Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Проявление квантоворазмерных эффектов в нанокристаллах и аморфных нанокластерах германия в плeнках GeSixOy

DOI: 10.21883/FTT.2020.03.49010.600

Переводная версия: 10.1134/S1063783420030105

РФФИ , 19-07-00367

Гамбарян М.П.¹, Кривякин Г.К.^1,2, Черкова С.Г.¹, Stoffel M.³, Rinnert H.³, Vergnat M.³, Володин В.А.^1,2

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Universite de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNRS B.P., Vandoeuvre-les-Nancy, Cedex, France Université de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNRS, Vandoeuvre-lés-Nancy, Cedex, France

Université de Lorraine, Institut Jean Lamour UMR CNRS, Vandoeuvre-lés-Nancy, Cedex, France

Email: volodin@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 25 сентября 2019 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Плeнки нестехиометрических германосиликатных стeкол двух типов GeO_x[SiO]_(1-x) и GeO_x[SiO₂]_(1-x) были получены высоковакуумным испарением порошков GeO₂ и SiO либо SiO₂, и напылением на холодную подложку Si (001). Исходные и подвергнутые отжигам (550 и 650^oC, 1 h) образцы исследовали методами ИК-спектрокопии, электронной микроскопии, спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолю2минесценции (ФЛ). Из анализа спектров КРС установлено, что в отличие от исходной плeнки GeO[SiO₂], плeнка GeO[SiO] изначально содержала кластеры аморфного германия. По данным электронной микроскопии размер кластеров составлял ~3 nm. ИК-спектроскопия показала наличие в плeнках связей Si-O, Ge-O и Si-O-Ge. После отжига 550^oC в обеих плeнках были обнаружены кластеры аморфного германия, а после отжига 650^oC в них появляются нанокристаллы германия. В исходных плeнках при низких температурах наблюдалась широкая полоса ФЛ с максимумом 1050 nm, вероятно, обусловленная дефектами - вакансиями кислорода и избыточными атомами германия. Отжиги вызывают трансформацию структуры плeнок и меняют вид спектров ФЛ. В плeнках, содержащих нанокластеры германия, наблюдается ФЛ с максимумом 1400-1600 nm. При этом уменьшился сигнал ФЛ от дефектов. Исследована температурная зависимость интенсивности пиков ФЛ, она падала с ростом температуры, но сохранялась при температурах до 200 K. Обсуждается вклад в ФЛ от нанокристаллов германия, формируемых при отжигах. Ключевые слова: германосиликатные стeкла, нанокластеры германия, фотолюминесценция, квантоворазмерный эффект.

Zhenyi Ni, Shu Zhou, Shuangyi Zhao, Wenbing Peng, Deren Yang, Xiaodong Pi. Mater. Sci. Eng. R 138, 85 (2019)
E.G. Barbagiovanni, D.J. Lockwood, P.J. Simpson, L.V. Goncharova. Appl. Phys. Rev. 1, 011302 (2014)
C. Sun, M.T. Wade, Y. Lee, J.S. Orcutt, L. Alloattiet, M.S. Georgas, A.S. Waterman, J.M. Shainline, R.R. Avizienis, Sen Lin, B.R. Moss, R. Kumar, F. Pavanello, A.H. Atabaki, H.M. Cook, A.J. Ou, J.C. Leu, Yu-Hsin Chen, Krste Asanovic, Rajeev J. Ram, Milov s A. Popovic, V.M. Stojanovic. Nature 528, 534 (2015)
Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu, Y. Masumoto. Appl. Phys. Lett. 59, 3168 (1991)
L. Pavesi, L.D. Negro, C. Mazzoleni, G. Franz, F. Priolo. Nature 408, 440 (2000)
В.А. Володин, Е.Б. Горохов, М.Д. Ефремов, Д.В. Марин, Д.А. Орехов. Письма в ЖЭТФ 77, 485 (2003)
Е.Б. Горохов, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.А. Орехов, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский, В.А. Швец, А.Г. Борисов, Е.Д. Ефремов. ФТП 39, 1210 (2005)
X. Wang, L.C. Kimerling, J. Michel, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 102, 131116 (2013)
В.А. Володин, Л.В. Соколов. Письма в ЖЭТФ 101, 455 (2015)
В.А. Володин, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, А.И. Никифоров. Письма в ЖЭТФ 105, 305 (2017)
V. Kveder, M. Badylevich, E. Steinman, A. Izotov, M. Seibt, W. Schroter. Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004)
M. Ardyanian, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Luminescence 129, 729 (2009)
S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Luminescence 207, 209 (2019)
S. Takeoka, K. Toshikiyo, M. Fujii, Shinji Hayashi, Keiichi Yamamoto. Phys. Rev. B 61, 15988 (2000)
A. Nyrow, C. Sternemann, C.J. Sahle, A. Hohl, M. Zschintzsch-Diaset. Nanotechnology 24, 165701 (2013)
X.D. Pi, U. Kortshagen. Nanotechnology 20, 295602 (2009)
V.A. Volodin, D.V. Marin, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Phys. D: Appl. Phys. 46, 275305 (2013)
В.А. Володин, М.П. Гамбарян, А.Г. Черков, В.И. Вдовин, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ 148, 1225 (2015)
V.A. Volodin, M.P. Gambaryan, A.G. Cherkov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Mater. Res. Express 3, 085019 (2016)
V.A. Volodin, A.G. Cherkov, A.Kh. Antonenko, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. Mater. Res. Express 4, 075010 (2017)
M. Ardyanian, H. Rinnert, M. Vergnat. J. Appl. Phys. 100, 113106 (2006)
M. Ardyanian, H. Rinnert, X. Devaux, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett. 89, 011902 (2006)
Д.В. Марин, В.А. Володин, Е.Б. Горохов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, M. Vergnat, J. Koch, B.N. Chichkov. Письма в ЖТФ 36, 102 (2010)
D.V. Marin, V.A. Volodin, H. Rinnert, M. Vergnat. Письма в ЖЭТФ 95, 472 (2012)
A.V. Kolobov. J. Appl. Phys. 87, 2926 (2000)
W. Wihl, M. Cardona, J. Tauc. J. Non-Crystalline Solids 8-10, 172 (1972)
V.A. Volodin, G.N. Kamaev, V.A. Gritsenko, A.A. Gismatulin, A. Chin, M. Vergnat. Appl. Phys. Lett. 114, 233104(1-5) (2019)
J.H. Parker, Jr., D.W. Feldman, M. Ashkin. Phys. Rev. 155, 712 (1967)
V.A. Volodin, D.V. Marin, V.A. Sachkov, E.B. Gorokhov, H. Rinnert, M. Vergnat. ЖЭТФ 145, 77 (2014).
C.T. Kirk. Phys. Rev. B 38, 1255 (1988)
P.G. Pai, S.S. Chao, Y. Takagi, G. Lucovsky. J. Vacuum Sci. Technology A 4, 689 (1986)
В.А. Володин, Zhang Rui, Г.К. Кривякин, А.Х. Антоненко, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat. ФТП 52, 1056 (2018)
M. Seck, R.A.B. Devine, C. Hernandez, Y. Campidelli, J.-C. Dupuy. Appl. Phys. Lett. 72, 2748 (1998)
A.L. Shabalov, M.S. Feldman. Phys. Status Solidi A 83, K11 (1984)
D.A. Jishiashvili, E.R. Kutelia. Phys. Status Solidi B 143, K147 (1987)
L. Rebohle, J. von Borany, R.A. Yankov, W. Skorupa, I.E. Tyschenko, H. Frob, K. Leo. Appl. Phys. Lett. 71, 2809 (1997)
W. Skorupa, L. Rebohle, T. Gebel. Appl. Phys. A 76, 1049 (2003).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель