Представлены результаты исследования возможности использования решеточно-согласованных с кремниевой подложкой многослойных композиций GaN|InP для формирования верхнего перехода методом плазмохимического атомно-слоевого осаждения. В ходе исследования были получены температурные зависимости темновой проводимости и фотопроводимости, что позволило оценить фотоэлектрические свойства пленок на основе сверхрешеток GaN|InP, а также отдельных слоев InP и GaN. Получены значения энергий активации фотопроводимости для структур GaN|InP в диапазоне 0.17-0.25 eV и для отдельных слоев InP и GaN - 0.1 и 0.4 eV соответственно. Ключевые слова: солнечная энергетика, фосфид индия, нитрид галлия, фотопроводимость, энергия активации.