Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2025, выпуск 5 » Статья стр. 805
<<<>>>
Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg0.3Cd0.7Te, легированных индием
Ружевич М.С.1, Мынбаев К.Д.2, Баженов Н.Л.2, Дорогов М.В.1, Варавин В.С.3, Ремесник В.Г.3, Ужаков И.Н.3, Михайлов Н.Н.3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2025 г.
Принята к печати: 22 мая 2025 г.
Выставление онлайн: 21 июня 2025 г.
PDF версия
Приведены результаты исследований оптических свойств пленок Hg0.3Cd0.7Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных индием. Использованы методы оптического отражения и пропускания, а также фотолюминесценции. По данным фотолюминесценции, введение индия привело к образованию донорного уровня с энергией ионизации 10-12 meV. Пленки с концентрацией индия 1016-1017 cm-3 показали устойчивость свойств к термическому отжигу, в том числе, в составе гетерокомпозиции HgTe/Hg0.3Cd0.7Te. При концентрациях индия >1018 cm-3 эта устойчивость теряется из-за взаимодействия примеси с собственными дефектами. Ключевые слова: HgCdTe, легирование, дефекты, фотолюминесценция.
  1. T. Le Goff, T. Pichon, N. Baier, O. Gravrand, O. Boulade. J. Electron. Mater. 51, 10, 5586 (2022)
  2. K.O. Boltar, N.I. Yakovleva. J. Commun. Technol. Electron. 69, 4-6, 173 (2024)
  3. A.A. Dubinov. J. Lumin. 263, 120066 (2023)
  4. V.V. Rumyantsev, K.A. Mazhukina, V.V. Utochkin, K.E. Kudryavtsev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Razova, D.I. Kuritsin, M.A. Fadeev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, F. Teppe, S.V. Morozov. Appl. Phys. Lett. 124, 16, 161111 (2024)
  5. R.S. Verma, S. Choudhary. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 33, 11542 (2022)
  6. R. Sellers, P. Man, Z.E. Khalidi, Z. Ahmad, D. Zangeneh, C. Grein, S. Krishnamurthy, S.-R. Hahn, T. Mlynarski, S. Sivananthan. J. Appl. Phys. 137, 8, 084502 (2025)
  7. А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. Опт. журнал 91, 2, 6 (2024)
  8. М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, А.М. Смирнов, В.В. Бельков, М.В. Томкович, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, Н.Н. Михайлов. ФТТ 67, 1, 22 (2025)
  9. К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП 40, 1, 3 (2006)
  10. В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, Ю.Г. Сидоров, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. ФТП 42, 6, 664 (2008)
  11. Y. Wu, S.-L. Wang, L. Chen, M.-F. Yu, Y.-M. Qiao, L. He. J. Infr. Millim. Waves 20, 3, 174 (2001)
  12. F. Bassani, S. Tatarenko, K. Saminadayar, N. Magnea, R.T. Cox, A. Tardot, C. Grattepain. J. Appl. Phys. 72, 7, 2927 (1992)
  13. X.-H. Zhao, S. Liu, Y. Zhao, C.M. Campbell, M.B. Lassise, Y.-S. Kuo, Y.-H. Zhang. IEEE J. Photovolt. 6, 2, 552 (2016)
  14. В.А. Швец, Н.Н. Михайлов, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий. Опт. Спектроскоп. 127, 8, 318 (2019)
  15. C.R. Becker, T.N. Casselman, C.H. Grein, S. Sivananthan. Chapt. 6.04 in Vol. 6 of Comprehensive Semiconductor Science and Technology / Ed. by P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura. Elsevier, Amsterdam (2011). P. 128
  16. P. Koppel. J. Appl. Phys. 57, 5, 1705 (1985)
  17. С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, Н.Х. Талипов. Автометрия 5, 73 (1998)
  18. Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Р.В. Менщиков, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков. Опт. журнал 91, 2, 76 (2024)
  19. F.-Y. Yue, S.-Y. Ma, J. Hong, P.-X. Yang, C.-B. Jing, Y. Chen, J.-H. Chu. Chin. Phys. B 28, 1, 017104 (2019)
  20. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Ю.Г. Сидоров. ФТП 45, 7, 900 (2011)
  21. J. Prochazka, P. Hli dek, J. Franc, R. Grill, E. Belas, M. Bugar, V. Babentsov, R.B. James. J. Appl. Phys. 110, 9, 093103 (2011)
  22. D. Shaw, P. Capper. Chapt. 14 in Mercury Cadmium Telluride: Growth, Properties, and Applications / Ed. by P. Capper, J. Garland. John Wiley \& Sons Ltd., Chichester (2010). P. 317
  23. K. Majkowycz, K. Murawski, M. Kopytko. Infr. Phys. Technol. 137, 105126 (2024)
  24. М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, М.В. Дорогов, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков. ФТТ 65, 3, 411 (2023)
  25. K.D. Mynbaev, A.M. Smirnov, N.L. Bazhenov, N.N. Mikhailov, V.G. Remesnik, M.V. Yakushev. J. Electron. Mater. 49, 8, 4642 (2020)
  26. M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuat. A--Phys. 339, 113511 (2022)

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme