Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 12 » Статья стр. 2430
<<<>>>
Электрофизические свойства гибридных графен-нанотрубных квази-2D-структур
Российский научный фонд, 24-79-10316
Слепченков М.М. 1, Барков П.В. 1, Глухова О.Е. 1,2
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Первый государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова, Москва, Россия
Email: slepchenkovm@mail.ru, barkovssu@mail.ru, glukhovaoe@info.sgu.ru
Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 8 сентября 2025 г.
Принята к печати: 11 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 30 января 2026 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования влияния структурных особенностей на электрофизические свойства гибридных тонкопленочных графен-нанотрубных структур. Объектом исследования являются квази-2D-пленки, образованные двухслойным графеном и хиральными одностенными углеродными нанотрубками (ОУНТ) суб- и нанометрового диаметров. В качестве структурных особенностей рассматриваются индексы хиральности и диаметр нанотрубки, тип укладки слоев графена, взаимное расположение нанотрубок и графена в составе гибрида графен-ОУНТ. Электрофизические свойства оцениваются по рассчитанным значениям электропроводности и вольт-амперным характеристикам. Ключевые слова: графен-нанотрубные гибриды, квантовый электронный транспорт, функция пропускания, вольт-амперные характеристики.
  1. O.S. Ayanda, A.O. Mmuoegbulam, O. Okezie, N.I. Durumin Iya, S.E. Mohammed, P.H. James, A.B. Muhammad, A.A. Unimke, S.A. Alim, S.M. Yahaya, A. Ojo, T.O. Adaramoye, S.K. Ekundayo, A. Abdullahi, H. Badamasi. J. Nanopart. Res. 26, 5, 106 (2024). https://doi.org/10.1007/s11051-024-06006-2
  2. Ю.А. Баимова, Р.Р. Мулюков. Графен, нанотрубки и другие углеродные наноструктуры. РАН, Москва (2018). 212 с
  3. W. Du, Z. Ahmed, Q. Wang, C. Yu, Z. Feng, G. Li, M. Zhang, C. Zhou, R. Senegor, C.Y. Yang. 2D Mater. 6, 4, 042005 (2019). https://doi.org/10.1088/2053-1583/ab41d3
  4. V.T. Dang, D.D. Nguyen, T.T. Cao, P.H. Le, D.L. Tran, N.M. Phan, V.C. Nguyen. Adv. Natur. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 7, 3, 033002 (2016). https://doi.org/10.1088/2043-6262/7/3/033002
  5. J. Sheng, Z. Han, G. Jia, S. Zhu, Y. Xu, X. Zhang, Y. Yao, Y. Li. Adv. Funct. Mater. 33, 43, 2306785 (2023). https://doi.org/10.1002/adfm.202306785
  6. A. Gbaguidi, S. Namilae, D. Kim. Nanotechnol. 31, 25, 255704 (2020). https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab7fcc
  7. I.N. Kholmanov, C.W. Magnuson, R. Piner, J.Y. Kim, A.E. Aliev, C. Tan, T.Y. Kim, A.A. Zakhidov, G. Sberveglieri, R.H. Baughman, R.S. Ruoff. Adv. Mater. 27, 19, 3053 (2015). https://doi.org/10.1002/adma.201500785
  8. B. Liu, J. Sun, J. Zhao, X. Yun. Adv. Compos. Hybrid Mater. 8, 1, 1 (2025). https://doi.org/10.1007/s42114-024-01074-3
  9. S. Pyo, Y. Eun, J. Sim, K. Kim, J. Choi. Micro \& Nano Syst. Lett. 10, 1, 9 (2022). https://doi.org/10.1186/s40486-022-00151-w
  10. S.C. Qin, Y. Liu, H. Jiang, Y. Xu, Y. Shi, R. Zhang, F. Wang. Sci. China Inf. Sci. 62, 12, 220403 (2019). https://doi.org/10.1007/s11432-019-2676-x
  11. X. Wu, F. Mu, H. Zhao. J. Mater. Sci. Technol. 55, 16 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jmst.2019.05.063
  12. Б.Ю. Валеев, А.Н. Токсумаков, Д.Г. Квашнин, Л.А. Чернозатонский. Письма в ЖЭТФ 115, 2, 103 (2022). [B.Yu. Valeev, A.N. Toksumakov, D.G. Kvashnin, L.A. Chernozatonskii. JETP Lett. 115, 2, 93 (2022). https://doi.org/10.1134/S0021364022020114]
  13. J. Srivastava, A. Gaur. J. Chem. Phys. 155, 24, 244104 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0077099
  14. A.B. Felix, M. Pacheco, P. Orellana, A. Latge. Nanomater. 12, 19, 3475 (2022). https://doi.org/10.3390/nano12193475
  15. Y. Gao, T. Cao, F. Cellini, C. Berger, W.A. de Heer, E. Tosatti, E. Riedo, A. Bongiorno. Nature Nanotechnol. 13, 2, 133 (2018). https://doi.org/10.1038/s41565-017-0023-9
  16. M. Elstner, D. Porezag, G. Jungnickel, J. Elsner, M. Haugk, Th. Frauenheim, S. Suhai, G. Seifert. Phys. Rev. B 58, 11, 7260 (1998). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.7260
  17. B. Hourahine, B. Aradi, V. Blum, F. Bonafe, A. Buccheri, C. Camacho, C. Cevallos, M.Y. Deshaye, T. Dumitricva, A. Dominguez, S. Ehlert, M. Elstner, T. van der Heide, J. Hermann, S. Irle, J.J. Kranz, C. Kohler, T. Kowalczyk, T. Kubavr, I.S. Lee, V. Lutsker, R.J. Maurer, S.K. Min, I. Mitchell, C. Negre, T.A. Niehaus, A.M.N. Niklasson, A.J. Page, A. Pecchia, G. Penazzi, M.P. Persson, J. vRezavc, C.G. Sanchez, M. Sternberg, M. Stohr, F. Stuckenberg, A. Tkatchenko, V. W.-z. Yu, T. Frauenheim. J. Chem. Phys. 152, 12, 124101 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5143190
  18. A.K. Rappe, C.J. Casewit, K.S. Colwell, W.A. Goddard III, W.M. Skiff. J. Am. Chem. Soc. 114, 25, 10024 (1992). https://doi.org/10.1021/ja00051a040
  19. S. Datta. Quantum Transport: Atom to Transistor. Cambridge University Press: Cambridge, London, UK (2005). 404 p
  20. M. Li, X. Liu, X. Zhao, F. Yang, X. Wang, Y. Li. Top. Curr. Chem. (Z) 375, 2, 29 (2017). https://doi.org/10.1007/s41061-017-0116-9

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme