Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрические характеристики гетероэпитаксиальных тонких пленок Sr_0.60Ba_0.40Nb₂O₆, выращенных на подложке Pt(001)/MgO(001)

DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56550.192

Министерства науки и высшего образования РФ, Государственное задание в сфере научной деятельности 2023 г., FENW-2023-0010/(ГЗ0110/23-11- ИФ)

Макинян Н.В.^1,2, Павленко А.В.

^1,2

¹Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

²Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия Scientific Research Institute of Physics, Southern Federal University, Rostov-on-Don, Russia

Scientific Research Institute of Physics, Southern Federal University, Rostov-on-Don, Russia

Email: norair.makinyan@yandex.ru, tolik_260686@mail.ru

Поступила в редакцию: 30 августа 2023 г.

В окончательной редакции: 27 сентября 2023 г.

Принята к печати: 28 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведены исследования структуры, микроструктуры поверхности, диэлектрических и сегнетоэлектрических характеристик тонких пленок ниобата бария-стронция Sr_0.60Ba_0.40Nb₂O₆ (SBN60), выращенных на подложке Pt(001)/MgO(001). Показано, что пленки являются беспримесными, монокристаллическими, а по характеру изменения диэлектрических проницаемостей (ε' и ε'') от температуры и частоты измерительного электрического поля - сегнетоэлектриками-релаксорами. Установлено, что в исследуемой пленке температура Бернса равняется 475 K, температура Фогеля-Фулчера - 367 K, а в окрестности T=150 K происходит фазовый переход между двумя сегнетоэлектрическими фазами. Показано, что при комнатной температуре в зависимости от напряженности электрического поля превалирующими механизмами транспорта заряда в пленках SBN60 являются эмиссия Пула-Френкеля и ток, ограниченный пространственным зарядом. Обсуждаются причины выявленных закономерностей. Ключевые слова: диэлектрические характеристики, сегнетоэлектрик-релаксор, тетрагональная вольфрамовая бронза, токи утечки.

К.М. Рабе, Ч.Г. Ана, Ж.-М. Трискона. Физика сегнетоэлектриков: современный взгляд. Лаборатория знаний, М. (2011). 440 с
В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда и физические основы приборов памяти. Параллель, Новосибирск (2017). 352 с
К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Энергоатомиздат, М. (2011). 175 с
S. Gupta, S. Sharma, T. Ahmad, A.S. Kaushik, P.K. Jha, V. Gupta, M. Tomar. Mater. Chem. Phys. 262, 124300 (2021)
S. Ivanov, E.G. Kostsov. IEEE Sensors J. 20, 16, 9011 (2020)
Ю.С. Кузьминов. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. Наука, M. (1982). 400 с
V. Gopal. J. Appl. Phys. 116, 8, 084502 (2014)
G. Velarde, S. Pandya, J. Karthik, D. Pesquera, L.W. Martin. APL Materials 9, 1, 010702 (2021)
C. Zhang, Z. Zeng, Z. Zhu, M. Karami, X. Chen. Phys. Rev. Appl. 14, 6, 064079 (2020)
S. Lee, R.H. Wilke, S. Trolier-McKinstry, S. Zhang, C.A. Randall. Appl. Phys. Lett. 96, 3, 031910 (2010)
H.F. Hung, C.F. Yang, C.C. Wu. Sensors Mater. 29, 4, 397 (2017)
А.В. Павленко, С.П. Зинченко, Д.В. Стрюков, А.П. Ковтун. Наноразмерные пленки ниобата бария-стронция: особенности получения в плазме высокочастотного разряда, структура и физические свойства. ЮНЦ РАН, Ростов на Д. (2022). 244 с
А.В. Павленко, Д.В. Стрюков, Л.И. Ивлева, А.П. Ковтун, К.М. Жидель, П.А. Лыков. ФТТ 63, 2, 250 (2021)
F.-C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Eng. 2014, 1 (2014)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984). Т. 1, 456 с
E. Buixaderas, M. Savinov, M. Kempa, S. Veljko, S. Kamba, J. Petzelt, R. Pankrath, S. Kapphan. J. Phys.: Condens. Matter. 17, 4, 653 (2005)
Y. Zhao, J. Wang, L. Zhang, X. Shi, S. Lui, D. Zhang. Ceram. Int. 42, 15, 16697 (2016). doi.org/10.1016/j.ceramint.2016.07.120
V. Krayzman, A. Bosak, H.Y. Playford, B. Ravel, I. Levin. Chem. Mater. 34, 22, 9989 (2022)
L. Hongbo, D. Brahim. J. Alloys Comp. 929, 167314 (2022)
В.В. Гладкий, В.А. Кириков, С.В. Нехлюдов, Т.Р. Волк, Л.И. Ивлева. Письма в ЖЭТФ 71, 1, 38 (2000)
А.В. Павленко, Д.А. Киселев, Я.Ю. Матяш. ФТТ 63, 6, 776 (2021)
А.В. Павленко, А.П. Ковтун, С.П. Зинченко, Д.В. Стрюков. Письма в ЖТФ 44, 11, 30 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель