Короткодействующая примесь в монослое дихалькогенидов переходных металлов
Витлина Р.З.1, Магарилл Л.И.1, Чаплик А.В.1
1Институт физики полупроводников СО РАН им. А.В. Ржанова, Новосибирск, Россия
Email: ritta@isp.nsc.ru, cchaplik@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 24 июля 2025 г.
Принята к печати: 24 июля 2025 г.
Выставление онлайн: 11 сентября 2025 г.
Теоретически исследованы электронные характеристики короткодействующего примесного центра в монослое дихалькогенидов переходных металлов (ДХПМ). Найдены энергии связанных состояний, сечение рассеяния электронов на центре и вероятность фотоионизации примесного состояния. Найден коэффициент долинной селективности переходов примесь-зона. Ключевые слова: дихалькогениды переходных металлов, короткодействующая примесь, транспортное сечение, фотоионизация.
- A. Kormanyos, G. Burkard, M. Gmitra, J. Fabian, V. Zolyomi, N.D. Drummond, V. Falko. 2D Materials 2, 022001 (2015)
- Felix Rose, M.O. Goerbig. Frederic Piechon. Phys. Rev. B 88, 125438 (2013)
- G. Catarina, J. Have, Fernandez-Rossier, N.M.R. Peres. Phys. Rev. B 99, 125405 (2019)
- V.V. Enaldiev. Phys.Rev. B, 96, 235429 (2017)
- D. Oliveira, J. Fu, L.V. Lelovsky, A.C. Dias, F. Qu. Phys. Rev. B, 93, 205422 (2016)
- F. Qu, A.C. Dias, J. Fu, L. Villegas-Lelovsky, D.L. Azevedo. Scientific Reports. 7, 41044 (2017)
- Di Xiao, Gui-Bin Liu, Wanxiang Feng, Xiaodong Xu, Wang Yao. Phys. Rev. Lett. 108, 196802 (2012)
- F. Stегn, W.E. Howard. Phys. Rev. 163, p. 816 (1967)
- М.Е. Портной. Письма в ЖТФ, 14, 1252 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук