Вышедшие номера
Технология изготовления высококачественных туннельных переходов на основе Nb|Al-AlN|NbN
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.10.54222.49HH
Чекушкин А.М.1, Филиппенко Л.В.1, Фоминский М.Ю.1, Кошелец В.П.1
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Email: chekushkin@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 12 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 13 июля 2022 г.

Представлено описание технологии изготовления туннельных переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник (СИС) высокого качества с предельными характеристиками: значение энергетической щели Vg=3.2-3.4 mV, плотность туннельного тока J до 35 kA/cm2, параметр качества Rj/Rn (отношение подщелевого сопротивления к сопротивлению в нормальном состоянии) до 30, площади переходов до 1 μm2. СИС-переходы включены в микрополосковую линию NbTiN|SiO2|Al. Ключевые слова: cверхпроводниковые устройства, туннельный переход сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, плазмохимическое травление.