Приведены результаты исследования незаполненных электронных состояний ультратонких пленок молекул фенолфталеина на поверхности ZnO, приготовленной методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition). Проведена диагностика атомного состава слоя ZnO методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS) и структуры дифракции методом рентгеновских лучей (X-ray diffraction). Обнаружено преобладание содержания атомов О на 5-10%, по сравнению с содержанием атомов Zn. Исследования электронных характеристик структуры ZnO/фенолфталеин проводили методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше E_F в процессе термического вакуумного осаждения пленок фенолфталеина толщиной до 8 nm. Структурной особенностью молекул фенолфталеина является наличие двух гидроксильных функциональных групп. Проведено сравнение TCS-результатов с TCS-результатами, полученными для пленок молекул, представляющих собой остов молекул фенолфталеина без гидроксильных групп. Максимумы тонкой структуры TCS пленок фенолфталеина, расположенные в энергетическом диапазоне от 5 до 8 eV выше E_F можно связать с границами зон π^* электронных состояний. Значения работы выхода поверхности ZnO, сформированной методом ALD, составили 4.2±0.1 eV. Осаждение пленки фенолфталеина привело к снижению работы выхода поверхности на 0.1 eV. Ключевые слова: фенолфталеин, ультратонкие пленки, ZnO, метод молекулярного наслаивания (atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, метод дифракции рентгеновских лучей (X-ray diffraction), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (XPS).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.