Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Точечные дефекты висмута в кристаллах TlInTe2, электрофизические и диэлектрические свойства твердых растворов
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан 
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: a.najafov@mail.ru, msrahim@mail.ru, xelilova_kemale79@mail.ru, isgenderova06@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 1 марта 2022 г.
Принята к печати: 10 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
Комплексными методами физико-химического анализа была исследована фазовая диаграмма TlInTe_2-Bi в концентрационной области 0-10 аt.% Bi, установлена растворимость висмута в TlInTe2 в количестве 5.0 аt.% при комнатной температуре. Проведены исследования электрофизических и диэлектрических свойств твердых растворов (TlInTe_2)1-xBix. На примере состава (TlInTe_2)1-xBix, где x=0.05 показано, что примеси висмута повышают значение проводимости в направлении (001), приводят к изменению типа проводимости кристалла TlInTe2 с дырочной на электронную, сильно повышают значение электрической анизотропии кристалла TlInTe2 rho normal /rho|| более, чем в 103 раз. Наблюдается также влияние примесей висмута на диэлектрические свойства кристаллов TlInTe2. Примеси висмута образуют барьеры на пути движения ионов таллия и повышают температуру фазового перехода в ионно-проводящую фазу (Тi): в кристаллографическом направлении [001] - на 69 K, а в направлении [110] - на 87 K. Ключевые слова: фазовая диаграмма, физико-химический анализ, примесь, тип проводимости, электропроводность, диэлектрическая проницаемость.
- D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 398, 207 (1973)
- Э.Ю. Салаев, К.Р. Аллахвердиев, Ш.Г. Гасымов, Т.Г. Мамедов. Авт. св-во СССР N 1182291 (1984)
- И.Г. Исмаилзаде, О.А. Самедов, Н.А. Эюбова, И.М. Алиев, М.С. Гаджиев, О.А. Амиров. Патент N 4045089, 31 (1986)
- G. Ding, J. He, Z. Cheng, X. Wang, S. Li. J. Mater. Chem. 6, 13269 (2018)
- I. Yucel, S. Cakmak. Suleyman Demirel University Faculty of Arts and Science. J. Sci., 12, 30 (2017)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Н.А. Алиева, Р.Ш. Агаева. ФТП 47, 696 (2013)
- O.Z. Alekperov, A.I. Najafov, E. Nakhmedov, O.A. Samedov, N.A. Aliyeva, G. Jafarova. J. Appl. Phys. 123, 135701-9 (2018)
- O.Z. Alekperov, E. Nakhmedov, A. Najafov, O. Samedov, Kh. Nadirova, V. Gasymov, G.R. Mahmudova. J. Phys. D 53, 035103 (2020)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. ФТП 11, 1441 (2011)
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Наука, М. (1975) 219 с
- А.И. Наджафов, Н.А. Алиева, К.Г. Халилова. ФТТ 9, 1656 (2018)
- М.П. Шаскольская. Кристаллография. Высш. шк., М. (1984). 376 c
- Н.С. Герасимова, Ю.Г. Головачева, Л.А. Московских. Определение микротвердости. КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга (2017) 27 c
- Г.А. Ильинский. Определение плотности минералов. Недра, Л. (1975). 119 c
- В.Ф. Лысов. Практикум по физике полупроводников. Просвещение, М. (1976). 207 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
