Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs
Российский научный фонд, 19-72-20039-П
Санкт-Петербургский государственный университет, 106788664
Санкт-Петербургский государственный университет, 9427165
Григорьева Н.Р.1, Михайлов А.В.2, Храмцов Е.С.2, Игнатьев И.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
2Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: n.r.grigorieva@spbu.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 12 сентября 2023 г.
Принята к печати: 13 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.
Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.
- J.J. Coleman, P.K. York, K.J. Beernink. Laser Diode Technology and Applications II, 1219, 32 (1990)
- П.В. Булаев, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, Д.Н. Николаев, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, А.Д. Бондарев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. ФТП 36, 1144 (2002)
- Kwang Woong Kim, Jin Dong Song, Won Jun Choi, Jung I Lee. J. Korean Phys. Soc. 49, 1169 (2006)
- A. Stohr, O. Humbach, S. Zumkley, G. Wingen, G. David, D. Jager, B. Bollig, E.C. Larkins J.D. Ralston. Opt. Quantum Electron. 25, S865 (1993)
- S.W. Lee, K.U. Chu, S.W. Kim, S. Park, O'D. Kwon, K.W. Goossen, S.S. Pei. Appl. Phys. Lett. 64, 3065 (1994)
- L. Tinkler, P.M. Walker, E. Clarke, D.N. Krizhanovskii, F. Bastiman, M. Durska, M.S. Skolnick. Appl. Phys. Lett. 106, 021109 (2015)
- D. Ballarini1, M. De Giorgi, E. Cancellieri, R. Houdre, E. Giacobino, R. Cingolani, A. Bramati, G. Gigli, D. Sanvitto1. Nature Commun 4, 1778 (2013)
- T. Kuriakose, P.M. Walker, T. Dowling, O. Kyriienko, I.A. Shelykh, P. St-Jean. Nature Photon. 16, 8, 566 (2022).
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус, Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972) 584 с
- Chris G. Van de Walle. Phys Rev B 39, 3, 1871 (1989)
- D.J. Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys. 89, 5815 (2001)
- K.W. Boer, U.W. Pohl. Semiconductor Physics. Springer Cham (2018). 1299 p
- А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Гупалов. ФТП 31, 1109 (1997)
- S.V. Poltavtsev, Yu.P. Efimov, Yu.K. Dolgikh, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, V.V. Ovsyankin. Solid State Commun. 199, 4751 (2014)
- E.S. Khramtsov, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, I.V. Ignatiev, S.Yu. Verbin, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, V.V. Petrov, S.L. Yakovlev. J. Appl. Phys. 119, 184301 (2016)
- Л.Г. Гречиков, А.В. Субашиев, ФТП 27, 446 (1993)
- Р.П. Сейсян, А.В. Кавокин, Kh. Moumanis, М.Э. Сасин. ФТТ 59, 1133 (2017)
- Kyu-Seok Lee, El-Hang Lee. ETRI J. 17, 13 (1996)
- Kyu-Seok Leea, Chae-Deok Lee, Yongmin Kim, Sam Kyu Noh. Solid State Commun. 128, 177 (2003)
- R. Samti, F. Raouafi, M. Chaouach, M. Maaref, A. Sakri, J. Even, J.-M. Gerard, J.-M. Jancu. Appl. Phys. Lett. 101, 012105 (2012)
- E.L. Ivchenko. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. Alpha Science, Harrow (2005). 427 p
- М.М. Воронов, Е.Л. Ивченко, В.А. Кособукин, А.Н. Поддубный. ФТТ 49, 9, 1709 (2007)
- E.S. Khramtsov, P.S. Grigoryev, D.K. Loginov, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, P.Yu. Shapochkin, E.L. Ivchenko, M. Bayer. Phys. Rev. B 99, 035431 (2019)
- M.N. Bataev, M.A. Chukeev, M.M. Sharipova, P.A. Belov, P.S. Grigoryev, E.S. Khramtsov, I.V. Ignatiev, S.A. Eliseev, V.A. Lovtcius, Yu.P. Efimov. Phys. Rev. B 106, 085407 (2022).
- K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett. 61, 557 (1992)
- В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. Изд-во С.-Петербургского ун-та, СПб. (2003) 244 с
- R. Del Solo, D'Andrea. Optical Switching in Low-dimensional Systems. Plenum Publishing Corporation (1989). 289 p
- Д.К. Логинов, Е.В. Убыйвовк, Ю.П. Ефимов, В.В. Петров, С.А. Елисеев, Ю.К. Долгих, И.В. Игнатьев, В.П. Кочерешко, А.В. Селькин, ФТТ 48, 11, 1979 (2006)
- А.Б. Певцов, С.А. Пермогоров, А.В. Селькин, Н.Н. Сырбу, А.Г. Уманец. ФТП 16, 8, 1399 (1982)
- Н.Н. Ахметдиев. ЖЭТФ 79, 1534 (1980)
- Xing-Fei He. Phys Rev B 43, 3, 2063 (1991).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
