Методом квантово-механического моделирования в рамках теории функционала электронной плотности изучена атомная и электронная структура твердого смачивающего слоя (SWL) Fe в процессе его роста при послойном нанесении (монослой за монослоем) на Si(001). Показано, что атомы Fe в SWL занимают промежутки между атомными рядами вдоль димерных цепочек Si(001)-2x1, а рост Fe происходит путем стратификации SWL двумерными (2D) слоями, верхний из которых имеет структуру и состав, соответственно, при толщине: 1-2 ML - (1x1)-FeSi; 3 ML - (2x2)R45^o-Fe₃Si; 3 ML, 4 ML и 5 ML - (1x1)-Si, (1x1)-FeSi и  (2x1)-Fe₂Si; и  6-7 ML - (1x1)-Fe. В то же время, начиная с толщины d=2 ML, атомы подложки изменяют свою упаковку на гексагональную (с дефектами упаковки). В электронной структуре все это приводит к гибридизации состояний, изменению формы и положения полос с удалением их от уровня Ферми по энергии, заполнению состояний на этом уровне, и, при 2-3 ML, - нивелированию запрещенной зоны на нём до полного ее исчезновения. Ключевые слова: стратификация, упаковка атомов, плотность электронных состояний, квантово-механическое моделирование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.