Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера
Росийский Научный Фонд (Russian Science Foundation), № 25-12-00022
Махмудиан Мехрдад М.
1,2, Махмудиан М.М.1,2, Энтин М.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия

Email: m.makhmudian1@g.nsu.ru, mahmood@isp.nsc.ru, entin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 13 августа 2025 г.
Принята к печати: 15 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2025 г.
Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение - вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию. Ключевые слова: вигнеровский кластер, флеш-память, локализованные электроны, угловая функция распределения.
- E. Wigner. Phys. Rev. 46, 1002--1011 (1934)
- H.M. Van Horn. Phys. Rev. 157, 342--349 (1967)
- R.S. Crandall, R. Williams. Phys. Lett. A 34, 404--405 (1971)
- C. Grimes, G. Adams. Phys. Rev. Lett. 42, 795--798 (1979)
- A.V. Chaplik. Sov. Phys. JETP 35, 395 (1972)
- E.Y. Andrei, G. Deville, D.C. Glattli, F.I.B. Williams, E. Paris, B. Etienn. Phys. Rev. Lett. 60, 2765--2768 (1988)
- V.V. Deshpande, M. Bockrath. Nat. Phys. 4, 314--318 (2008)
- V. Goldman, M. Santos, M. Shayegan, J. Cunningham. Phys. Rev. Lett. 65, 2189--2192 (1990)
- H. Zhou, H. Polshyn, T. Taniguchi, K. Watanabe, A.F. Young. Nat. Phys. 16, 154--158 (2020)
- H. Li, Sh. Li, E.C. Regan, D. Wang, W. Zhao, S. Kahn, K. Yumigeta, M. Blei, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Tongay, A. Zettl, M.F. Crommie, F. Wang. Nature 597, 650--654 (2021)
- E.C. Regan, D. Wang, Ch. Jin, M.I.B. Utama, B. Gao, X. Wei, S. Zhao, W. Zhao, Z. Zhang, K. Yumigeta, M. Blei, J.D. Carlstrom, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Tongay, M. Crommie, A. Zettl, F. Wang. Nature 579, 359--363 (2020)
- Y. Xu, S. Liu, D.A. Rhodes, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Hone, V. Elser, K.F. Mak, J. Shan. Nature 587, 214--218 (2020)
- X. Huang, T. Wang, Sh. Miao, Ch. Wang, Z. Li, Z. Lian, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Okamoto, D. Xiao, S.-F. Shi, Y.-T. Cui. Nat. Phys. 17, 715--719 (2021)
- H. Li, Z. Xiang, A.P. Reddy, T. Devakul, R. Sailus, R. Banerjee, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Tongay, A. Zettl, L. Fu, M.F. Crommie, F. Wang. Science 385, 86--91 (2024)
- M. Mazars. EPL 110, 26003 (2015)
- C. Yannouleas, U. Landman. Phys. Rev. Lett. 82, 5325 (1999)
- R. Egger, W. Hausler, C.H. Mak, H. Grabert. Phys. Rev. Lett. 82, 3320 (1999)
- V.M. Bedanov, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 49, 2667 (1994)
- V.A. Schweigert, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 51, 7700 (1995)
- M.M. Mahmoodian, Mehrdad M. Mahmoodian, M.V. Entin. Письма в ЖЭТФ 115, 10, 642--649 (2022)
- Mehrdad Mahmoodian, M.V. Entin. J. Phys.: Conf. Ser. 2227, 012012 (2022)
- Мехрдад М. Махмудиан, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин. ФТТ 65, 10, 1769--1776 (2023)
- V.A. Gritsenko. In: Thin Films on Silicon: Electronic and Photonic Applications. World Scientific Press (2016). Ch. 6, p. 273
- A. Goda. Electronics 10, 3156 (2021)
- V.A. Gritsenko. JETP Lett. 64, 525--530 (1996)
- S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko, H. Wong. Appl. Phys. Lett. 96, 263510 (2010)
- R. Chitra, T. Giamarchi, P. Le Doussal. Phys. Rev. B 65, 035312 (2001)
- A.L. Efros, B.I. Shklovskii. J. Phys. C: Solid State Phys. 8, 4, L49 (1975)
- A.L. Efros. J. Phys. C: Solid State Phys. 9, 2021 (1976)
- B.I. Shklovskii. Low Temperature Physics 50 (12), 1101--1112 (2024)