Вышедшие номера
Влияние упруго-напряженного состояния интерфейсов на магнитоэлектрические свойства слоистых структур ферромагнетик/сегнетоэлектрик
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.06.56110.27H
Российский научный фонд, № 23-43-10004
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований, Т23РНФ-010
Шарко С.А. 1, Серокурова А.И.1, Новицкий Н.Н.1, Поддубная Н.Н.2, Кецко В.А.3, Стогний А.И.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
3Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: sharko@physics.by, aleksa.serokurova@yandex.by, novitski@physics.by, poddubnaya.n@rambler.ru, ketsko@igic.ras.ru, stognij@physics.by
Поступила в редакцию: 17 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 17 апреля 2023 г.
Принята к печати: 11 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2023 г.

В слоистых структурах ферромагнетик/сегнетоэлектрик в виде слоя кобальта, никеля или пермендюра на сегнетоэлектрической подложке цирконата титаната свинца, полученных методом ионно-лучевого распыления - осаждения, относительные деформации, обусловленные рассогласованием кристаллических решеток сопрягаемых материалов на интерфейсе металл/подложка, вносят более заметный вклад в магнитоэлектрический отклик, чем деформации, связанные с магнитострикцией ферромагнитного слоя и с пьезоэффектом сегнетоэлектрической подложки. Полученные структуры отличаются термостабильностью и воспроизводимостью магнитоэлектрических характеристик и могут найти применение в качестве преобразователей магнитных и электрических величин, например, в магнитополевых сенсорах и исполнительных устройствах. Ключевые слова: ионно-лучевое распыление - осаждение; ионно-лучевая планаризация; слои- стые структуры; интерфейс ферромагнетик/сегнетоэлектрик; магнитоэлектрический эффект.