Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2020, выпуск 2 » Статья стр. 316
<<<>>>
Влияние магнитных частиц Co-CoO на свойства электропереноса в однослойном графене
DOI: 10.21883/FTT.2020.02.48885.587
Переводная версия: 10.1134/S1063783420020134
Государственный комитет по науке и технологиям Республика Беларусь, государственные программы научных исследований «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (задание 3.3.01), договор с БРФФИ Ф18ПЛШГ-005
Объединенный институт ядерных исследований (Россия), контракт № 08626319/182161170–74
Российский научный фонд, № 19-79-30062
Федотова Ю.А. 1, Харченко А.А. 1, Федотов А.К. 1, Чичков М.В. 2, Малинкович М.Д. 2, Конаков А.О. 3,4, Воробьева С.А. 3, Касюк Ю.В. 1, Гуменник В.Э.1, Kula M. 5, Mitura-Nowak M.6, Максименко А.А. 6, Przewoznik J.7, Kapusta Cz.7
1Институт ядерных проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Научно-исследовательский институт физико-химических проблем Белорусского государственного университета, Минск, Беларусь
4Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5The Franciszek Górski Institute of Plant Physiology Polish Academy of Sciences, Krakow, Poland
6Institute of Nuclear Physics Polish Academy of Sciences, Krakow, Poland
7AGH University of Science and Technology, Faculty of Physics and Applied Computer Science, Department of Solid State Physics, Krakow, Poland
Email: julia@hep.by, XaaTM@mail.ru, fedotov@bsu.by, Maxim.chichkov@gmail.com, malinkovich@yandex.ru, artjom7777@gmail.com, vorobyova@bsu.by, julia-nechaj@yandex.ru, gumennik@bsu.by, m.kula@ifr-pan.edu.pl, marzena.mitura-nowak@ifj.edu.pl, Alexey.Maximenko@ifj.edu.pl, januszp@agh.edu.pl, kapusta@agh.edu.pl
Поступила в редакцию: 17 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.
PDF версия
Электрохимическое осаждение кобальта на однослойный CVD-графен приводит к формированию композиционных структур Co-CoO/графен, что вызывает увеличение электросопротивления и магнетосопротивления. Показано, что магнеторезистивный эффект обусловлен двумя конкурирующими вкладами - отрицательным (ОМР) и положительным (ПМР). ОМР в малых магнитных полях описывается локализационной квантовой поправкой к проводимости Друде в графене. Усиление ПМР в сильных магнитных полях связывается с влиянием лоренцевого механизма в частицах Co-CoO. Ключевые слова: графен, кобальт, оксид кобальта, электроперенос.
  1. I.S. Zhidkov, N.A. Skorikov, A.V. Korolev, A.I. Kukharenko, E.Z. Kurmaev, V.E. Fedorov, S.O. Cholakh. Carbon 91, 298 (2015)
  2. P.U. Asshoff, J.L. Sambricio, A.P. Rooney, S. Slizovskiy, A. Mishchenko, A.M. Rakowski, E.W. Hill, A.K. Geim, S.J Haigh, V.I. Fal'ko, I.J. Vera-Marun, I.V. Grigorieva. 2D-Mater. 4, 031004 (2017)
  3. M.Z. Iqbal, M.W. Iqbal, J.H. Lee, Y.S. Kim, S. Chun, J. Eom. NanoResearch 6, 5, 373 (2013)
  4. V.C. De Franco, G.M.B. Castro, J. Corredor, D. Mendes, J.E. Schmidt. Carbon Lett. 21, 16 (2017)
  5. V.G. Bayev, J.A. Fedotova, J.V. Kasiuk, S.A. Vorobyova, A.A. Sohor, I.V. Komissarov, N.G. Kovalchuk, S.L. Prischepa, N.I. Kargin, M. Andruleviv cius, J. Przewoznik, Cz. Kapusta, O.A. Ivashkevich, S.I. Tyutyunnikov, N.N. Kolobylina, P.V. Guryeva. Appl. Surf. Sci. 440, 1252 (2018)
  6. B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitsky. J. Phys. C 15, 7367 (1982)
  7. J. Jobst, D. Waldmann, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin, H.B. Weber. Phys. Rev. Lett. 108, 106601 (2012)
  8. S.V. Morozov, K.S. Novoselov, M.I. Katsnelson, F. Schedin, L.A. Ponomarenko, D. Jiang, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 016801 (2006)
  9. B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Heidelberg, Springer Series in Solid-State Sciences (1984)
  10. B.I. Shklovskii. Semiconductors 6, 1964 (1973)
  11. N. Mikoshiba. J. Phys. Chem. Solids 24, 341 (1963)
  12. S.A. Solin, L.R. Ram-Mohan. Geometry-Driven Magnetoresistance, in Handbook of Magnetism and Advanced Magnetic Materials. American Cancer Society (2007). P. 19
  13. H.M. So, J.H. Mun, G.S. Bang, T.Y. Kim, B.J. Cho, C.W. Ahn. Carbon Lett. 13, 56 (2012)
  14. A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett. 97, 187401 (2006)
  15. V.T. Nguyen, H.D. Le, V.C. Nguyen, T.T.T. Ngo, D.Q. Le, X.N. Nguyen, N.M. Phan. Adv. Nature. Sci.: Nanosci. Nanotechnol. 4, 035012 (2013)
  16. X. Dong, P. Wang, W. Fang, C.-Y. Su, Y.-H. Chen, L.-J. Li, W. Huang, P. Chen. Carbon 49, 3672 (2011)
  17. I. Shlimak, A. Haran, E. Zion, T. Havdala, Yu. Kaganovskii, A.V. Butenko, L. Wolfson, V. Richter, D. Naveh, A. Sharoni, E. Kogan, M. Kaveh. Phys. Rev. B 91, 045414 (2015)
  18. H. Wang, Y. Wang, X. Cao, M. Feng, G. Lan. J. Raman Spectrosc. 40, 1791 (2009)
  19. R. Saito, M. Hofmann, G. Dresselhaus, A. Jorio, M.S. Dresselhaus. Adv. Phys. 60, 413 (2011)
  20. R.D. Gomez, M.C. Shih, R.M.H. New, R.F.W. Pease, R.L. White. J. Appl. Phys. 80, 342 (1996)
  21. R.M.H. New, J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. 13, 1089 (1995)
  22. P. Ares, M. Jaafar, A. Gil, J. Gomez-Herrero, A. Asenjo. Small 11, 4731 (2015)
  23. J. Nogues, J. Sort, V. Langlais, V. Skumryev, S. Surinach, J.S. Munoz, M.D. Baro. Phys. Rep. 422, 65 (2005)
  24. R. Lopez Anton, J.A. Gonzalez, J.P. Andres, J. Canales-Vazquez, J.A. De Toro, J.M. Riveiro. Nanotechnology 25, 105702 (2014)
  25. S. Sako, K. Ohshima, M. Sakai, S. Bandow. Surf. Rev. Lett. 3, 109 (1996)
  26. K. Takehana, Y. Imanaka, E. Watanabe, H. Oosato, D. Tsuya, Y. Kim, Ki-Seok An. Current Appl. Phys. 17, 474 (2017)
  27. V.M. Pudalov. In Proceedings of the International School of Physics "Enrico Fermi" 157, 335 (2004)
  28. E. Zion, A. Haran, A. Butenko, L. Wolfson, Y. Kaganovskii, T. Havdala, A. Sharoni, D. Naveh, V. Richter, M. Kaveh, E. Kogan, I. Shlimak. Graphene 4, 45 (2015)
  29. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП 23, 3 (1989)
  30. V.K. Tewary, B. Yang. Phys. Rev. B 79, 125416 (2009)
  31. F.V. Tikhonenko, D.W. Horsell, R.V. Gorbachev, A.K. Savchenko. Phys. Rev. Lett. 100, 056802 (2008)
  32. N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic processes in non-crystalline materials. 2nd ed. Oxford University Press (1979). 580
  33. R.V. Gorbachev, F.V. Tikhonenko, A.S. Mayorov, D.W. Horsell, A. Savchenko. Phys. Rev. Lett. 98, 176805 (2007)
  34. K. Kechedzhi, E. Mccann, V.I. Fal'ko, H. Suzuura, T. Ando, B.L. Altshuler. Eur. Phys. J. Spec. Top. 148, 39 (2007)
  35. E. McCann, K. Kechedzhi, V.I. Fal'ko, H. Suzuura, T. Ando, B.L. Altshuler. Phys. Rev. Lett. 97, 146805 (2006)
  36. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Mod. Probl. Condens. Matter Sci. 10, 1 (1985)
  37. R. Oppermann, M.J. Schmidt, D. Sherrington. Phys. Rev. Lett. 98, 127201 (2007)
  38. A.V. Germanenko, G.M. Minkov, O.E. Rut. Phys. Rev. B 64, 165404 (2001)
  39. C.W.J. Beenakker, H.V. Houten. Solid State Phys. 44, 1 (1991)
  40. B.L. Altshuler, D. Khmel'nitzkii, A.I. Larkin, P.A. Lee. Phys. Rev. B 22, 5142 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme