Вышедшие номера
Синтез, кристаллическая структура, фазовые превращения и диэлектрическая релаксация в модифицированной La3+ керамике Sr0.5Ba0.5Nb2O6
Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, проект государственного задания ЮНЦ РАН , 125011400232-3
Макинян Н.В. 1, Буланова А.Л.2, Заболотный А.А. 2, Павленко А.В. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: norair.makinyan@yandex.ru
Поступила в редакцию: 10 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 18 июля 2025 г.
Принята к печати: 19 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2025 г.

Проведены исследования кристаллической структуры, диэлектрических и сегнетоэлектрических характеристик керамики Sr0.5Ba0.5Nb2O6, модифицированной на стадии синтеза сверх стехиометрии 1 wt.% (массовый процент) La2O3 (SBN50-La). Показано, что керамика является беспримесной, катионы La3+ встраиваются в позиции A1, а параметры тетрагональной элементарной ячейки равны a=12.4800 Angstrem, c=3.9354 Angstrem. При анализе зависимостей ε'(T,f) и ε''(T,f) образца установлено, что SBN50-La является сегнетоэлектриком-релаксором. Показано, что в диэлектрическом отклике керамики SBN50-La при T=83-493 K и f=20-106 Hz присутствует вклад от трех релаксационных процессов. Механизмы этих процессов обсуждаются. Ключевые слова: ниобат бария-стронция, диэлектрические свойства, сегнетоэлектрик-релаксор, диэлектрическая релаксация.
  1. M.E. Lines, A.M. Glass. Principles and applications of ferroelectrics and related materials. Oxford university press, 2001
  2. A.K. Bain, P. Chand. Ferroelectrics: Principles and applications, John Wiley \& Sons, Inc. (2017)
  3. Y. Chen, D. Zhang, Z. Peng, M. Yuan, X. Ji. Front. Mater. 8, 7, 1 (2021)
  4. T. Bian, T. Zhou, Y. Zhang. Energies 15, 22, 8442 (2022)
  5. R.B. Maciolek, S.T. Liu. J. Electron. Mater. 4, 3, 517 (1975)
  6. A.M. Glass. J. Appl. Phys. 40, 12, 4699 (1969)
  7. T. Lukasiewicz, M.A. Swirkowicz, J. Dec, W. Hofman, W. Szyrski. J. Cryst. Growth 310, 7-9, 1464 (2008)
  8. A.M. Glass. Appl. Phys. Lett. 13, 4, 147 (1968)
  9. S. Ivanov, E.G. Kostsov. IEEE Sens. J. 20, 16, 9011 (2020)
  10. S. Gupta, S. Sharma, T. Ahmad, A.S. Kaushik, P.K. Jha, V. Gupta, M. Tomar. Mater. Chem. Phys. 262, 124300 (2021)
  11. P.B. Jamieson, S.C. Abrahams, J.L. Bernstein. J. Chem. Phys. 48, 11, 5048 (1968)
  12. Т.С. Черная, Б.А. Максимов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева, В.И. Симонов. ФТТ 42, 9, 1668 (2000)
  13. S. Podlozhenov, H.A. Graetsch, J. Schneider, M. Ulex, M. Wohlecke, K. Betzler. Acta Crystallogr. Sect. B Struct. Sci. 62, 6, 960 (2006)
  14. S.T. Liu, A.S. Bhalla. Ferroelectrics 51, 1, 47 (1983)
  15. M. Said, T.S. Velayutham, W.H. Abd Majid. Ceram. Int. 43, 13, 9783 (2017)
  16. Y. Li, J. Liu, Y. Zhang, Y. Zhou, J. Li, W. Su, J. Zhai, H. Wang, C. Wang. Ceram. Int. 42, 1, 1128 (2016)
  17. S.T. Liu, R.B. Maciolek, J.D. Zook, B. Rajagopalan. Ferroelectrics 87, 1, 265 (1988)
  18. K. Buse, R. Pankrath, E. Kratzig. Opt. Lett. 19, 4, 260 (1994)
  19. M.-H. Li, T.-C. Chong, X.-W. Xu, H. Kumagai. J. Cryst. Growth 225, 2-4, 479 (2001)
  20. K. Umakantham, S.N. Murty, K. Sambasiva Rao, A. Bhanumathi. J. Mater. Sci. Lett. 6, 5, 565 (1987)
  21. J. Portelles, I. Gonzalez, A. Kiriev, F. Calderon, S. Garcia, N. Calzada. J. Mater. Sci. Lett. 12, 23, 1871 (1993)
  22. H. Amori n, F. Guerrero, J. Portelles, I. Gonzalez, A. Fundora, J. Siqueiros, J. Valenzuela. Solid State Commun. 106, 8, 555 (1998)
  23. I.A. Santos, D. Garcia, J.A. Eiras. Ferroelectrics 257, 1, 105 (2001)
  24. Y. Yao, C.L. Mak, K.H. Wong, S. Lu, Z. Xu. Int. J. Appl. Ceram. Technol. 6, 6, 671 (2009)
  25. E.G. Kostsov. Ferroelectrics 314, 1, 169 (2005)
  26. V. Petvrivcek, M. Dusek, L. Palatinus. Zeitschrift Fur Krist. --- Cryst. Mater. 229, 5, 345 (2014)
  27. Т.Р. Волк, В.Ю. Салобутин, Л.И. Ивлева, Н.М. Полозков, Р. Панкрат, М. Вёлеке. ФТТ 42, 11, 2066 (2000)
  28. T.S. Velayutham, N.I.F. Salim, W.C. Gan, W.H. Abd. Majid. J. Alloys Compd. 666, 334 (2016)
  29. L. Wei, Z. Yang, X. Chao, H. Jiao. Ceram. Int. 40, 4, 5447 (2014)
  30. M. Said, T.S. Velayutham, W.C. Gan, W.H. Abd Majid. Ceram. Int. 41, 5, 7119 (2015)
  31. M.A. Mohiddon, K.L. Yadav. J. Phys. D. Appl. Phys. 41, 22, 225406 (2008)
  32. P.K. Patro, A.R. Kulkarni, S.M. Gupta, C.S. Harendranath. Phys. B Condens. Matter 400, 1-2, 237 (2007)
  33. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, Москва (1982)
  34. H. Liu, B. Dkhil. J. Alloys Compd. 929, 167314 (2022)
  35. А.С. Богатин, А.В. Турик. Процессы релаксационной поляризации в диэлектриках с большой сквозной электропроводностью. Феникс, Ростов-на-Дону (2013)
  36. E. Buixaderas, C. Kadlec, M. Kempa, V. Bovtun, M. Savinov, P. Bednyakov, J. Hlinka. J. Dec. Sci. Rep. 7, 1, 18034 (2017)
  37. J. Dec, W. Kleemann, V.V. Shvartsman, D.C. Lupascu, T. ukasiewicz. Appl. Phys. Lett. 100, 5, (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.