Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 11 » Статья стр. 1899
<<<>>>
Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs
DOI: 10.61011/FTT.2023.11.56543.201
Российский научный фонд, 19-72-20039-П
Санкт-Петербургский государственный университет, 106788664
Санкт-Петербургский государственный университет, 9427165
Григорьева Н.Р.1, Михайлов А.В.2, Храмцов Е.С.2, Игнатьев И.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: n.r.grigorieva@spbu.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2023 г.
Принята к печати: 13 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.
PDF версия
Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.
  1. J.J. Coleman, P.K. York, K.J. Beernink. Laser Diode Technology and Applications II, 1219, 32 (1990)
  2. П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП 36, 1144 (2002)
  3. Kwang Woong Kim, Jin Dong Song, Won Jun Choi, Jung I Lee. J. Korean Phys. Soc. 49, 1169 (2006)
  4. A. Stohr, O. Humbach, S. Zumkley, G. Wingen, G. David, D. Jager, B. Bollig, E.C. Larkins J.D. Ralston. Opt. Quantum Electron. 25,  S865 (1993)
  5. S.W. Lee, K.U. Chu, S.W. Kim, S. Park, O'D. Kwon, K.W. Goossen, S.S. Pei. Appl. Phys. Lett. 64, 3065 (1994)
  6. L. Tinkler, P.M. Walker, E. Clarke, D.N. Krizhanovskii, F. Bastiman, M. Durska, M.S. Skolnick. Appl. Phys. Lett. 106, 021109 (2015)
  7. D. Ballarini1, M. De Giorgi, E. Cancellieri, R. Houdre, E. Giacobino, R. Cingolani, A. Bramati, G. Gigli, D. Sanvitto1. Nature Commun 4, 1778 (2013)
  8. T. Kuriakose, P.M. Walker, T. Dowling, O. Kyriienko, I.A. Shelykh, P. St-Jean. Nature Photon. 16, 8, 566 (2022). 
  9. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972) 584 с
  10. Chris G. Van de Walle. Phys Rev B 39, 3, 1871 (1989)
  11. D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989)
  12. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
  13. K.W. Boer, U.W. Pohl. Semiconductor Physics. Springer Cham (2018). 1299 p
  14. А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Гупалов. ФТП 31, 1109 (1997)
  15. S.V. Poltavtsev, Yu.P. Efimov, Yu.K. Dolgikh, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, V.V. Ovsyankin. Solid State Commun. 199, 4751 (2014)
  16. E.S. Khramtsov, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, I.V. Ignatiev, S.Yu. Verbin, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, V.V. Petrov, S.L. Yakovlev. J. Appl. Phys. 119, 184301 (2016)
  17. Л.Г. Гречиков, А.В. Субашиев, ФТП 27, 446 (1993)
  18. Р.П. Сейсян, А.В. Кавокин, Kh. Moumanis, М.Э. Сасин. ФТТ 59, 1133 (2017)
  19. Kyu-Seok Lee, El-Hang Lee. ETRI J. 17, 13 (1996)
  20. Kyu-Seok Leea, Chae-Deok Lee, Yongmin Kim, Sam Kyu Noh. Solid State Commun. 128, 177 (2003)
  21. R. Samti, F. Raouafi, M. Chaouach, M. Maaref, A. Sakri, J. Even, J.-M. Gerard, J.-M. Jancu. Appl. Phys. Lett. 101, 012105 (2012)
  22. E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. Alpha Science, Harrow (2005). 427 p
  23. М.М. Воронов, Е.Л. Ивченко, В.А. Кособукин, А.Н. Поддубный. ФТТ 49, 9, 1709 (2007)
  24. E.S. Khramtsov, P.S. Grigoryev, D.K. Loginov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, P.Yu. Shapochkin, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B 99, 035431 (2019)
  25. M.N. Bataev, M.A. Chukeev, M.M. Sharipova, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov. Phys. Rev. B 106, 085407 (2022). 
  26. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1992)
  27. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во С.-Петербургского ун-та, СПб. (2003) 244 с
  28. R. Del Solo, D'Andrea. Optical Switching in Low-dimensional Systems. Plenum Publishing Corporation (1989). 289 p
  29. Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко, А.В. Селькин, ФТТ 48, 11, 1979 (2006)
  30. А.Б. Певцов, С.А. Пермогоров, А.В. Селькин, Н.Н. Сырбу, А.Г. Уманец. ФТП 16, 8, 1399 (1982)
  31. Н.Н. Ахметдиев. ЖЭТФ 79, 1534 (1980)
  32. Xing-Fei He. Phys Rev B 43, 3, 2063 (1991).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme