Вышедшие номера
Структура и диэлектрические свойства тонких пленок ниобата бария-стронция, выращенных на монокристаллических подложках MgO(110) и MgO(001)
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 23-22-00389
Стрюков Д.В. 1, Матяш Я.Ю. 1, Павленко А.В. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: strdl@mail.ru, matyash.ya.yu@gmail.com, tolik_260686@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 17 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.

С использованием метода высокочастотного катодного распыления в атмосфере кислорода на подложках MgO(110) и MgO(001) выращены тонкие пленки Sr0.6Ba0.4Nb2O6 толщиной ~550 nm с предварительно осажденным проводящим слоем SrRuO3 толщиной ~150 nm. Рентгенодифракционные исследования показали, что полученные пленки практически не имеют деформаций элементарной ячейки, при этом на подложке MgO(110) впервые получена пленка ниобата бария-стронция, в которой полярная ось [001] лежит в плоскости сопряжения с подложкой. Показано, что пленки существенно отличаются морфологией поверхности, диэлектрическими и сегнетоэлектрическими свойствами, измеренными в направлении нормали к поверхности подложки. Ключевые слова: тонкие пленки, ниобат бария-стронция, SBN, подложка MgO(110).
  1. M.H. Francombe. Acta Cristallogr. 13, 131 (1960)
  2. Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, М. (1982). 400 с
  3. A.A. Ballman, H. Brown. J. Cryst. Growth 1, 5, 311 (1967)
  4. N.S. VanDamme, A.E. Sutherland, L. Jones, K. Bridger, S.R. Winzer. J. Am. Ceram. Soc. 74, 8, 1785 (1991)
  5. S. Podlozhenov, H.A. Graetsch, J. Schneider, M. Ulex, M. Wohlecke, K. Betzler. Acta Crystallogr. B 62, 960 (2006)
  6. S. Sakamoto, T. Yazaki. Appl. Phys. Lett. 22, 429 (1973)
  7. V.V. Shvartsman, D.C. Lupascu. J. Am. Ceram. Soc. 95, 1, 1 (2012)
  8. E.G. Kostsov. Ferroelectrics 314, 169 (2005)
  9. M. Cuniot-Ponsard. Strontium Barium Niobate Thin Films for Dielectric and Electro-Optic Applications. In Ferroelectrics - Material Aspects / Ed. M. Lallart. InTech, Rijeka, Croatia (2011) P. 497-518
  10. S. Gupta, A. Paliwal, V. Gupta, M. Tomar. Opt. Laser Technol. 122, 105880 (2020)
  11. S. Gupta, A. Paliwal, V. Gupta, M. Tomar. Opt. Laser Technol. 137, 106816 (2021)
  12. S. Ivanov, E.G. Kostsov. IEEE Sens. J. 20, 16, 9011 (2020)
  13. V.N. V'yukhin, S.D. Ivanov. Optoelectron. Instrum. Data Proc. 54, 502 (2018)
  14. S.E. Moon, M.H. Kwak, Y.-T. Kim, H.-C. Ryu, S.-J. Lee, K.-Y. Kang. J. Korean Phys. Soc. 46, 1, 273 (2005)
  15. P.R. Willmott, R. Herger, B.D. Patterson, R. Windiks. Phys. Rev. B 71, 144114 (2005)
  16. А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Л.И. Ивлева, А.П. Ковтун, К.М. Жидель, П.А. Лыков. ФТТ 63, 2, 250 (2021)
  17. J. Koo, J.H. Jang, B.-S. Bae. J. Am. Ceram. Soc. 84, 1, 193 (2001)
  18. Y. Xu, C.J. Chen, R. Xu, J.D. Mackenzie. Phys. Rev. B 44, 35 (1991)
  19. M. Cuniot-Ponsard, J.M. Desvignes, B. Ea-Kim, E. Leroy. J. Appl. Phys. 93, 1718 (2003)
  20. I.M. Beskin, S. Kwon, A.B. Posadas, M.J. Kim, A.A. Demkov. Adv. Photon. Res. 2, 10, 2100111 (2021)
  21. M.J. Nystrom, B.W. Wessels, W.P. Lin, G.K. Wong, D.A. Neumayer, T.J. Marks. Appl. Phys. Lett. 66, 1726 (1995)
  22. V.H. Pedersen, A.B. Blichfeld, K. Bakken, D. Chernyshov, T. Grande, M.-A. Einarsrud. Cryst. Growth Des. 22, 10, 5912 (2022)
  23. M.K. Lee, R.S. Feigelson. J. Cryst. Growth 180, 220 (1997)
  24. T.M. Graettinger, S.H. Rou, M.S. Ameen, O. Auciello, A.I. Kingon. Appl. Phys. Lett. 58, 1964 (1991)
  25. А.В. Павленко, Л.И. Ивлева, Д.В. Стрюков, А.П. Ковтун, А.С. Анохин, П.А. Лыков. ФТТ 61, 2, 376 (2019)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.