Вышедшие номера
Энергия относительного движения электрона и дырки в экситоне во внешнем электрическом поле в пластине GaAs
Санкт-Петербургский государственный университет, 91182694
Логинов Д.К.1, Донец А.В.2
1Лаборатория оптики спина им. И.Н. Уральцева Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: loginov999@gmail.com
Поступила в редакцию: 2 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 24 июня 2022 г.
Принята к печати: 2 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.

Теоретически рассчитана зависимость энергии относительного движения электрона и дырки в экситоне от величины приложенного электрического поля для различных толщин идеальной плоской полупроводниковой пластины. Показано, что вариация толщины пластины существенно влияет на зависимость этой энергии от электрического поля. Эффект должен наблюдаться в пластинах, толщина которых на два десятичных порядка превосходит боровский радиус экситона. Ключевые слова: экситон, электрическое поле, полупроводниковые пластины.