Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тензостимулированный эффект в легированном и термообработанном кремнии при ориентированной деформации
Маматкаримов О.О.
1, Химматкулов О.2, Турсунов И.Г.
3,4
1Наманганский инженерно-технологический институт, Наманган, Узбекистан 
2Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
3Чирчикский государственный педагогический институт, Чирчик, Узбекистан
4Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
2Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
3Чирчикский государственный педагогический институт, Чирчик, Узбекистан
4Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Email: odiljon_m63@mail.ru, khimmatkulov@mail.ru, ikromjon0804@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 14 января 2021 г.
Выставление онлайн: 10 февраля 2021 г.
Исследован тензостимулированный эффект в термообработанном и легированном кремнии. Показано, что одноосное сжатие по направлению [111] приводит к распаду термодоноров и проявлению гистерезиса в зависимостях удельного сопротивления от величины сжатия. Установлено, что тензостимулированный эффект в компенсированных марганцем образцах кремния обусловлен одновременными изменениями концентрации и подвижности носителей тока. Ключевые слова: деформация, тензосопротивления, кремний, легирование, одноосное.
- M.K. Bakhadirkhanov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov, K.S. Ayupov, Kh.V. Iliev, O.E. Sattorov, S.A. Tachilin. Surf. Eng. Appl. Electrochem. 46, 3, 276 (2010)
- M.K. Bakhadirkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlonov, S.B. Isamov. Semicond. 44, 9, 1145 (2010)
- O.O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I.G. Tursunov. Semicond. 54, 5, 466 (2020)
- S. Zainabidinov, I.G. Tursunov, O. Khimmatkulov. Semicond. 52, 8, 1027 (2018)
- A.V. Fedosov, S.V. Luniov, S.A. Fedosov. Ukr. J. Phys. 55, 3, 322 (2010)
- Ф.В. Федосов, С.В. Лунев, С.А. Федосов. Влияние одноосной упругой деформации на подвижность носителей тока в монокристаллах n-Si при наличии глубоких энергетических уровней. VIII Междунар. конф. "Взаимодействие излучений с твердыми телами" (23-25 сентября 2009 г.) Минск, Беларусь
- Г.П. Гайдар. ФТП 49, 9, 1164 (2015)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, А.В. Батунина, В.Н. Головина, Л.В. Арапкина, Н.Б. Тюрина, А.С. Гуляева, М.Г. Мильвидский. ФТТ 44, 4, 700 (2002)
- И.И. Новак, Г.А. Оганесян. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 5, 82 (2007)
- Г.А. Оганесян, И.И. Новак. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 12, 79 (2009)
- В.В. Емцев, Т.Б. Машовец, Г.А. Оганесян, К. Шмальц. ФТП 27, 9, 1545 (1993)
- З.Н. Сальник. Неорган. материалы 31, 11, 1393 (1995)
- В.М. Бабич, Н.И. Блецкан, Е.Ф. Венгер. Кислород в монокристаллах кремния. Интерпрес ЛТД, Киев (1997). 240 с
- M. Stavola, J.R. Patel, L.C. Kimerling, P.E. Freeland. Appl. Phys. Lett. 42, 73 (1983)
- P. Wagner, J. Hage, J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Mater. Sci. Forum 83, 401 (1992)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 473 с
- С.З. Зайнабидинов, О.О. Маматкаримов, И.Г. Турсунов, У. Туйчиев. ФТП 34, 6, 641 (2000)
- I.G. Tursunov. Ukr. J. Phys. 62, 12, 1041 (2017)
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. Электрон. обработка материалов 46, 6, 8 (2011)
- S. Zainabidinov, O.О. Mamatkarimov, I.G. Tursunov, О. Khimmatkulov. Ukr. J. Phys. 62, 11, 957 (2017)
- I.G. Tursunov, O.O. Mamatkarimov, A.A. Okhunov. IIUM Eng. J. 19, 2, 164 (2018)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства полупроводников. Наука, М. (1979). 367 с
- А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон. ФТП 38, 6, 693 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
