M.W. Oh, J.H. Son, B.S. Kim, S.D. Park, B.K. Min, H.W. Lee. J. Appl. Phys. 115, 13, 133706 (2014)
  30. J.C. Slater. J. Chem. Phys. 41, 10, 3199 (1964)
  31. Л.Н. Лукьянова, И.B. Макаренко, О.А. Усов, С.В. Новиков, С.О. Усов. ФТТ 67, 12, 2257 (2025)
  32. S. Jia, H. Beidenkopf, I. Drozdov, M.K. Fuccillo, J. Seo, J. Xiong, N.P. Ong, A. Yazdani, R.J. Cava. Rev. Mod. Phys. 86, 23, 165119 (2012)
  33. D.L. Medlin, Q.M. Ramasse, C.D. Spataru, N.Y.C. Yang. J. Appl. Phys. 108, 4, 043517 (2010)
  34. N. Virk, O.V. Yazyev. Sci. Rep. 6, 20220 (2016)
  35. T.T. Pham, P. Vancso, M. Szendro, K. Palotas, R. Castelino, M. Bouatou, C. Chacon, L. Henrard, J. Lagoute, R. Sporken. npj 2D Mater. Appl. 6, 1, 48 (2022)
  36. L. Petersen, P.T. Sprunger, P. Hofmann, E. Lagsgaard, B.G. Briner, M. Doering, H.-P. Rust, A.M. Bradshaw, F. Besenbacher, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 57, 12, R6858 (1998)
  37. W. Ko, I. Jeon, H.W. Kim, H. Kwon, S.-J. Kahng, J. Park, J.S. Kim, S.W. Hwang, H. Suh. Sci. Rep. 3, 2656 (2013).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme