Вышедшие номера
Магнеторезистивные характеристики гетероструктуры SrIrO3/La2/3Sr1/3MnO3
Российский научный фонд, 23-79-00010
Константинян К.И.1, Ульев Г.Д.1,2, Маширов А.В.1, Орлов А.П.1, Москаль И.Е.1, Овсянников Г.А.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
Email: karen@hitech.cplire.ru, gdulev@edu.hse.ru, gena@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 сентября 2025 г.
Принята к печати: 11 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.

Исследована тонкопленочная гетероструктура SrIrO3/La2/3Sr1/3MnO3, эпитаксиально выращенная на NdGaO3 подложке. На границе раздела между парамагнитным полуметаллом SrIrO3 с сильным спин-орбитальным взаимодействием и спин-поляризованным ферромагнетиком La2/3Sr1/3MnO3 образуется переходной слой, для изучения которого исследовались отдельные пленки SrIrO3 и La2/3Sr1/3MnO3. Обсуждаются температурные зависимости магнетосопротивления и холловское сопротивление при магнитных полях H=0-7 Т и температурах T=2-300 K. Ключевые слова: гетероструктура, спин-орбитальное взаимодействие, иридат стронция, манганит, магнетосопротивление, эффект Холла.
  1. S. Chen, Y. Ning, C. Tang, L. Dai, S. Zeng, K. Han, J. Zhou, M. Yang, Y. Guo, C. Cai, A. Ariando, A.T.S. Wee, X. Yin. Adv. Electron. Mater. 10, 2300730 (2024). DOI: 10.1002/aelm.202300730
  2. M. Yoo, J. Tornos, A. Sander, L. Lin, N. Mohanta, A. Peralta, D. Sanchez-Manzano, F. Gallego, D. Haskel, J.W. Freeland, D.J. Keavney, Y. Choi, J. Strempfer, X. Wang, M. Cabero, H.B. Vasili, M. Valvidares, G. Sanchez-Santolino, J.M. Gonzalez-Calbet, A. Rivera, C. Leon, S. Rosenkranz, M. Bibes, A. Barthelemy, A. Anane, E. Dagotto, S. Okamoto, S.G.E. te Velthuis, J. Santamaria, J.E. Villegas. Nat. Comm. 12, 3283 (2021). DOI: 10.1038/s41467-021-23489
  3. S. Jana, T. Senapati, S.G. Bhat, S.N. Sarangi, K. Senapati, D. Samal. Phys. Rev. B 107, 134415 (2023). DOI: 10.1103/PhysRev B.107.134415
  4. G. Cao, P. Schlottmann. Rep. Progress in Phys. 81, 042502 (2018). DOI: 10.1088/1361-6633/aaa979
  5. Г.А. Овсянников, К.И. Константинян, Г.Д. Ульев, И.Е. Москаль. Письма в ЖЭТФ 121, 5, 402 (2025). DOI: 10.31857/S0370274X250301 [G.A. Ovsyannikov, K.I. Konstantinyan, G.D. Ul'ev, I.E. Moskal. JETP Lett. 121, 5, 381, (2025). DOI: 10.1134/S002136402560017X]
  6. T. Nan, S. Emori, C.T. Boone, X. Wang, T.M. Oxholm, J.G. Jones, B.M. Howe, G.J. Brown, N.X. Sun. Phys. Rev. B 91, 214416 (2015). DOI: 10.1103/PhysRevB.91.214416
  7. Г.Д. Ульев, К.И. Константинян, И.Е. Москаль, Г.А. Овсянников, А.В. Шадрин. Радиотехника и электроника 68, 10, 984 (2023). DOI: 10.31857/S0033849423100194 [G.D. Ulev, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal', G.A. Ovsyannikov, A.V. Shadrin. J. Commun. Technol. Electronics 68, 10, 1201 (2023). DOI: 10.1134/S1064226923100194]
  8. Y.-T. Chen, S. Takahashi, H. Nakayama, M. Althammer, S.T.B. Goennenwein, E. Saitoh, G.E.W. Bauer. J. Phys. D: Condens. Matter 28, 103004 (2016). DOI: 10.1088/0953-8984/28/10/103004
  9. N. Manca, D.J. Groenendijk, I. Pallecchi, C. Autieri, L.M.K. Tang, F. Telesio, G. Mattoni, A. McCollam, S. Picozzi, A.D. Caviglia. Phys. Rev. B 97, 081105(R) (2018). DOI: 10.1103/PhysRevB.97.081105
  10. I.M. Dildar, C. Beekman, X. He. J. Aarts. Phys. Rev. B 85, 205103 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.205103
  11. F.-X. Wu, J. Zhou, L.Y. Zhang, Y.B. Chen, S. Zhang, Z. Gu, S. Yao, Y. Chen. J. Phys.: Condens. Matter. 25, 125604 (2013). DOI: 10.1088/0953-8984/25/12/125604
  12. A. Biswas, Y.H. Jeong. Current Appl. Phys. 17, 605--614 (2017). DOI: 10.1016/j.cap.2016.09.020
  13. L.E. Calvet, G. Agnus, P. Lecoeur. J. Vac. Sci. Technol. A 37, 031504 (2019). DOI: 10.1116/1.5085669
  14. I.E. Moskal, A.M. Petrzhik, Y.V. Kislinskii, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov, N.V. Dubitskiy. Bulletin RAS: Physics, 88, 4, 582--585 (2024). DOI: 10.1134/S1062873823706360
  15. G.A. Ovsyannikov, K.Y. Constantinian, V.A. Shmakov, A.L. Klimov, E.A. Kalachev, A.V. Shadrin, N.V. Andreev, F.O. Milovich, A.P. Orlov, P.V. Lega. Phys. Rev. B 107, 144419 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.107.144419
  16. J. Lindemuth. Hall Effect Measurement Handbook: A Fundamental Tool for Semiconductor Material Characterization. (Lake Shore Cryotronics, Inc. 2020)
  17. X. Wang, X.-G. Zhang. Phys. Rev. Lett. 82, 21, 4276 (1999). DOI: 10.1103/PhysRevLett.82.4276
  18. P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Phys. Rev. B 26, 4008 (1982)
  19. W. Niu, M. Gao, X. Wang, F. Song, J. Du, X. Wang, Y. Xu, R. Zhang. Sci. Reports 6, 26081 (2016). DOI: 10.1038/srep26081
  20. Y. Lyanda-Geller, S.H. Chun, M.B. Salamon, P.M. Goldbart, P.D. Han, Y. Tomioka, A. Asamitsu, Y. Tokura. Phys. Rev. B 63, 184426 (2001). DOI: 10.1103/PhysRevB.63.184426
  21. R.S. Helen, W. Prellier, P. Padhan. J. Appl. Phys. 128, 033906 (2020). DOI: 10.1063/5.0014909