Вышедшие номера
Управление ячейкой SOT-MRAM внешним магнитным полем и током
Островская Н.В. 1, Скиданов В.А. 1, Юсипова Ю.А. 1
1Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, Зеленоград, Москва, Россия
Email: ost.ippm@yandex.ru, skidanov@ippm.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 8 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2024 г.

Построена динамическая система, описывающая динамику намагниченности в элементе магнитной памяти произвольного доступа на основе спинового эффекта Холла. Рассмотрены конфигурация ячейки с перпендикулярной анизотропией активного слоя и динамика намагниченности в слое под действием импульсов зарядового тока и внешнего магнитного поля. Проведен качественный анализ динамической системы. Выявлены состояния равновесия системы и проведена классификация основных динамических режимов. Рассчитана критическая величина тока переключения. Ключевые слова: спинтроника, орбитроника, намагниченность, уравнение Ландау-Лифшица-Гильберта, спиновый эффект Холла, спиновый ток, зарядовый ток, спиновый вращательный момент.