Вышедшие номера
Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs
Российский научный фонд, 19-72-20039-П
Санкт-Петербургский государственный университет, 106788664
Санкт-Петербургский государственный университет, 9427165
Григорьева Н.Р.1, Михайлов А.В.2, Храмцов Е.С.2, Игнатьев И.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: n.r.grigorieva@spbu.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2023 г.
Принята к печати: 13 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.

Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.