Представлены результаты исследования влияния отжига на структурную перестройку тонких пленок α- и kappa-Ga₂O₃, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии на c-грани подложки сапфира. Показано, что при отжиге пленки α-Ga₂O₃ в течение 60 min при температуре в области полиморфного перехода 550-575^oС начинается нарушение ее гомогенности, при этом наблюдается частичный полиморфный переход с образованием мелких кристаллитов β-Ga₂O₃. В результате высокотемпературного отжига пленки kappa-Ga₂O₃ на воздухе в течение 30 min при температуре T=850^oС наблюдался переход kappa->β и рекристаллизация исходной пленки в однородную пленку β-Ga₂O₃. Установлено, что полученная пленка преимущественно состоит из взаимно ориентированных доменов. С помощью метода просвечивающей электронной микроскопии установлены ориентационные соотношения между пленкой и сапфировой подложкой. Исследована структура границ между доменами. Ключевые слова: оксид галлия, полиморфизм, полиморфные переходы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.