Вышедшие номера
Теория флеш-памяти на основе двумерного вигнеровского кластера
Росийский Научный Фонд (Russian Science Foundation), № 25-12-00022
Махмудиан Мехрдад М. 1,2, Махмудиан М.М.1,2, Энтин М.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: m.makhmudian1@g.nsu.ru, mahmood@isp.nsc.ru, entin@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 13 августа 2025 г.
Принята к печати: 15 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 21 октября 2025 г.

Современная флеш-память работает за счет удержания (захвата) электронов на ловушках в диэлектрике, что приводит к изменению сопротивления двумерного канала полупроводника. В данной работе численно изучается структурное упорядочение - вигнеровская кристаллизация локализованных электронов на глубоких ловушках. Угловая функция распределения этих электронов подтверждает их вигнеровскую локализацию. Ключевые слова: вигнеровский кластер, флеш-память, локализованные электроны, угловая функция распределения.
  1. E. Wigner. Phys. Rev. 46, 1002--1011 (1934)
  2. H.M. Van Horn. Phys. Rev. 157, 342--349 (1967)
  3. R.S. Crandall, R. Williams. Phys. Lett. A 34, 404--405 (1971)
  4. C. Grimes, G. Adams. Phys. Rev. Lett. 42, 795--798 (1979)
  5. A.V. Chaplik. Sov. Phys. JETP 35, 395 (1972)
  6. E.Y. Andrei, G. Deville, D.C. Glattli, F.I.B. Williams, E. Paris, B. Etienn. Phys. Rev. Lett. 60, 2765--2768 (1988)
  7. V.V. Deshpande, M. Bockrath. Nat. Phys. 4, 314--318 (2008)
  8. V. Goldman, M. Santos, M. Shayegan, J. Cunningham. Phys. Rev. Lett. 65, 2189--2192 (1990)
  9. H. Zhou, H. Polshyn, T. Taniguchi, K. Watanabe, A.F. Young. Nat. Phys. 16, 154--158 (2020)
  10. H. Li, Sh. Li, E.C. Regan, D. Wang, W. Zhao, S. Kahn, K. Yumigeta, M. Blei, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Tongay, A. Zettl, M.F. Crommie, F. Wang. Nature 597, 650--654 (2021)
  11. E.C. Regan, D. Wang, Ch. Jin, M.I.B. Utama, B. Gao, X. Wei, S. Zhao, W. Zhao, Z. Zhang, K. Yumigeta, M. Blei, J.D. Carlstrom, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Tongay, M. Crommie, A. Zettl, F. Wang. Nature 579, 359--363 (2020)
  12. Y. Xu, S. Liu, D.A. Rhodes, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Hone, V. Elser, K.F. Mak, J. Shan. Nature 587, 214--218 (2020)
  13. X. Huang, T. Wang, Sh. Miao, Ch. Wang, Z. Li, Z. Lian, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Okamoto, D. Xiao, S.-F. Shi, Y.-T. Cui. Nat. Phys. 17, 715--719 (2021)
  14. H. Li, Z. Xiang, A.P. Reddy, T. Devakul, R. Sailus, R. Banerjee, T. Taniguchi, K. Watanabe, S. Tongay, A. Zettl, L. Fu, M.F. Crommie, F. Wang. Science 385, 86--91 (2024)
  15. M. Mazars. EPL 110, 26003 (2015)
  16. C. Yannouleas, U. Landman. Phys. Rev. Lett. 82, 5325 (1999)
  17. R. Egger, W. Hausler, C.H. Mak, H. Grabert. Phys. Rev. Lett. 82, 3320 (1999)
  18. V.M. Bedanov, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 49, 2667 (1994)
  19. V.A. Schweigert, F.M. Peeters. Phys. Rev. B 51, 7700 (1995)
  20. M.M. Mahmoodian, Mehrdad M. Mahmoodian, M.V. Entin. Письма в ЖЭТФ 115, 10, 642--649 (2022)
  21. Mehrdad Mahmoodian, M.V. Entin. J. Phys.: Conf. Ser. 2227, 012012 (2022)
  22. Мехрдад М. Махмудиан, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин. ФТТ 65, 10, 1769--1776 (2023)
  23. V.A. Gritsenko. In: Thin Films on Silicon: Electronic and Photonic Applications. World Scientific Press (2016). Ch. 6, p. 273
  24. A. Goda. Electronics 10, 3156 (2021)
  25. V.A. Gritsenko. JETP Lett. 64, 525--530 (1996)
  26. S.S. Shaimeev, V.A. Gritsenko, H. Wong. Appl. Phys. Lett. 96, 263510 (2010)
  27. R. Chitra, T. Giamarchi, P. Le Doussal. Phys. Rev. B 65, 035312 (2001)
  28. A.L. Efros, B.I. Shklovskii. J. Phys. C: Solid State Phys.  8, 4, L49 (1975)
  29. A.L. Efros. J. Phys. C: Solid State Phys. 9, 2021 (1976)
  30. B.I. Shklovskii. Low Temperature Physics 50 (12), 1101--1112 (2024)