Вышедшие номера
Точечные дефекты висмута в кристаллах TlInTe2, электрофизические и диэлектрические свойства твердых растворов
Наджафов А.И. 1, Мадатов Р.С. 2, Халилова К.Г. 1, Искендерова Г.М. 1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: a.najafov@mail.ru, msrahim@mail.ru, xelilova_kemale79@mail.ru, isgenderova06@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 1 марта 2022 г.
Принята к печати: 10 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Комплексными методами физико-химического анализа была исследована фазовая диаграмма TlInTe_2-Bi в концентрационной области 0-10 аt.% Bi, установлена растворимость висмута в TlInTe2 в количестве 5.0 аt.% при комнатной температуре. Проведены исследования электрофизических и диэлектрических свойств твердых растворов (TlInTe_2)1-xBix. На примере состава (TlInTe_2)1-xBix, где x=0.05 показано, что примеси висмута повышают значение проводимости в направлении (001), приводят к изменению типа проводимости кристалла TlInTe2 с дырочной на электронную, сильно повышают значение электрической анизотропии кристалла TlInTe2 rho normal /rho|| более, чем в 103 раз. Наблюдается также влияние примесей висмута на диэлектрические свойства кристаллов TlInTe2. Примеси висмута образуют барьеры на пути движения ионов таллия и повышают температуру фазового перехода в ионно-проводящую фазу (Тi): в кристаллографическом направлении [001] - на 69 K, а в направлении [110] - на 87 K. Ключевые слова: фазовая диаграмма, физико-химический анализ, примесь, тип проводимости, электропроводность, диэлектрическая проницаемость.