Точечные дефекты висмута в кристаллах TlInTe2, электрофизические и диэлектрические свойства твердых растворов
Наджафов А.И.
1, Мадатов Р.С.
2, Халилова К.Г.
1, Искендерова Г.М.
1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: a.najafov@mail.ru, msrahim@mail.ru, xelilova_kemale79@mail.ru, isgenderova06@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 1 марта 2022 г.
Принята к печати: 10 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
Комплексными методами физико-химического анализа была исследована фазовая диаграмма TlInTe_2-Bi в концентрационной области 0-10 аt.% Bi, установлена растворимость висмута в TlInTe2 в количестве 5.0 аt.% при комнатной температуре. Проведены исследования электрофизических и диэлектрических свойств твердых растворов (TlInTe_2)1-xBix. На примере состава (TlInTe_2)1-xBix, где x=0.05 показано, что примеси висмута повышают значение проводимости в направлении (001), приводят к изменению типа проводимости кристалла TlInTe2 с дырочной на электронную, сильно повышают значение электрической анизотропии кристалла TlInTe2 rho normal /rho|| более, чем в 103 раз. Наблюдается также влияние примесей висмута на диэлектрические свойства кристаллов TlInTe2. Примеси висмута образуют барьеры на пути движения ионов таллия и повышают температуру фазового перехода в ионно-проводящую фазу (Тi): в кристаллографическом направлении [001] - на 69 K, а в направлении [110] - на 87 K. Ключевые слова: фазовая диаграмма, физико-химический анализ, примесь, тип проводимости, электропроводность, диэлектрическая проницаемость.
- D. Muller, G. Eulenberger, H. Hahn, Z. Anorg. Allg. Chem. 398, 207 (1973)
- Э.Ю. Салаев, К.Р. Аллахвердиев, Ш.Г. Гасымов, Т.Г. Мамедов. Авт. св-во СССР N 1182291 (1984)
- И.Г. Исмаилзаде, О.А. Самедов, Н.А. Эюбова, И.М. Алиев, М.С. Гаджиев, О.А. Амиров. Патент N 4045089, 31 (1986)
- G. Ding, J. He, Z. Cheng, X. Wang, S. Li. J. Mater. Chem. 6, 13269 (2018)
- I. Yucel, S. Cakmak. Suleyman Demirel University Faculty of Arts and Science. J. Sci., 12, 30 (2017)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Э.К. Гусейнов, Ф.Т. Салманов, Н.А. Алиева, Р.Ш. Агаева. ФТП 47, 696 (2013)
- O.Z. Alekperov, A.I. Najafov, E. Nakhmedov, O.A. Samedov, N.A. Aliyeva, G. Jafarova. J. Appl. Phys. 123, 135701-9 (2018)
- O.Z. Alekperov, E. Nakhmedov, A. Najafov, O. Samedov, Kh. Nadirova, V. Gasymov, G.R. Mahmudova. J. Phys. D 53, 035103 (2020)
- Р.М. Сардарлы, О.А. Самедов, А.П. Абдуллаев, Ф.Т. Салманов, О.З. Алекперов, Э.К. Гусейнов, Н.А. Алиева. ФТП 11, 1441 (2011)
- Н.Х. Абрикосов, В.Ф. Банкина, Л.В. Порецкая, Е.В. Скуднова, С.Н. Чижевская. Наука, М. (1975) 219 с
- А.И. Наджафов, Н.А. Алиева, К.Г. Халилова. ФТТ 9, 1656 (2018)
- М.П. Шаскольская. Кристаллография. Высш. шк., М. (1984). 376 c
- Н.С. Герасимова, Ю.Г. Головачева, Л.А. Московских. Определение микротвердости. КФ МГТУ им. Н.Э. Баумана, Калуга (2017) 27 c
- Г.А. Ильинский. Определение плотности минералов. Недра, Л. (1975). 119 c
- В.Ф. Лысов. Практикум по физике полупроводников. Просвещение, М. (1976). 207 c
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
