Методом функционала плотности проведены расчеты кристаллической структуры границы раздела 3C-SiC(111)/Si(111) и найдена структура, соответствующая минимуму энергии системы. Из 8 возможных вариантов именно эта структура наблюдается экспериментально методом сканирующей электронной микроскопии высокого разрешения. Показано, что Si сопрягается с SiC в направлении [211], как и предсказано методом функционала плотности. Обнаружено, что состояние данной границы раздела без магнитного момента является метастабильным. Электрон с атома C пленки туннелирует на атом Si подложки с оборванными связями, что приводит к уменьшению общей энергии за счет релаксации упругой энергии. Показано, что данный эффект, называемый negative-U, приводит к появлению аномально высокого диамагнетизма, наблюдаемого экспериментально при комнатной температуре. Ключевые слова: карбид кремния, метод функционала плотности, эпитаксия, диамагнетизм, отрицательная корреляционная энергия, negative-U

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.