Вышедшие номера
Особенности энергетической структуры эпитаксиального слоя InAsSbP при осаждении на поверхность твердого раствора InAs1-ySby
Романов В.В.1, Моисеев К.Д. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 13 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 14 августа 2023 г.
Принята к печати: 13 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.

Узкозонные гетероструктуры InAs/InAsSbP/InAs0.95Sb0.05/InAsSbP с различной толщиной тройного твердого раствора были выращены методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках InAs. Спектры фотолюминесценции были получены в широком интервале температур T=4-300 K. Выявлено влияние тройного твердого раствора InAsSb на состав и люминесцентные свойства верхнего наращиваемого эпитаксиального слоя InAs1-x-ySbyPx. Было показано, что соотношение между концентрациями твердой фазы узкозонных и широкозонных бинарных соединений, формирующих четверной твердый раствор, влияет на величину эффективной энергии залегания для центров локализации носителей заряда в запрещенной зоне четверного твердого раствора. Ключевые слова: фотолюминесценция, антимониды, арсениды, излучательные переходы.