Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние термической обработки на мемристивные свойства конденсаторных структур Cu/(Co40Fe40B20)x (SiO2)100-x/LiNbO3/Cr/Cu/Cr
Министерство науки и высшего образования РФ , FZGM-2023_0006
Ситников А.В.
1,2, Калинин Ю.Е.
1, Бабкина И.В.
1, Никонов А.Е.
1, Шакуров А.Р.
1, Копытин М.Н.
1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: sitnikov04@mail.ru, kalinin48@mail.ru, ivbabkina@mail.ru, nikonov.sasha1994@gmail.com, aleks.shakurov@mail.ru, michaelkopitin@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 10 августа 2024 г.
Принята к печати: 11 августа 2024 г.
Выставление онлайн: 28 октября 2024 г.
Представлены результаты исследования влияния термической обработки до 500oC на мемристивные свойства структуры конденсаторного типа Cu/(Co40Fe40B20)35.5(SiO2)64.5/ LiNbO3/Cr/Cu/Cr/Sitall. Показано, что термическая обработка до 350oC в течение 60 min не изменяет циклическую выносливость образцов (>104), увеличивает отношение высокоомного резистивного состояния (Roff) к низкоомному резистивному состоянию (Ron) с 25 в исходном состоянии до 60 в термообработанном и уменьшает значения напряжений резистивного переключения до ±4 V. Термическая обработка также увеличивает стабильность параметров Ron(t), Roff(t). Отжиги при температурах выше 350oC приводят к значительному увеличению напряжений резистивных переключений. Данный процесс определяется значительным (на несколько порядков величины) увеличением rho НК при отжигах в диапазоне температур от 400 до 500oC. Ключевые слова: Резистивное переключение, мемристоры, нанокомпозит, ниобат лития.
- J.S. Lee, S. Lee, T.W. Noh. Appl. Phys. Rev., 2, 031303 (2015)
- D. Ielmini. Semicond. Sci. Technol., 31, 063002 (2016)
- D. Ielmini, R. Waser. Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications. Wiley-VCH Verlag Weinheim, Germany (2016). 755 p
- J. del Valle, J.G. Ramirez, M.J. Rozenberg, I.K. Shuller. J. Appl. Phys., 124, 211101 (2018)
- Y. Li, Z. Wang, R. Midya, Q. Xia, J.J. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 51, 503002 (2018)
- S.G. Kim, J.S. Han, H. Kim, S.Y. Kim, H.W. Jang. Adv. Mater. Technol., 3, 1800457 (2018)
- S.H. Tan, P. Lin, H. Yeon, S. Choi, Y. Park, J. Kim. APL Materials 6, 120901 (2018)
- C. Li, M. Hu, Y. Li, H. Jiang, N. Ge, E. Montgomery, J. Zhang, W. Song, N. Davila, C.E. Graves, Z. Li, J.P. Strachan, P. Lin, Z. Wang, M. Barnell, Q. Wu, R.S. Williams, J.J. Yang, Q. Xia. Nat. Electr., 1, 52 (2018)
- Z. Wang, S. Joshi, S.E. Savel'ev, W. Song, R. Midya, Y. Li, M. Rao, P. Yan, S. Asapu, Y. Zhuo, H. Jiang, P. Lin, C. Li, J.H. Yoon, N. Upadhyay, J. Zhang, M. Hu, J.P. Strachan, M. Barnell, Q. Wu, H. Wu, S. Williams, Q. Xia, J.J. Yang. Nat. Electr., 1, 137 (2018)
- C. Li, D. Belkin, Y. Li, P. Yan, M. Hu, N. Ge, H. Jiang, E. Montgomery, P. Lin, Z. Wang, W. Song, J.P. Strachan, M. Barnell, Q. Wu, R.S. Williams, J.J. Yang, Q. Xia. Nat. Commun., 9, 2385 (2018)
- I. Boybat, M.L. Gallo, S.R. Nandakumar, T. Moraitis, T. Parnell, T. Tuma, B. Rajendran, Y. Leblebici, A. Sebastian, E. Eleftheriou. Nat. Commun., 9, 2514 (2018)
- M.A. Zidan, Y.J. Jeong, J. Lee, B. Chen, S. Huang, M.J. Kushner, W.D. Lu. Nat. Electr., 1, 411 (2018)
- M.A. Zidan, J.P. Strachan, W.D. Lu. Nat. Electr., 1, 22 (2018)
- W. Banerjee, Q. Liu, H. Hwang. J. Appl. Phys., 127, 051101 (2020)
- Y. Zhang, Z. Wang, J. Zhu, Y. Yang, M. Rao, W. Song, Y. Zhuo, X. Zhang, M. Cui, L. Shen, R. Huang, J. Yang. Appl. Phys. Rev., 7, 011308 (2020)
- D. Ham, H. Park, S. Hwang, K. Kim. Nat Electron., 4, 635 (2021)
- Q. Xia, J.J. Yang. Nat. Mater., 18, 309 (2019)
- M. Zhuk, S. Zarubin, I. Karateev, Y. Matveyev, E. Gornev, G. Krasnikov, D. Negrov, A. Zenkevich. Front. Neurosci., 14, 94 (2020)
- A. Mikhaylov, A. Belov, D. Korolev, I. Antonov, V. Kotomina, A. Kotina, E. Gryaznov, A. Sharapov, M. Koryazhkina, R. Kryukov, S. Zubkov, A. Sushkov, D. Pavlov, S. Tikhov, O. Morozov, D. Tetelbaum. Adv. Mater. Technol., 5, 1900607 (2020)
- D.-H. Kwon, K.M. Kim, J.H. Jang, J.M. Jeon, M.H. Lee, G.H. Kim, X.-S. Li, G.-S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C.S. Hwang. Nat. Nanotechnol., 5, 153 (2010)
- J.-Y. Chen, C.-W. Huang, C.-H. Chiu, Y.-T. Huang, W.-W. Wu. Adv. Mater., 27, 5028 (2015)
- H. Jiang, L. Han, P. Lin, Z. Wang, M.H. Jang, Q. Wu, M. Barnell, J.J. Yang, H.L. Xin, Q. Xia. Sci. Rep., 6, 28525 (2016)
- V.V. Rylkov, S. Nikolaev, V.A. Demin, A.V. Emelyanov, A.V. Sitnikov, K.E. Nikiruy, V.A. Levanov, M.Yu. Presnyakov, A.N. Taldenkov, A.L. Vasiliev, K.Yu. Chernoglazov, A. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, A.B. Granovsky, V. Tugushev, A.S. Bugaev. J. Exp. Theor. Phys., 126, 367 (2018)
- V.A. Levanov, A.V. Emel'yanov, V.A. Demin, K.E. Nikirui, A.V. Sitnikov, S.N. Nikolaev, A.S. Vedeneev, Yu.E. Kalinin, V.V. Rylkov. J. Commun. Technol. Electron., 63, 496 (2018)
- K.E. Nikiruy, A.V. Emelyanov, V.A. Demin, A.V. Sitnikov, A.A. Minnekhanov, V.V. Rylkov, P.K. Kashakrov, M.V. Kovalchuk. AIP Advances, 9, 065116 (2019)
- A.V. Emelyanov, K.E. Nikiruy, A.V. Serenko, A.V. Sitnikov, M.Yu. Presnyakov, R.B. Rybka, A.G. Sboev, V.V. Rylkov, P.K. Kashkarov, M.V. Kovalchuk. Nanotechnology, 31, 045201 (2020)
- K.E. Nikiruy, I.A. Surazhevsky, V.A. Demin, A.V. Emelyanov. Phys. Status Solidi A, 217, 18, 1900938 (2020)
- I.A. Surazhevsky, V.A. Demin, A.I. Ilyasov, A.V. Emelyanov, K.E. Nikiruy, V.V. Rylkov, S.A. Shchanikov, I.A. Bordanov, S.A. Gerasimova, D.V. Guseinov, N.V. Malekhonova, D.A. Pavlov, A.I. Belov, A.N. Mikhaylov, V.B. Kazantsev, D. Valenti, B. Spagnolo, M.V. Kovalchuk. Chaos, Solitons and Fractals, 146, 110890 (2021)
- V.V. Rylkov, S.N. Nikolaev, K.Y. Chernoglazov, V.A. Demin, M.Y. Presnyakov, A.L. Vasiliev, V.V. Tugushev, A.B. Granovsky, A.V. Sitnikov, Y.E. Kalinin, N.S. Perov, A.S. Vedeneev. Phys. Rev. B, 95, 14, 144202 (2017)
- А.В. Ситников, И.В. Бабкина, Ю.Е. Калинин, А.Е. Никонов, М.Н. Копытин, А.Р. Шакуров, О.И. Ремизова, Л.И. Янченко. ЖТФ, 92, 9, 1382 (2022)
- А.В. Ситников. Материаловедение, 3, 49 (2010)
- С.А. Гриднев, Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, О.В. Стогней. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНО- И МИКРОГЕТЕРОГЕННЫХ СИСТЕМАХ, ООО "Издательство "БИНОМ. Лаборатория знаний", Москва. (2012), c. 358
- Ю.Е. Калинин, А.Н. Ремизов, А.В. Ситников. ФТТ, 46, 11, 2076 (2004)
- N. Domracheva, M. Caporali, E. Rentschler. Novel Magnetic Nanostructures: Unique Properties and Applications, Elsevier (2018), p. 490
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
