Вышедшие номера
Низкотемпературный синтез нанокристаллов alpha-SiC
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120333
Нусупов К.Х.1, Бейсенханов Н.Б.1, Бакранова Д.И.1, Кейнбай С.1, Турахун А.А.1, Султан А.А.1
1Казахстанско-Британский технический университет, Алматы, Казахстан
Email: beisen@mail.ru, rich-famouskair@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Толстые пленки SiCx осаждены на поверхность c-Si радиочастотным магнетронным распылением (150 W, 13.56 MHz, Ar - 2.4 l/h, 0.4 Pa) мишеней графита и кремния. Методом рентгеновской дифракции показано, что быстрый отжиг пленки SiCx, осажденной на поверхности c-Si в течение 3 h, наряду с кубической модификацией карбида кремния beta-SiC приводит к низкотемпературному (970oC) формированию гексагональных структурных фаз alpha-SiC (6H-SiC и др.). Методом ИК-спектроскопии установлено образование зародышей нанокристаллов SiC при энергетическом воздействии ионов радиочастотной плазмы на верхний слой пленки SiC в процессе ее роста. Данные рентгеновской рефлектометрии указывают на высокую плотность пленок до 3.59 g/cm3 вследствие формирования плотных C- и SiC-кластеров в слоях при воздействии радиочастотной плазмы. Ключевые слова: карбид, синтез, низкая температура, нанокристаллы.
  1. J.K.N. Lindner. Appl. Phys. A 77, 27 (2003)
  2. S.J. Zinkle, G.S. Was. Acta Mater. 61, 735 (2013)
  3. D. Chen, S.P. Wong, Sh. Yang, D. Mо. Thin Solid Films 426, 1 (2003)
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  5. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 7, 1188 (2008)
  6. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, I.V. Valitova, K.A. Mit', D.M. Mukhamedshina, E.A. Dmitrieva. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 19, 254 (2008)
  7. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, С.К. Жариков, И.К. Бейсембетов, Б.К. Кенжалиев, Т.К. Ахметов, Б.Ж. Сеитов. ФТТ 56, 11, 2231 (2014)
  8. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 8, 1457 (2014)
  9. С.А. Кукушкин, К.Х. Нусупов, А.В. Осипов, Н.Б. Бейсенханов, Д.И. Бакранова. ФТТ 59, 5, 986 (2017)
  10. S.A. Kukushkin, K.Kh. Nusupov, A.V. Osipov, N.B. Beisenkhanov, D.I. Bakranova. Superlat. Microstruct. 111, 899 (2017)
  11. Y.-H. Joung, H.I. Kang, J.H. Kim, H.-S. Lee, J. Lee, W.S. Choi. Nanoscale Res. Lett. 7, 1, 22 (2012)
  12. Карбид кремния / Под ред. Г. Хенита, Р. Рол. Пер. с англ. Мир, М. (1972). C. 119
  13. C.M. Parish, T. Koyanagi, S. Kondo, Y. Katoh. Sci. Rep. 7, 1198 (2017)
  14. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit', D.M. Mukhamedshina, Z.M. Amreyeva, Z.B. Omarova. High Temper. Mater Proc. 14, 1, 193 (2010)
  15. Handbook of Mineralogy, Mineralogical Society of America, Chantilly / Eds J.W. Anthony, R.A. Bideaux, K.W. Bladh, C.N. Monte. VA 20151-1110, USA. http://www.handbookofmineralogy.com/pdfs/moissanite.pdf or http://www.handbookofmineralogy.org/
  16. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov. In: Silicon carbide --- Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Ed. M. Mukherjee. InTech. Rijeca, Croatia (2011). Chap. 4. P. 69
  17. H. Mutschke, A.C. Andersen, D. Clement, Th. Henning, G. Peiter. Astron. Astrophys. 345, 187 (1999)
  18. B.L. Henke, E.M. Gullikson, J.C. Davis. At. Data Nucl. Data Tables 54, 2 (1993). (http://henke.lbl.gov/optical\_constants/)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.