Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs_1-ySb_y

DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56317.116

Романов В.В.¹, Моисеев К.Д. ¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: mkd@iropt2.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 13 июня 2023 г.

В окончательной редакции: 14 августа 2023 г.

Принята к печати: 13 сентября 2023 г.

Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Узкозонные гетероструктуры InAs/InAsSbP/InAs_0.95Sb_0.05/InAsSbP с различной толщиной тройного твердого раствора были выращены методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках InAs. Спектры фотолюминесценции были получены в широком интервале температур T=4-300 K. Выявлено влияние тройного твердого раствора InAsSb на состав и люминесцентные свойства верхнего наращиваемого эпитаксиального слоя InAs_1-x-ySb_yP_x. Было показано, что соотношение между концентрациями твердой фазы узкозонных и широкозонных бинарных соединений, формирующих четверной твердый раствор, влияет на величину эффективной энергии залегания для центров локализации носителей заряда в запрещенной зоне четверного твердого раствора. Ключевые слова: фотолюминесценция, антимониды, арсениды, излучательные переходы.

И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, В.Е. Уманский, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ 16, 4, 27 (1990)
A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1993)
B. Lane, M. Razeghi. J. Cryst. Growth 221, 679 (2000)
A. Behres, D. Puttjer, K. Heime. J. Cryst. Growth 195, 373 (1998)
J. Devenson, R. Teissier, O. Cathabard, A.N. Baranov. Appl. Phys. Lett. 90, 111118 (2007)
K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Interface lasers with asymmetric band offset confinements. Chapter in book: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics / Ed. A. Krier. Springer. Ser. in Opt. Sci. (2006). P. 219--235
R.M. Biefeld, K.C. Baucom, S.R. Kurtz, D.M. Follstaedt. J. Cryst. Growth 133, 38 (1993)
В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП 48, 6, 753 (2014)
К.Д. Моисеев, В.В. Романов, Ю.А. Кудрявцев. ФТТ 58, 11, 2203 (2016)
B. Lane, Z. Wu, A. Stein, J. Diaz, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett. 74, 3438 (1999)
T. Fukui, Y. Horikoshi. J. Jpn. Appl. Phys. 19, L551 (1980)
C.J. Wu, G. Tsai, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett. 94, 211906 (2009)
К.Д. Моисеев, В.В. Романов. ФТТ 63, 4, 475 (2021)
А.А. Семакова, М.С. Ружевич, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП 56, 9, 876 (2022)
А.А. Семакова, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП 55, 3, 277 (2021)
В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев. ФТП 54, 2, 202 (2020)
T. Smo ka, M. Motyka, V.V. Romanov, K.D. Moiseev. Materials 15, 1419 (2022)
Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. Письма в ЖТФ 39, 23, 87 (2013)
T.J.C. Hosea, M. Merrick, B.N. Murdin. Phys. Status Solidi 202, 7, 123 (2005)
J. Shao, W. Lu, F. Yue, X. Lu, W. Huang, Z. Li, S. Guo. Rev. Sci. Instrum. 78, 1, 13111 (2007)
M. Kurka, M. Dyksik, W. Golletz, M. Sroda, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, M. Motyka. Appl. Phys. Exp. 12, 115504 (2019)
Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data. Ser. III. / Ed. O. Madelung. Springer, Berlin, Heidelberg (1982). 17a. 264 p.; / Ed. K.-H. Hellwege (1987). 22a. 305 p
http://www.matprop.ru/levels/index.php
G. Tsai, D.L. Wang, H.H. Lin. J. Appl. Phys. 104, 023535 (2008)
F.D. Auret, N.A. Bojarczuk, C.P. Schneider. J. Vac. Sci. Tech. B 3, 853 (1985)
D. Bimberg, M. Sondergeld, E. Grobe. Phys. Rev. B 4, 3451 (1971)
M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999)
F. Luckert, M.V. Yakushev, C. Faugeras, A.V. Karotki, A.V. Mudryi, R.W. Martin. J. Appl. Phys. 111, 093507 (2012)
L. Vegard. Z. Phys. 5, 17 (1921)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель