Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Новый сценарий кинетики зарядки диэлектриков при облучении электронами средних энергий

DOI: 10.21883/FTT.2021.04.50713.246

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-02-00813А

Рау Э.И.¹, Татаринцев А.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Email: rau@phys.msu.ru

Поступила в редакцию: 25 ноября 2020 г.

В окончательной редакции: 25 ноября 2020 г.

Принята к печати: 25 ноября 2020 г.

Выставление онлайн: 9 января 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе критического анализа предшествующих работ по исследованию механизмов зарядки диэлектрических мишеней под воздействием инжекции электронных пучков средних энергий (1-30 keV) выявлено значительное число противоречивых данных в моделях зарядки, как теоретических, так и экспериментальных. Проведена ревизия и упорядочены причинно-следственные связи физического явления зарядки с целью устранения возникших противоречий в трактовке процессов электронной зарядки диэлектриков. После обширных экспериментальных исследований широкого класса диэлектриков установлены общие закономерности кинетики зарядки диэлектрических мишеней в зависимости от количества исходных и радиационно-индуцированных ловушек, плотности тока облучающих электронов j₀ и их энергии E₀. Показано, что вторично-эмиссионные свойства заряженного диэлектрика кардинально отличаются от незаряженного, а коэффициент эмиссии электронов sigma в зависимости от E₀ не является единственно определяющим фактором положительной или отрицательной зарядки. В рассмотрении процессов зарядки впервые включены первичные термализованные электроны, существенно меняющие общую картину зарядки, а также показана ключевая роль в кинетике зарядки плотности образующихся радиационных дефектов. В предложенной модели решающим стабилизирующим эффектом наступления равновесного состояния зарядки является генерируемое при облучении внутреннее электрическое поле F_dip между положительно и отрицательно заряженными слоями в приповерхностной области диэлектрика. Главной движущей силой саморегулирующегося самосогласующегося процесса зарядки диэлектриков при электронном облучении выступает не только коэффициент эмиссии электронов, как общепринято считалось ранее, а формирование электрического поля дипольного слоя зарядов. Это критическое регулирующее поле F_cr порядка 0.5 MV/cm приблизительно одинаково для всех диэлектриков при любых значениях E₀. Ключевые слова: зарядка диэлектриков, радиационное дефектообразование, равновесное состояние зарядки, вторичная электронная эмиссия.

L.B. Schein. Science 316, 1573 (2007)
H. Miyake, K. Nitta, S. Michizono, Y. Saito. J. Vac. Soc. Jpn 50, 378 (2007)
М.И. Панасюк, Л.С. Новиков. Модель космоса. Изд-во КДУ, М. (2007)
И.М. Бронштейн, Б.С. Фрайман. Вторичная электронная эмиссия. Наука, М. (1969)
L. Reimer. Scanning Electron Microscopy: Physics of image formation and microanalysis. Springer, Berlin (1998)
J. Cazaux. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 244, 307 (2006)
J. Cazaux. J. Electr. Spectr. Rel. Phenomena 176, 58 (2010)
A. Melchinger, S. Hofmann. J. Appl. Phys. 78, 6224 (1995)
Е.Н. Евстафьева, Э.И. Рау, В.Н. Милеев, Л.С. Новиков, С.А. Дицман, Р.А. Сеннов. Перспективные материалы 4, 11, (2010)
I.A. Glavatskikh, V.S. Kortov, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 89, 1, 44 (2001)
M. Touzin, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 99, 114110 (2006)
N. Cornet, D. Goeuriot, C. Guerret-Piecourt, D. Juve, D. Treheux, M. Touzin, H.-J. Fitting. J. Appl. Phys. 103, 064110 (2008)
V.V. Aristov, L.S. Kokhanchik, K.P. Meyer, H. Blumtriff. Phys. Status Solidi A 78, 229 (1983)
L. Frank, M. Zadrazil, I. Mullerova. Microchim. Acta 13, 289 (1996)
M. Belhaj, O. Jbara, M.N. Filippov, E.I. Rau, M.V. Andrianov. Appl. Surf. Sci. 177, 58 (2001)
S. Fakhfakh, O. Jbara, M. Belhaj, Z. Fakhfakh, A. Kallel, E.I. Rau. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 21, 137 (2003)
H. Gong, C. Ong. J. Appl. Phys. 75, 449 (1994)
J. Liebault, K. Zarbout, D. Moya-Siesse, J. Bernardini, G. Moya. Appl. Surf. Sci. 9852, 1 (2003)
A. Boughariou, G. Blaise, D. Braga, A. Kallel. J. Appl. Phys. 95, 4117 (2004)
K. Zarbout, A. Ahmed, G. Moya, J. Bernardini, D. Goeuriot, A. Kallel. J. Appl. Phys. 103, 054107 (2008)
K. Said, G. Damamme, A. Ahmed, G. Moya, A. Kallel. Appl. Surf. Sci. 297, 45 (2014)
M. Boubaya, G. Blaise. Eur. Phys. J. Appl. Phys. 37, 79 (2007)
T. Thome, D. Braga, G. Blaise. J. Appl. Phys. 95, 2619 (2004)
S. Le Roy, F. Baudoin, V. Griseri, G. Teyssedre. J. Appl. Phys. 112, 023704 (2012)
B. Raftary, N.V. Budko, C. Voik. J. Appl. Phys. 118, 204101 (2015)
R. Pacaud, T. Paulmier, P. Sarrailh. J. Appl. Phys. 122, 245106 (2017)
N. Chorbel, A. Kallel, G. Damamme. Micron 112, 35 (2018)
J. Liu, H.-B. Zhang, Y.-H. Ding, Z. Yan, J. Tong, Y. Yuan, Q. Zhao. Micron 16, 100 (2019)
Э.И. Рау, А.А. Татаринцев, Е.Ю. Зыкова, И.П. Иваненко, С.Ю. Купреенко, К.Ф. Миннебаев, А.А. Хайдаров. ФТТ 59, 1504 (2017)
E.I. Rau, A.A. Tatarintsev, E.Y. Zykova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 460, 141 (2019)
Е.Н. Евстафьева, Э.И. Рау, А.А. Татаринцев. Вестн. МГУ. Сер. физика и астрономия 34 (2013)
B. Askri, K. Raouadi, R. Renoud, B. Yangui. J. Electrostatic 67, 695 (2009)
M. Kotera, K. Yamaguchi, H. Suga. Jpn J. Appl. Phys. 38, 7176 (1999)
A. Palov, H. Fujii, Yu. Mankelevich, T. Rakhimova, M. Baklanov. Polymer Degradation Stability 97, 802 (2012)
J.P. Vigourous, J.P. Duraud, A. Le Moel, C. Le Gressus. J. Appl. Phys. 57, 5139 (1985)
G. Blaise, C. Le Gressus. AIP Adv. 8, 095228 (2018)
R. Hofmann, J.R. Dennison, C.D. Thomson, J. Albertsen. IEEE Trans. Plasma Sci. 36, 2238 (2008)
R. Hofmann, J.R. Dennison. IEEE Trans. Plasma Sci. 40, 298 (2012)
T. Paulmier, R. Hanna, M. Belhaj et. all. IEEE Trans. Plasma Sci. 41, 3422 (2013)
K. Guerch, T. Paulmier, J.R. Dennison, J. Dekany, P. Lenormand, F. Guillemet-Fritsch. J. Spacecraft Rockets 53, 1100 (2016)
A.I. Titov, S.O. Kucheyev. J. Appl. Phys. 92, 5740 (2002)
R. Renoud, F. Mady, C. Attard, J. Beigarre, J.-P. Ganachaud. Phys. Status Solidi A 201, 2119 (2004)
S.G. Boyev, V.A. Paderin, A.P. Tyutnev. J. Electrostatics 26, 133 (1991)
D.J. DiMaria, E. Cartier, D. Arnold. J. Appl. Phys. 73, 3367 (1993)
В.С. Вавилов, А.С. Кив, О.Р. Ниязова. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Наука, М. (1981). 368 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель