Тензостимулированный эффект в легированном и термообработанном кремнии при ориентированной деформации
Маматкаримов О.О.
1, Химматкулов О.
2, Турсунов И.Г.
3,41Наманганский инженерно-технологический институт, Наманган, Узбекистан
2Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
3Чирчикский государственный педагогический институт, Чирчик, Узбекистан
4Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: odiljon_m63@mail.ru, khimmatkulov@mail.ru, ikromjon0804@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 14 января 2021 г.
Выставление онлайн: 10 февраля 2021 г.
Исследован тензостимулированный эффект в термообработанном и легированном кремнии. Показано, что одноосное сжатие по направлению [111] приводит к распаду термодоноров и проявлению гистерезиса в зависимостях удельного сопротивления от величины сжатия. Установлено, что тензостимулированный эффект в компенсированных марганцем образцах кремния обусловлен одновременными изменениями концентрации и подвижности носителей тока. Ключевые слова: деформация, тензосопротивления, кремний, легирование, одноосное.
- M.K. Bakhadirkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, K.S. Ayupov, Kh.V. Iliev, O.E. Sattorov, S.A. Tachilin. Surf. Eng. Appl. Electrochem. 46, 3, 276 (2010)
- M.K. Bakhadirkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov. Semicond. 44, 9, 1145 (2010)
- O.O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I.G. Tursunov. Semicond. 54, 5, 466 (2020)
- S. Zainabidinov, I.G. Tursunov, O. Khimmatkulov. Semicond. 52, 8, 1027 (2018)
- A.V. Fedosov, S.V. Luniov, S.A. Fedosov. Ukr. J. Phys. 55, 3, 322 (2010)
- Ф.В. Федосов, С.В. Лунев, С.А. Федосов. Влияние одноосной упругой деформации на подвижность носителей тока в монокристаллах n-Si при наличии глубоких энергетических уровней. VIII Междунар. конф. "Взаимодействие излучений с твердыми телами" (23-25 сентября 2009 г.) Минск, Беларусь
- Г.П. Гайдар. ФТП 49, 9, 1164 (2015)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, Л.В. Арапкина, Н.Б. Тюрина, А.С. Гуляева, М.Г. Мильвидский. ФТТ 44, 4, 700 (2002)
- И.И. Новак, Г.А. Оганесян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 5, 82 (2007)
- Г.А. Оганесян, И.И. Новак. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 12, 79 (2009)
- В.В. Емцев, Т.Б. Машовец, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП 27, 9, 1545 (1993)
- З.Н. Сальник. Неорган. материалы 31, 11, 1393 (1995)
- В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния. Интерпрес ЛТД, Киев (1997). 240 с
- M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett. 42, 73 (1983)
- P. Wagner, J. Hage, J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 83, 401 (1992)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 473 с
- С.З. Зайнабидинов, О.О. Маматкаримов, И.Г. Турсунов, У. Туйчиев. ФТП 34, 6, 641 (2000)
- I.G. Tursunov. Ukr. J. Phys. 62, 12, 1041 (2017)
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. Электрон. обработка материалов 46, 6, 8 (2011)
- S. Zainabidinov, O.О. Mamatkarimov, I.G. Tursunov, О. Khimmatkulov. Ukr. J. Phys. 62, 11, 957 (2017)
- I.G. Tursunov, O.O. Mamatkarimov, A.A. Okhunov. IIUM Eng. J. 19, 2, 164 (2018)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства полупроводников. Наука, М. (1979). 367 с
- А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон. ФТП 38, 6, 693 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
