Вышедшие номера
Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs1-ySby/InAsSbP в интервале составов y<0.2
Моисеев К.Д. 1, Романов В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mkd@iropt2.ioffe.ru, romanovvv@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2020 г.
Принята к печати: 18 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 9 января 2021 г.

Гетероструктуры n+-InAs/n0-InAs1-ySby/p-InAsSbP с асимметричными отсечками зон на гетерограницах активной области были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках InAs. В прямой ветви вольтамперных характеристик полученных гетероструктур при низких температурах наблюдались участки с туннельной проводимостью. Проведен расчет зонной энергетической диаграммы двойной гетероструктуры InAs/InAs1-ySby/InAsSbP в диапазоне составов (y<0.2) узкозонной активной области. Было показано, что гетеропереход InAs1-ySby/InAsSbP является гетеропереходом II типа в данном диапазоне составов. Наблюдаемая в эксперименте электролюминесценция для гетероструктур n+-InAs/n0-InAs1-ySby/ p-InAsSbP с активной областью в интервале составов y>0.14 была обусловлена интерфейсными излучательными переходами с участием локализованных дырочных состояний на гетерогранице II типа. Ключевые слова: гетеропереходы, МОГФЭ, электролюминесценция, антимониды, InAs.