Толстые пленки SiC_x осаждены на поверхность c-Si радиочастотным магнетронным распылением (150 W, 13.56 MHz, Ar - 2.4 l/h, 0.4 Pa) мишеней графита и кремния. Методом рентгеновской дифракции показано, что быстрый отжиг пленки SiC_x, осажденной на поверхности c-Si в течение 3 h, наряду с кубической модификацией карбида кремния beta-SiC приводит к низкотемпературному (970^oC) формированию гексагональных структурных фаз alpha-SiC (6H-SiC и др.). Методом ИК-спектроскопии установлено образование зародышей нанокристаллов SiC при энергетическом воздействии ионов радиочастотной плазмы на верхний слой пленки SiC в процессе ее роста. Данные рентгеновской рефлектометрии указывают на высокую плотность пленок до 3.59 g/cm³ вследствие формирования плотных C- и SiC-кластеров в слоях при воздействии радиочастотной плазмы. Ключевые слова: карбид, синтез, низкая температура, нанокристаллы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.