Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 5 » Статья стр. 522
<<<>>>
Структура и свойства композитов на основе нитридов алюминия и галлия, выращенных на кремнии разной ориентации с буферным слоем карбида кремния
DOI: 10.21883/FTT.2022.05.52331.250
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.05.53510.250
Российский научный фонд, 20-12-00193.
Шарофидинов Ш.Ш. 1, Кукушкин С.А. 2, Старицын М.В. 3, Солнышкин А.В. 4, Сергеева О.Н. 4, Каптелов Е.Ю. 1, Пронин И.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"--Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей", Санкт-Петербург, Россия
4Тверской государственный университет, Тверь, Россия
Email: culkand@gmail.com, sergey.a.kukushkin@gmail.com, ms_145@mail.ru, a.solnyshkin@mail.ru, o_n_sergeeva@mail.ru, Kaptelov@mail.ioffe.ru, Petrovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 30 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 30 декабря 2021 г.
Принята к печати: 3 января 2022 г.
Выставление онлайн: 21 февраля 2022 г.
PDF версия
Исследованы микроструктура и пироэлектрические свойства композитных эпитаксиальных слоев AlxGa1-xN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si(111) и SiC/Si(110) методом хлорид-гидридной эпитаксии. Обнаружено явление самопроизвольного, в процессе роста слоев, образования системы гетеропереходов, состоящих из периодических расположенных перпендикулярно направлению роста слоев AlxGa1-xN различного состава. Измерения пирокоэффициентов этих гетероструктур показали, что вне зависимости от ориентации исходной подожки Si их пирокоэффициенты имеют близкие значения порядка γ~(0.7-1)·10-10 С/cm2K. Показано, что для повышения величины пиротклика необходимо на поверхность AlxGa1-xN/SiC/Si наносить слой AlN, толщиной превышающий 1 μm. Это приводит к рекордным, для кристаллов и пленок AlN, значениям пирокоэффициента γ~18·10-10 С/cm2K. Ключевые слова: подложки карбида кремния на кремнии, хлорид-гидридная эпитаксия, эпитаксиальные слои AlGaN, нитрид алюминия, нитрид галлия, пироэлектрические свойства.
  1. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh. Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994)
  2. S. Guha, N.A. Bojarczuk. Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
  3. M. Kneissl, Zh. Yang, M. Teepe, C. Knollenberg, O. Schmidt, P. Kiesel, N.M. Johnson, S. Schujman, L.J. Schowalter. J. Appl. Phys. 101, 123103 (2007)
  4. S. Keller, C.S. Suh, Z. Chen, R. Chu, S. Rajan, N.A. Fichtenbaum, M. Furukawa, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra. J. Appl. Phys. 103, 033708 (2008)
  5. P. Dong, J.-C. Yan, J.-X. Wang, Y. Zhang, C. Geng, T.-B. Wei, P.-P. Cong, Y.-U. Zhang, J.-P. Zeng, Y.-D. Tian, L. Sun, Q.F. Yan, J.-M. Li, S.-F. Fan, Z.-X. Qin. Appl. Phys. Lett. 102, 241113 (2013)
  6. W. Guo, Z. Bryan, J.-Q. Xie, R. Kirste, S. Mita, I. Bryan, L. Hussey, M. Bobea, B. Haidet, M. Gerhold, R. Collazo, Z. Sitar. J. Appl. Phys. 115, 103108 (2014)
  7. K. Lee, R. Page, V. Protasenko, L.J. Schowalter, M. Toita, H.G. Xing, D. Jena. Appl. Phys. Lett. 118, 092101 (2021)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 6, 1188 (2008)
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 31, 313001 (2014)
  10. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 8, 1457 (2014).
  11. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. ПЖТФ 36, 11, 17 (2010)
  12. В.Н. Бессолов, Ю.В. Жиляев, Е.В. Коненкова, Л.М. Сорокин, Н.А. Феоктистов, Ш.Ш. Шарофидинов, М.П. Щеглов, С.А. Кукушкин, Л.И. Метс, А.В. Осипов. Опт. журн. 78, 7, 23 (2011)
  13. С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов. ФТТ 61, 12, 2338 (2019)
  14. K. Fujito, Sh. Kubo, H. Nagaoka, T. Mochizuki, H. Namita, S. Nagao. J. Cryst. Growth 311, 10, 3011 (2009)
  15. J.A. Freitas, J.C. Culbertson, N.A. Mahadik, T. Sochacki, M. Iwinska, M.S. Bockowski. J. Cryst. Growth 456, 113 (2016)
  16. P. Muralt. Rep. Prog. Phys. 64, 1339 (2001)
  17. P. Muralt. J. Am. Ceram. Soc. 91, 5, 1385 (2008)
  18. M.S. Shur. Noise in devices and circuits III. Proc. SPIE, 5844, 248 (2005)
  19. С.Ю. Давыдов, О.В. Посредник. ФТТ 58, 4, 630 (2016)
  20. L. Natta, V.M. Mastronardi, F. Guido, L. Algieri, S. Puce, F. Pisano, F. Rizzi, R. Pulli, A. Qualtieri, M. De Vittorio. Sci. Rep. 9, 8392 (2019)
  21. O.N. Sergeeva, A.A. Bogomolov, A.V. Solnyshkin, N.V. Komarov, S.A. Kukushkin, D.M. Krasovitsky, A.L. Dudin, D.A. Kiselev, S.V. Ksenich, S.V. Senkevich, E.Yu. Kaptelov I.P. Pronin. Ferroelectrics 477, 121 (2015)
  22. G.E. Stan, M. Botea, G.A. Boni, I. Pintilie, L. Pintilie. Appl. Surf. Sci. 353, 1195 (2015)
  23. О.Н. Сергеева, А.В. Солнышкин, Д.А. Киселев, Т.С. Ильина, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Ш.Ш. Шарофидинов, Е.Ю. Каптелов, И.П. Пронин. ФТТ 61, 12, 2370 (2019)
  24. С.А. Кукушкин, Ш.Ш. Шарофидинов, А.В. Осипов, А.С. Гращенко, А.В. Кандаков, Е.В. Осипова, К.П. Котляр, Е.В. Убыйвовк, ФТТ 63, 3, 363 (2021)
  25. А.В. Солнышкин, О.Н. Сергеева, О.А. Шустова, Ш.Ш. Шарофидинов, М.В. Старицын, Е.Ю. Каптелов, С.А. Кукушкин, И.П. Пронин. ПЖТФ 47, 20, 7 (2021)
  26. O.A. Shustova, O.N. Sergeeva, A.V. Solnyshkin, I.T. Zezianov, E.Yu. Kaptelov, I.P. Pronin, Sh.Sh. Sharofudinov, S.A. Kukushkin. Ferroelectrics (2022). В печати.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme