Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрические и оптические свойства кубических монокристаллов SiC, GeC и SnC: модельные оценки
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.01.52490.193 
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.
Принята к печати: 26 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2021 г.
В рамках модели связывающих орбиталей Харрисона для кубических карбидов элементов IV группы получены аналитические выражения для высоко- и низкочастотных диэлектрических восприимчивостей и проницаемостей, линейного электрооптического коэффициента, фотоупругих постоянных и зависимостей диэлектрических проницаемостей от давления. Ключевые слова: диэлектрические восприимчивости и проницаемости, линейный электрооптический коэффициент, фотоупругие постоянные.
- А.А. Лебедев, П.А. Иванов, М.Е. Левинштейн, Е.Н. Мохов, С.С. Нагалюк, А.Н. Анисимов, П.Г. Баранов. УФН 189, 8, 803 (2019)
- M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe. Wiley, N. Y. (2001)
- R. Pandey, M. Rerat, M.C. Darrigan, M. Causa. J. Appl. Phys. 88, 11, 6462 (2000)
- A. Benzair, H. Aourag. Phys. Status Solidi B 231, 2, 411 (2002)
- W. Sekkal, A. Zaoui. New J. Phys. 4, 1, 9 (2002)
- A. Mahmood, L.E. Sansores. J. Mater. Res. 20, 5, 1101 (2005)
- A. Hao, X. Yang, X. Wang, Y. Zhu, X. Liu, R. Liu. J. Appl. Phys. 108, 6, 063531 (2010)
- R. Muthaiah, J. Garg. arXiv: 2107.04596
- У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Мир, М. (1983). Т. 1
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B 27, 6, 3592 (1983)
- W.A. Harrison. Phys. Rev. B 31, 4, 2121 (1985)
- С.Ю. Давыдов, Е.И. Леонов. ФТТ 30, 5, 1326 (1988)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 10, 3044 (1995)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987)
- Ю.И. Сиротин, М.П. Шаскольская. Основы кристаллофизики. Наука, М. (1975)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП 31, 7, 823 (1997)
- С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТП 32, 9, 1057 (1998)
- F. Bechstedt, W.A. Harrison. Phys. Rev. B 39, 8, 5041 (1989)
- С.П. Никаноров, Б.К. Кардашов. Упругость и дислокационная неупругость кристаллов. Наука, М. (1985)
- Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978)
- Ю.М. Басалаев, Е.Н. Малышева. ФТП 51, 647 (2017)
- P. Lou, J.Y. Lee. ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 12, 14289 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
