Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 10 » Статья стр. 1707
<<<>>>
Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs1-ySby
DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56317.116
Романов В.В.1, Моисеев К.Д. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 14 августа 2023 г.
Принята к печати: 13 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
PDF версия
Узкозонные гетероструктуры InAs/InAsSbP/InAs0.95Sb0.05/InAsSbP с различной толщиной тройного твердого раствора были выращены методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках InAs. Спектры фотолюминесценции были получены в широком интервале температур T=4-300 K. Выявлено влияние тройного твердого раствора InAsSb на состав и люминесцентные свойства верхнего наращиваемого эпитаксиального слоя InAs1-x-ySbyPx. Было показано, что соотношение между концентрациями твердой фазы узкозонных и широкозонных бинарных соединений, формирующих четверной твердый раствор, влияет на величину эффективной энергии залегания для центров локализации носителей заряда в запрещенной зоне четверного твердого раствора. Ключевые слова: фотолюминесценция, антимониды, арсениды, излучательные переходы.
  1. И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.В. Шерстнев, В.Е. Уманский, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ 16, 4, 27 (1990)
  2. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett. 64, 2480 (1993)
  3. B. Lane, M. Razeghi. J. Cryst. Growth 221, 679 (2000)
  4. A. Behres, D. Puttjer, K. Heime. J. Cryst. Growth 195, 373 (1998)
  5. J. Devenson, R. Teissier, O. Cathabard, A.N. Baranov. Appl. Phys. Lett. 90, 111118 (2007)
  6. K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Interface lasers with asymmetric band offset confinements. Chapter in book: Mid-Infrared Semiconductor Optoelectronics / Ed. A. Krier. Springer. Ser. in Opt. Sci. (2006). P. 219--235
  7. R.M. Biefeld, K.C. Baucom, S.R. Kurtz, D.M. Follstaedt. J. Cryst. Growth 133, 38 (1993)
  8. В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП 48, 6, 753 (2014)
  9. К.Д. Моисеев, В.В. Романов, Ю.А. Кудрявцев. ФТТ 58, 11, 2203 (2016)
  10. B. Lane, Z. Wu, A. Stein, J. Diaz, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett. 74, 3438 (1999)
  11. T. Fukui, Y. Horikoshi. J. Jpn. Appl. Phys. 19, L551 (1980)
  12. C.J. Wu, G. Tsai, H.H. Lin. Appl. Phys. Lett. 94, 211906 (2009)
  13. К.Д. Моисеев, В.В. Романов. ФТТ 63, 4, 475 (2021)
  14. А.А. Семакова, М.С. Ружевич, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП 56, 9, 876 (2022)
  15. А.А. Семакова, В.В. Романов, Н.Л. Баженов, К.Д. Мынбаев, К.Д. Моисеев. ФТП 55, 3, 277 (2021)
  16. В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев, А.А. Пивоварова, Ю.П. Яковлев. ФТП 54, 2, 202 (2020)
  17. T. Smo ka, M. Motyka, V.V. Romanov, K.D. Moiseev. Materials 15, 1419 (2022)
  18. Д.Д. Фирсов, О.С. Комков. Письма в ЖТФ 39, 23, 87 (2013)
  19. T.J.C. Hosea, M. Merrick, B.N. Murdin. Phys. Status Solidi 202, 7, 123 (2005)
  20. J. Shao, W. Lu, F. Yue, X. Lu, W. Huang, Z. Li, S. Guo. Rev. Sci. Instrum. 78, 1, 13111 (2007)
  21. M. Kurka, M. Dyksik, W. Golletz, M. Sroda, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, M. Motyka. Appl. Phys. Exp. 12, 115504 (2019)
  22. Landolt-Bornstein. Handbook. Numerical Data. Ser. III. / Ed. O. Madelung. Springer, Berlin, Heidelberg (1982). 17a. 264 p.; / Ed. K.-H. Hellwege (1987). 22a. 305 p
  23. http://www.matprop.ru/levels/index.php
  24. G. Tsai, D.L. Wang, H.H. Lin. J. Appl. Phys. 104, 023535 (2008)
  25. F.D. Auret, N.A. Bojarczuk, C.P. Schneider. J. Vac. Sci. Tech. B 3, 853 (1985)
  26. D. Bimberg, M. Sondergeld, E. Grobe. Phys. Rev. B 4, 3451 (1971)
  27. M. Leroux, N. Grandjean, B. Beaumont, G. Nataf, F. Semond, J. Massies, P. Gibart. J. Appl. Phys. 86, 3721 (1999)
  28. F. Luckert, M.V. Yakushev, C. Faugeras, A.V. Karotki, A.V. Mudryi, R.W. Martin. J. Appl. Phys. 111, 093507 (2012)
  29. L. Vegard. Z. Phys. 5, 17 (1921)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme