Радиационная стойкость кремниевых солнечных элементов, легированных никелем
Исмайлов К.А.1, Кенжаев З.Т.1,2, Ковешников С.В.2, Косбергенов Е.Ж.1, Исмайлов Б.К.2
1Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
2Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: kanatbay.ismailov@gmail.com, zoir1991@bk.ru, koveshnikov_s@mail.ru, ernazar.kosbergenov@gmail.com, i.bairam@bk.ru
Поступила в редакцию: 7 декабря 2021 г.
В окончательной редакции: 7 декабря 2021 г.
Принята к печати: 15 декабря 2021 г.
Выставление онлайн: 21 февраля 2022 г.
Исследовано влияние легирования никелем на радиационную стойкость кремниевых солнечных элементов в интервале доз γ-облучении 105-108 rad. Показано, что диффузионное легирование кремния примесными атомами никеля увеличивает радиационную стойкость параметров кремниевых солнечных элементов. Предполагается, что причиной повышения радиационной стойкости таких солнечных элементов является существование кластеров примесных атомов никеля, которые служат стоками для радиационных дефектов. Ключевые слова: кремний, γ-облучения, никель, кластер, солнечный элемент.
- Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальскин, Г.М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Наука и техника. М. (1978). 232 с
- Sh. Makhkamov, R.A. Muminov, M. Karimov, N.A. Tursunov, A.R. Sattiev, M.N. Erdonov, Kh.M. Kholmedov. Appl. Sol. Energy 49, 2, 62 (2013)
- Sh. Makhkamov, R.A. Muminov, M. Karimov, K.P. Abdurakhmanov, N.A. Tursunov, A.R. Sattiev, M.N. Erdonov, Kh.M. Kholmedov. Appl. Sol. Energy 49, 4, 185 (2013)
- Sh. Makhkamov, M. Karimov, Z.M. Khakimov, N.Dj. Odilov, Sh.A. Makhmudov, A.O. Kurbanov, K.A. Begmatov. Rad. Effects Defects Solids 160, 8, 349 (2005)
- А.В. Заставной, В.М. Король. ФТП 23, 2, 369 (1989)
- Ф.М. Талипов. ФТП 31, 5, 515 (1997)
- Ю.А. Карпов, В.В. Петров, В.С. Просолович, В.Д. Ткачев. ФТП 17, 8, 1530 (1983)
- M.K. Bakhadyrkhanov, Kh.M. Iliev, K.S. Ayupov, B.A. Abdurakhmonov, P.Yu. Krivenko, R.L. Kholmukhamedov. Inorg. Mater. 47, 9, 962 (2011)
- M.K. Bakhadyrkhanov, K.A. Ismailov, B.K. Ismaylov, Z.M. Saparniyazova. SPQEO 21, 4, 392 (2018)
- M.K. Bakhadyrkhanov, B.K. Ismaylov, S.A. Tachilin, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev. SPQEO 23, 4, 361 (2020)
- B.A. Abdurakhmanov, M.K. Bakhadirkhanov, K.S. Ayupov, H.M. Iliyev, E.B. Saitov, A. Mavlyanov, H.U. Kamalov. Nanosci. Nanotechnol. 4, 2, 23 (2014)
- K.M. Iliev, Z.M. Saparniyazova, K.A. Ismailov, O.E. Sattarov, S. Nigmonkhadzhaev. Surf. Eng. Appl. Electrochem. 47, 5, 385 (2011). DOI: 10.3103/s1068375511050103
- S.S. Nasriddinov. J. nano-and Electron. Phys. 7, 3, 5 (2015)
- C.З. Зайнабидинов, А.О. Курбанов. Узбек. физ. журн. 20, 2, 105 (2018)
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников. Письма в ЖТФ 45, 19, 3 (2019)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев. ЖТФ 91, 6, 981 (2021)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, К.С. Аюпов, Е.Ж. Косбергенов. ФТП 56, 1, 128 (2022)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, К.А. Исмайлов, С.В. Ковешников. Гелиотехника 56, 4, 322 (2020)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, Х.С. Турекеев, Б.О. Исаков, А.А. Усмонов. ЖТФ 91, 11, 1685 (2021)
- V.V. Lukjanitsa. Semiconductors 37, 4, 404 (2003). DOI: https://doi.org/10.1134/1.1568459
- A.A. Istratov, P. Zhang, R.J. McDonald, A.R. Smith, M. Seacrist, J. Moreland, J. Shen, R. Wahlich, E.R. Weber. J. Appl. Phys. 97, 023505 (2005). DOI: 10.1063/1.1836852
- J. Lindroos, D.P. Fenning, D.J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, T. Buonassisi. J. Appl. Phys. 113, 204906 (2013). DOI: 10.1063/1.4807799
- Б.К. Исмайлов, А.Б. Камалов, Д.Ж. Асанов. Приборы 252, 6, 25 (2021)
- M.K. Бахадирханов, Б.К. Исмайлов. Приборы 240, 6, 44 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
