Вышедшие номера
Графен на ферромагнитном изоляторе EuX (X=O, S, Se, Te)
Давыдов С.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 января 2025 г.
В окончательной редакции: 4 февраля 2025 г.
Принята к печати: 12 февраля 2025 г.
Выставление онлайн: 22 марта 2025 г.

Предложена простая модель плотности состояний EuX, учитывающая зоны p-состояний атомов X, зоны 4f- и 6s-состояний атомов Eu. В рамках этой модели определено влияние подложки на одослойный графен: оказалось, что основную роль играет p-зона X. Получены аналитические выражения для перехода заряда между графеном и халькогенидом европия и намагниченности графена, наведенной зеемановским обменном полем атомов европия. Ключевые слова: адсорбционный подход, уширение и сдвиг состояний графена, переход заряда, намагниченность графена.