Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Выращивание твердого раствора GaInAsSbBi на подложке GaSb(100), разориентированной на 6^o к плоскости (111)A

Ministry of Education and Science of the Russian Federation, State assignment of the Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, № 125011200148-9

Пащенко А.С.

^1,2, Никулин Д.А.

^1,2, Блохин Э.Е.

¹Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

²Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия North-Caucasian Federal University, Stavropol, Russia

Email: semicondlab@ssc-ras.ru

Поступила в редакцию: 30 апреля 2025 г.

В окончательной редакции: 8 сентября 2025 г.

Принята к печати: 11 ноября 2025 г.

Выставление онлайн: 30 января 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Приведены результаты выращивания твердых растворов GaInAsSbBi методом импульсного лазерного напыления на подложке GaSb(100), разориентированной на 6^o к плоскости (111)A. Результаты структурного анализа методами рентгеновской дифракции, просвечивающей, электронной и атомно-силовой микроскопии показывают, что основным механизмом роста является рост по Фольмеру-Веберу. Пленки имеют поликристаллическую структуру. В объеме пленки присутствуют дефекты упаковки, двойники и дислокации. Методом энергодисперсионного микроанализа состав пленок определяется как Ga_0.75In_0.25As_0.87Sb_0.1Bi_0.03. Ключевые слова: соединения III-V, GaSb, антимонид галлия, твердые растворы.

A.S. Pashchenko, O.V. Devitsky, L.S. Lunin, I.V. Kasyanov, D.A. Nikulin, O.S. Pashchenko. Thin Solid Films 743, 139064 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.139064
N.A. Shepelin, Z.P. Tehrani, N. Ohannessian, C.W. Schneider, D. Pergolesi, T. Lippert. Chem. Soc. Rev. 52, 2294 (2023). DOI: 10.1039/d2cs00938b
T.K.O. Vu, M.T. Tran, E.K. Kim. J. Alloys Compd. 924, 166531 (2022). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.166531
V.A.S. Kandadai, V. Gadhamshetty, B.K. Jasthi. Surf. Coat. Technol. 447, 128805 (2022). DOI: 10.1016/j.surfcoat.2022.128805
C.K. Jindal, A. Pandey, M. Tomar, P.K. Jha. Appl. Surf. Sci. 595, 153505 (2022). DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.153505
A.S. Pashchenko, O.V. Devitsky, M.L. Lunina, E.M. Danilina, O.S. Pashchenko, B. Ber, V.I. Sakharov. Vacuum 227, 113372 (2024). DOI: 10.1016/j.vacuum.2024.113372
W.C. McGinnis, A. Hening. Thin Solid Films 764, 139603 (2023). DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139603
D.T. Yimam, H. Zhang, J. Momand, B.J. Kooi. Mater. Sci. Semicond. Process. 133, 105965 (2021). DOI: 10.1016/j.mssp.2021.105965
T.N. Van, E. Laborde, C. Champeaux, F. Dumas-Bouchiat, D.T. Quang, T.N. Vu, C.N. Xuan, D.T.H. Giang, T.P. Van. Appl. Surf. Sci. 619, 156756 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.156756
R.A. Carrasco, C.P. Morath, J.V. Logan, K.B. Woller, P.C. Grant, H. Orozco, M.S. Milosavljevic, S.R. Johnson, G. Balakrishnan, P.T. Webster. Appl. Phys. Lett. 120, 031102 (2022). DOI: 10.1063/5.0078809
А.С. Пащенко, О.В. Девицкий, Л.С. Лунин, М.Л. Лунина, О.С. Пащенко. ПЖТФ 48, 5, 52 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.05.53481.19164
Е.А. Емельянов, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, М.Ю. Есин, И.Д. Лошкарев, А.П. Василенко, М.А. Путято, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский. ФТП 53, 4, 512 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619040092
A.E. Marichev, R.V. Levin, G.S. Gagis, A.B. Gordeeva. J. Phys. Conf. Ser. 741, 012039 (2016). DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/01203
K. Alberi, J. Wu, W. Walukiewicz, K.M. Yu, O.D. Dubon, S.P. Watkins, C.X. Wang, X. Liu, Y.-J. Cho, J. Furdyna. Phys. Rev. B, 75, 045203 (2007). DOI: 10.1103/PhysRevB.75.045203
C.A. Broderick, M. Usman, E.P. O'Reilly. Theory of the Electronic Structure of Dilute Bismide Alloys: Tight-Binding and k· p models. In: Bismuth-Containing Compounds / Eds. H. Li, Z. Wang. Springer Series in Materials Science 186. Springer, N. Y. (2013). DOI: 10.1007/978-1-4614-8121-8_3
W. Walukiewicz, J.M.O. Zide. J. Appl. Phys. 127, 010401 (2020). DOI: 10.1063/1.5142248
B.N. Zvonkov, I.A. Karpovich, N.V. Baidus, D.O. Filatov, S.V. Morozov, Yu.Yu. Gushina. Nanotechnology 11, 221 (2000). DOI: 10.1088/0957-4484/11/4/306
S.N. Kabekkodu, A. Dosen, T.N. Blanton. Powder Diffr. 39, 2, 47 (2024). DOI: 10.1017/S0885715624000150 (файл базы данных PDF\# 00-007-0215

Учредители

Издатель