Зарядовая плотность молекул (N_m) в гибридных наноструктурах, формируемых на интерфейсе графена в графеновых полевых транзисторах с жидкими затворными изоляторами (SGFETs), определяет селективный отклик создаваемых на их основе химических и биологических сенсоров. Для оптимизации этого отклика важно установить то, как он зависит от характеристик SGFETs, функционально связанных с N_m, в том числе от квантовой емкости графена (C_q) и от подвижности в нем носителей заряда (μ). Предлагаемая модель отклика показывает, что он мал для затворных напряжений (V_gate), вблизи минимума проводимости графена (точка Дирака) и возрастает с увеличением V_gate при достижении C_q пороговых значений, близких к емкости двойного слоя (C_dl) в SGFETs. Предсказывается также падение отклика при дальнейшем увеличении V_gate для случая более сильной зависимости μ от N_m, чем μ propto 1/N_m. Сопоставление выводов модели с литературными данными для графеновых SGFETs на основе водных растворов лизина согласуется с предположением, что оптимальное для эффективного отклика соотношение C_q~ C_dl достигается при отсчитываемом от точки Дирака напряжении V_gate в диапазоне (0.5-1.4) V. Ключевые слова: графен, гибридные наноструктуры, транзисторные сенсоры, подвижность, интерфейс.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.