Вышедшие номера
Влияние электронного и дырочного допирования на транспортные характеристики халькогенидных систем
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), РФФИ и БРФФИ, 20-52-00005
Романова О.Б.1, Аплеснин C.C.1,2, Удод Л.В.1,2
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Сибирский государственный университет науки и технологий им. М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
Email: rob@iph.krasn.ru, apl@iph.krasn.ru, luba@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 24 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 24 декабря 2020 г.
Принята к печати: 19 января 2021 г.
Выставление онлайн: 10 февраля 2021 г.

Проведены исследования электрических свойств и эффекта Холла в полупроводниковых соединениях Ag0.01Mn0.99S и Tm0.01Mn0.99S в интервале температур 80-400 K в магнитном поле 12 kOe. Установлен механизм проводимости, зависящий от типа допирования и концентрации из вольт-амперных характеристик. При замещении марганца серебром найден моттовский тип, а замещение тулием вызывает омическую проводимость. Из константы Холла найдена подвижность и тип носителей заряда. Ключевые слова: полупроводники, проводимость, константа Холла, подвижность.