Вышедшие номера
Диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO2 на Al в THz-IR-диапазоне
Переводная версия: 10.1134/S1063783420020158
Командин Г.А.1, Ноздрин В.С.1, Пронин А.А.1, Породинков О.Е.1, Анзин В.Б.1, Спектор И.Е.1
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: oleg.porodinkov@yandex.ru
Поступила в редакцию: 16 сентября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 января 2020 г.

Создание новых диэлектрических материалов для изолирующих слоев межсоединений с низкими потерями на высоких частотах (low-k) является одним из магистральных направлений современной микроэлектроники. В настоящее время проводятся исследования различных модификаций стандартных для современных интегральных схем диэлектрических структур на основе SiO2, различающихся по составу и морфологическим характеристикам. В данной работе методами терагерцовой (THz) и IR-спектроскопии изучаются диэлектрические потери тонкопленочных образцов SiO2 на Al-подложке. Обнаружены существенные отличия спектров таких структур по сравнению с объемными образцами плавленого кварца, в том числе резонансные моды Берримана. Ключевые слова: диэлектрическая спектроскопия, терагерцовый диапазон, спектрометр с временным разрешением, диэлектрические потери.