Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аномально узкий спектр локализованных состояний в аморфном нитриде кремния
Гос. задание, ИФП СО РАН , FWGW-2021-0003
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Email: nov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 13 сентября 2024 г.
Принята к печати: 17 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 28 октября 2024 г.
Методом термостимулированной деполяризации установлен энергетический спектр локализованных дырочных состояний в аморфном нитриде кремния (Si3N4). Энергия дырочной ловушки составляет величину 1.15 eV. Ширина спектра дырочных локализованных состояний не превышает 10 meV, что меньше kT=26 meV при комнатной температуре. Этот результат указывает на то, что уширение уровня локализованных состояний, за счет отсутствия дальнего порядка в аморфном Si3N4, т. е за счет флуктуаций межатомного расстояния Si-N, тетраэдрического угла N-Si-N и диэдрического угла Si-N-Si, мало. Ключевые слова: термостимулированная деполяризация, нитрид кремния, ловушки, многофононная ионизация.
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах / Под ред. Б.Т. Коломийца Мир, М. (1982)
- Аморфные полупроводники. Под ред. М. Бродский Мир, М. (1982). 421 с
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, М. (1979). 416 с
- В.А. Гриценко. УФН 182, 5, 531 (2012)
- V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B 57, 4, R 2081 (1997)
- A. Goda. Recent Progress on 3D NAND Flash Technologies, Electronics 10, 24, 3156 (2021)
- Е.С. Горнев, И.В. Матюшкин, И.Ф. Калимова. Электронная техника, Серия 3, Микроэлектроника, 2, 182, 33 (2021)
- С.В. Тихов, О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, А.И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis. ФТП 52 (12), 1436 (2018)
- Ф.Ф. Комаров, И.А. Романов, Л.А. Власукова, И.Н. Пархоменко, А.А. Цивако, Н.С. Ковальчук. ЖТФ 91, 1, 139 (2021)
- A.A. Gismatulin, O.M. Orlov, V.A. Gritsenko, V.N. Kruchinin, D.S. Mizginov, G.Ya. Krasnikov. Appl. Phys. Lett. 116, 203502 (2020)
- G. Pacchioni, D. Erbetta. Phys. Rev. B 60, 18, 12617 (1999)
- M. Petersen, Y. Roizin. Appl. Phys. Lett. 89, 5, 053511 (2006)
- M.-E. Grillo, S.D. Elliott. Phys. Rev. B 83, 8, 085208 (2011)
- K. Sonoda, E. Tsukuda, M. Tanizawa, Y. Yamaguchi. J. Appl. Phys. 117, 10, 104501 (2015)
- V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, O.M. Orlov, G.Ya. Krasnikov. Appl. Phys. Lett. 109, 6, 06294 (2016)
- Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko. J. Non-Crystal. Solids 582, 121442 (2022)
- J. Stohr, L. Johansson, I. Lindau, P. Pianetta. Phys. Rev. B 20, 2, 664 (1979)
- В.А. Гриценко. УФН 178, 7, 727 (2008)
- S.-D. Tzeng, S. Gwo. J. Appl. Phys. 100, 2, 023711 (2006)
- E. Lusky, Y. Shacham-Diamand, A. Shappir, I. Bloom, B. Eitan. Appl. Phys. Lett. 85, 4, 669 (2004)
- A. Padovani, L. Larcher, D. Heh, G. Bersuker, V.D. Marca, P. Pavan. Appl. Phys. Lett. 96, 22, 223505 (2010)
- J.G. Simmons, G.W. Taylor. Phys. Rev. B 5, 4, 1619 (1972)
- J. G. Simmons, G. W. Taylor, M. C. Tam. Phys. Rev. B 7, 8, 3714 (1973)
- S.L. Miller, D.M. Fleetwood, P.J. McWhorter. Phys. Rev. Lett. 69, 5, 820 (1992)
- R.C. Hughes. Phys. Rev. Lett. 30, 26, 1333 (1973)
- S.S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 10, 6406 (1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
