Магнеторезистивные характеристики гетероструктуры SrIrO3/La2/3Sr1/3MnO3
Российский научный фонд, 23-79-00010
Константинян К.И.1, Ульев Г.Д.1,2, Маширов А.В.1, Орлов А.П.1, Москаль И.Е.1, Овсянников Г.А.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия

Email: karen@hitech.cplire.ru, gdulev@edu.hse.ru, gena@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 сентября 2025 г.
Принята к печати: 11 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
Исследована тонкопленочная гетероструктура SrIrO3/La2/3Sr1/3MnO3, эпитаксиально выращенная на NdGaO3 подложке. На границе раздела между парамагнитным полуметаллом SrIrO3 с сильным спин-орбитальным взаимодействием и спин-поляризованным ферромагнетиком La2/3Sr1/3MnO3 образуется переходной слой, для изучения которого исследовались отдельные пленки SrIrO3 и La2/3Sr1/3MnO3. Обсуждаются температурные зависимости магнетосопротивления и холловское сопротивление при магнитных полях H=0-7 Т и температурах T=2-300 K. Ключевые слова: гетероструктура, спин-орбитальное взаимодействие, иридат стронция, манганит, магнетосопротивление, эффект Холла.
- S. Chen, Y. Ning, C. Tang, L. Dai, S. Zeng, K. Han, J. Zhou, M. Yang, Y. Guo, C. Cai, A. Ariando, A.T.S. Wee, X. Yin. Adv. Electron. Mater. 10, 2300730 (2024). DOI: 10.1002/aelm.202300730
- M. Yoo, J. Tornos, A. Sander, L. Lin, N. Mohanta, A. Peralta, D. Sanchez-Manzano, F. Gallego, D. Haskel, J.W. Freeland, D.J. Keavney, Y. Choi, J. Strempfer, X. Wang, M. Cabero, H.B. Vasili, M. Valvidares, G. Sanchez-Santolino, J.M. Gonzalez-Calbet, A. Rivera, C. Leon, S. Rosenkranz, M. Bibes, A. Barthelemy, A. Anane, E. Dagotto, S. Okamoto, S.G.E. te Velthuis, J. Santamaria, J.E. Villegas. Nat. Comm. 12, 3283 (2021). DOI: 10.1038/s41467-021-23489
- S. Jana, T. Senapati, S.G. Bhat, S.N. Sarangi, K. Senapati, D. Samal. Phys. Rev. B 107, 134415 (2023). DOI: 10.1103/PhysRev B.107.134415
- G. Cao, P. Schlottmann. Rep. Progress in Phys. 81, 042502 (2018). DOI: 10.1088/1361-6633/aaa979
- Г.А. Овсянников, К.И. Константинян, Г.Д. Ульев, И.Е. Москаль. Письма в ЖЭТФ 121, 5, 402 (2025). DOI: 10.31857/S0370274X250301 [G.A. Ovsyannikov, K.I. Konstantinyan, G.D. Ul'ev, I.E. Moskal. JETP Lett. 121, 5, 381, (2025). DOI: 10.1134/S002136402560017X]
- T. Nan, S. Emori, C.T. Boone, X. Wang, T.M. Oxholm, J.G. Jones, B.M. Howe, G.J. Brown, N.X. Sun. Phys. Rev. B 91, 214416 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.91.214416
- Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. Шадрин. Радиотехника и электроника 68, 10, 984 (2023). DOI: 10.31857/S0033849423100194 [G.D. Ulev, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal', G.A. Ovsyannikov, A.V. Shadrin. J. Commun. Technol. Electronics 68, 10, 1201 (2023). DOI: 10.1134/S1064226923100194]
- Y.-T. Chen, S. Takahashi, H. Nakayama, M. Althammer, S.T.B. Goennenwein, E. Saitoh, G.E.W. Bauer. J. Phys. D: Condens. Matter 28, 103004 (2016). DOI: 10.1088/0953-8984/28/10/103004
- N. Manca, D.J. Groenendijk, I. Pallecchi, C. Autieri, L.M.K. Tang, F. Telesio, G. Mattoni, A. McCollam, S. Picozzi, A.D. Caviglia. Phys. Rev. B 97, 081105(R) (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.081105
- I.M. Dildar, C. Beekman, X. He. J. Aarts. Phys. Rev. B 85, 205103 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.205103
- F.-X. Wu, J. Zhou, L.Y. Zhang, Y.B. Chen, S. Zhang, Z. Gu, S. Yao, Y. Chen. J. Phys.: Condens. Matter. 25, 125604 (2013). DOI: 10.1088/0953-8984/25/12/125604
- A. Biswas, Y.H. Jeong. Current Appl. Phys. 17, 605--614 (2017). DOI: 10.1016/j.cap.2016.09.020
- L.E. Calvet, G. Agnus, P. Lecoeur. J. Vac. Sci. Technol. A 37, 031504 (2019). DOI: 10.1116/1.5085669
- I.E. Moskal, A.M. Petrzhik, Y.V. Kislinskii, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov, N.V. Dubitskiy. Bulletin RAS: Physics, 88, 4, 582--585 (2024). DOI: 10.1134/S1062873823706360
- G.A. Ovsyannikov, K.Y. Constantinian, V.A. Shmakov, A.L. Klimov, E.A. Kalachev, A.V. Shadrin, N.V. Andreev, F.O. Milovich, A.P. Orlov, P.V. Lega. Phys. Rev. B 107, 144419 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.107.144419
- J. Lindemuth. Hall Effect Measurement Handbook: A Fundamental Tool for Semiconductor Material Characterization. (Lake Shore Cryotronics, Inc. 2020)
- X. Wang, X.-G. Zhang. Phys. Rev. Lett. 82, 21, 4276 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.4276
- P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Phys. Rev. B 26, 4008 (1982)
- W. Niu, M. Gao, X. Wang, F. Song, J. Du, X. Wang, Y. Xu, R. Zhang. Sci. Reports 6, 26081 (2016). DOI: 10.1038/srep26081
- Y. Lyanda-Geller, S.H. Chun, M.B. Salamon, P.M. Goldbart, P.D. Han, Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Tokura. Phys. Rev. B 63, 184426 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.63.184426
- R.S. Helen, W. Prellier, P. Padhan. J. Appl. Phys. 128, 033906 (2020). DOI: 10.1063/5.0014909