Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6 3 на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.12.54401.458 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Email: koti@mail.ioffe.ru, lebedev.sergey@mail.ioffe.ru, wantipov@yandex.ru, shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 11 августа 2022 г.
Принята к печати: 19 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 27 сентября 2022 г.
Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) проведено структурное исследование преобразования реконструкции 6 3 на поверхности подложки 4H-SiC в среде Ar с коротким временем сублимационного отжига, в квазисвободный эпитаксиальный графен, благодаря применению интеркаляции водорода на границе верхнего слоя SiC с соседним реконструированным слоем. Установлено нарушение однородности в образовании слоя реконструкции 63. Проведено сопоставление результатов структурного исследования кристаллической структуры квазисвободного графена и однослойного графена с буферным слоем без применения интеркаляции. Ключевые слова: SiC, реконструкция, интеркаляция, графен, ДБЭО.
- A.J. Van Bommel, J.E. Crombeen, A. Van Tooren. Surf. Sci. 48, 2, 463 (1975)
- K.V. Emtsev, F. Speck, Th. Seyller, L. Ley, J.D. Riley. Phys. Rev. B 77, 15, 155303 (2008)
- J. Jobst, D. Waldmann, F. Speck, R. Hirner, D.K. Maude, T. Seyller, H.B. Weber. Phys. Rev. B 81, 19, 195434 (2010)
- C. Riedl, C. Coletti, T. Iwasaki, A.A. Zakharov, U. Starke. Phys. Rev. Lett. 103, 24, 246804 ( 2009)
- E. Pallecchi, F. Lafont, V. Cavaliere, F. Schopfer, D. Mailly, W. Poirier, A. Ouerghi. Sci. Rep. 4, 1, 1 (2014)
- F. Speck, J. Jobst, F. Fromm, M. Ostler, D. Waldmann, M. Hundhausen, H.B. Weber, Th. Seyller. Appl. Phys. Lett. 99, 122106 (2011)
- S. Tanabe, M. Takamura, Y. Harada, H. Kageshima, H. Hibino. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04EN01 (2014)
- I.A. Eliseyev, A.N. Smirnov, S.P. Lebedev, V.N. Panteleev, P.A. Dementev, J. Pezoldt, G. Hartung, J. Kroger, A.V. Zubov, A.A. Lebedev. Fuller. Nanotub. Carbon Nanostruct., 28, 4, 316 (2020)
- S.P. Lebedev, I.A. Eliseyev, V.N. Panteleev, P.A. Dementev, V.V. Shnitov, M.K. Rabchinskii, D.A. Smirnov, A.V. Zubov, A.A. Lebedev. Semiconductors 54, 1657 (2020)
- X.N. Xie, H.Q. Wang, A.T.S. Wee, K.P. Loh. Surf. Sci. 478, 1-2, 57 (2001)
- X.N. Xie, K.P. Loh. Appl. Phys. Lett. 77, 3361 (2000)
- M.L. Bolen, R. Colby, E.A. Stach, M.A. Capano. J. Appl. Phys. 110, 074307 (2011)
- И.С. Котоусова, С.П. Лебедев, А.А. Лебедев, П.В. Булат. ФТТ 61, 10, 1978 (2019)
- Y.-P. Lin, Y. Ksari, J.-M. Themlin. Nano Res. 8, 839 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
