Вышедшие номера
Зависимость подвижности носителей заряда в гибридных наноструктурах на интерфейсе графена с молекулярными ионами от их зарядовой плотности
Российский научный фонд, 21-72-20038
Бутко А.В.1, Бутко В.Ю.1, Кумзеров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 11 июня 2021 г.
Принята к печати: 12 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2021 г.

Гибридные наноструктуры с развитым интерфейсом между наноструктурными компонентами играют важную роль в современной электронике. В том числе, гибридные наноструктуры, формируемые на интерфейсе графена с ансамблями молекулярных ионов в графеновых полевых транзисторах (GFETs) с жидкими затворными изоляторами, перспективны для создания химических и биологических сенсоров. Поэтому изучение влияния интерфейса на электрический транспорт в таких системах представляет большой интерес. Настоящая работа направлена на теоретическое исследование зависимости подвижности носителей заряда (μ) в таких наноструктурах от плотности интерфейсных молекулярных ионов (Nii). Установлено, что зависимость μ propto 1/(Nii)1/2, полученная в модели свободных носителей заряда в графене при условии их слабой связи с интерфейсными ионами для короткодействующих сил рассеяния, удовлетворительно описывает экспериментальные транзисторные характеристики при высоких напряжениях на затворе. Ключевые слова: графен, гибридные наноструктуры, транзисторы, подвижность, интерфейс.
  1. P.K. Ang, W. Chen, A.T.S. Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 44, 14392 (2008)
  2. H. Li, Y. Zhu, M.S. Islam, M.A. Rahman, K.B. Walsh, G. Koley. Sens. Actuators B Chem. 253, 759 (2017)
  3. M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.-S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 17, 7540 (2015)
  4. N.S. Green, M.L. Norton. Anal. Chim. Acta 853, 127 (2015)
  5. S. Taniselass, M.K.M. Arshad, S.C.B. Gopinath. Biosens. Bioelectron. 130, 276 (2019)
  6. X. You, J.J. Pak, Sens. Actuators B 202, 1357 (2014)
  7. A.V. Butko, V.Y. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, V.Y. Davydov, I.A. Eliseyev, Y.A. Kumzerov. J. Appl. Phys. 128, 21, 215302 (2020)
  8. A.V. Butko, V.Yu. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, Yu.A. Kumzerov. Phys. Solid State 60, 12, 2668 (2018)
  9. A.V. Butko, V.Y. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, Y.A. Kumzerov. Appl. Surf. Sci. 444, 36 (2018)
  10. A.V. Butko, V.Yu. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, Y.A. Kumzerov. Phys. Solid State 59, 10, 2089 (2017)
  11. A.V. Butko, V.Yu. Butko, S.P. Lebedev, A.N. Smirnov, V.Yu. Davydov, A.A. Lebedev, Yu.A. Kumzerov. Phys. Solid State 58, 7, 1483 (2016)
  12. A.V. Butko, V.Yu. Butko. Phys. Solid State 57, 5, 1048 (2015)
  13. M. Dankerl, M.V. Hauf, A. Lippert, L.H. Hess, S. Birner, I.D. Sharp, A. Mahmood, P. Mallet, J. Veuillen, M. Stutzmann, J.A. Garrido. Adv. Funct. Mater. 20, 18, 3117 (2010)
  14. J.L. Tedesco, B.L. VanMil, R.L. Myers-Ward, J.M. Mc Crate, S.A. Kitt, P.M. Campbell, G.G. Jernigan, J.C. Culbertson, C.R. Eddy, D.K. Gaskill. Appl. Phys. Lett. 95, 12, 122102 (2009)
  15. A. Browning, N. Kumada, Y. Sekine, H. Irie, K. Muraki, H. Yamamoto. Appl. Phys. Exp. 9, 6, 065102 (2016)
  16. S. Adam, E.H. Hwang, V.M. Galitski, S. Das Sarma. PNAS 104, 47, 18392 (2007)
  17. E.H. Hwang, S. Adam, S. Das Sarma. Phys. Rev. Lett. 98, 18, 186806 (2007)
  18. T.A. Petach, K.V. Reich, X. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, B.I. Shklovskii, D. Goldhaber-Gordon. ACS Nano 11, 8, 8395 (2017)
  19. J. Xia, F. Chen, J. Li, N. Tao. Nature Nanotechnology 4, 8, 505 (2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.