Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний
Зикриллаев Н.Ф.1, Ковешников С.В.1, Турекеев Х.С.1, Норкулов Н.2, Тачилин С.А.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
2Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: axmet-8686@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2022 г.
Принята к печати: 4 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.
Исследовалась диффузия из слоя фосфида галлия GaP, напыленного на поверхность кремния. После диффузии образцы кремния исследовались методом Ван-дер-Пау и с помощью сканирующего электронного микроскопа, с целью определения концентрационного распределения примесных атомов фосфора и галлия. Ключевые слова: диффузия, фосфид галлия, кремний, растворимость, концентрация, бинарные комплексы.
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. ЖТФ 91, 1, 1678 (2021)
- М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. ФТП 56, 2, 199 (2022)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, А.А. Усмонов, Г.Х. Мавлонов. Неорган. материалы 58, 1, 3 (2022)
- К.А. Исмайлов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, Е.Ж. Косбергенов, Б.К. Исмайлов. ФТТ 64, 5, 519 (2022)
- M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, G.Kh. Mavlonov, K.S. Ayupov, S.B. Isamov, S.A. Tachilin. Tech. Phys. 64, 3, 385 (2019)
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев, Г.Х. Мавлонов, С.В. Ковешников, Ш.Н. Ибодуллаев. Электронная обработка материалов 56, 2, 14 (2020)
- S. Adachi. Properties of group-IV, III-V and II-VI semiconductors. John Wiley and Sons Ltd (2005). 400 p
- A.S. Saidov, D.V. Saparov, Sh.N. Usmonov, A. Kutlimuratov, J.M. Abdiev, M. Kalanov, A.Sh. Razzakov, A.M. Akhmedov. Adv. Condens. Matter Phys. Hindawi 2021. Article ID 3472487 (2021). https://doi.org/10.1155/2021/3472487
- Г.М. Зеер, О.Ю. Фоменко, О.Н. Ледяева. Журн. Сибир. федерального ун-та. Химия 4, 2, 287 (2009)
- Д.В. Рязанов. Автореф. канд.дисс. Взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии. Воронеж. гос. техн. ун-т. Воронеж (1998). 18 с
- С.П. Яценко, Л.А. Пасечник, В.М. Скачков, Г.М. Рубинштейн. Галлий: технология получения и применение жидких сплавов. Изд-во РАН, М. (2020). 344 c. ISBN 978-5-907036-93-2
- R. Fornari, A. Brinciotti, A. Sentiri, T. Gorog, M. Curti, G. Zuccalli. J. Appl. Phys. 75, 5, 2406 (1994)
- Е.К. Казенас, Д.М. Чижиков. Давление и состав пара над окислами химических элементов. Наука, М. (1976). 344 c
- M.W. Hwang, M.Y. Um, Y-H. Kim, S.K. Lee, H.J. Kim, W.Y. Park. J. Korean Vacuum Sci. Technol. 4, 3, 73 (2000)
- E. Tannenbaum. Solid State Electronics 2, 2-3, 123 (1961). DOI: 10.1016/0038-1101(61)90029-6
- Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках. Физматгиз, М. (1961). 462 с
- И.И. Новиков. Дефекты кристаллического строения металлов. Металлургия, М. (1975). 207 с
- G. Kaiblinger-Grujin, H. Kosina, S. Selberherr. J. Appl. Phys. 83, 6, 3096 (1998)
- M.K. Bakhadyrkhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, T. Wumaier. Mater. Phys. Chem. 1, 1, 8 (2019). DOI: 10.18282/mpc.v1i1.569
- M.K. Bakhadirkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev. EuroAsian J. Semicond. Sci. Eng. 2, 5, 9 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.