Вышедшие номера
Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Переводная версия: 10.1134/S1063783419120564
Государственное задание Министерства образования и науки Российской Федерации, 16.9789.2017/БЧ
Сколтех, 3663-МРА, проект 4
Тимошнев С.Н.1, Мизеров А.М.1, Бенеманская Г.В.2, Кукушкин С.А.3, Буравлев А.Д.1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: timoshnev@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
В окончательной редакции: 16 июля 2019 г.
Принята к печати: 25 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2019 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований электронных и фотоэмиссионных свойств эпитаксиального слоя GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке SiC/Si(111). Электронная структура поверхности GaN и ультратонкого интерфейса Li/GaN была впервые исследована in situ в условиях сверхвысокого вакуума при различных покрытиях Li. Эксперименты проводились с использованием фотоэлектронной спектроскопии при синхротронном излучении в диапазоне энергий фотонов 75-850 eV. Спектры фотоэмиссии в области валентной зоны и поверхностных состояний и спектры фотоэмиссии из остовных уровней N 1s, Ga 3d, Li 2s были изучены при различных субмонослойных покрытиях Li. Установлено, что адсорбция Li вызывает существенные изменения в общем виде спектров, вызванные переносом заряда между слоем Li и нижними слоями N и Ga. Установлено, что поверхность GaN имеет преимущественно N-полярность. Показан полупроводниковый характер интерфейса Li/GaN. Ключевые слова: нитрид галлия, структура валентной зоны, фотоэлектронная спектроскопия.
  1. A. Chakraborty, B.A. Haskell, S. Keller, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura, U.K. Mishra. Jpn. J. Appl. Phys. 44, L173 (2005)
  2. S.P. DenBaars, D. Feezell, K. Kelchner, S. Pimputkar, C.C. Pan, C.C. Yen, S. Tanaka, Y. Zhao, N. Pfaff, R. Farrell, M. Iza. Acta Mater. 61, 945 (2013)
  3. W.R.L. Lambrecht, B. Segall, S. Strite, G. Martin, A. Agarwal, H. Morkoc, A. Rockett. Phys. Rev. B. 50, 14155 (1994)
  4. T. Strasser, C. Solterbeck, F. Starrost, W. Schattke. Phys. Rev. B. 60, 11577 (1999)
  5. G.V. Benemanskaya, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev. Surf. Sci. 603, 2474 (2009)
  6. D. Yujie, C. Benkang, W. Xiaohui, Z. Junju, L. Biao, W. Meishan. Appl. Surf. Sci. 258, 7425 (2012)
  7. M. Lozac, S. Ueda, S. Liu, H. Yoshikawa, S. Liwen, X. Wang, B. Shen, K. Sakoda, K. Kobayashi, M. Sumiya. Sci. Technol. Adv. Mater. 14, 015007 (2013)
  8. A. Eisenhardt, S. Krischok, M. Himmerlich. Appl. Phys. Lett. 102, 231602 (2013)
  9. D. Skuridina, D.V. Dinh, B. Lacroix, P. Ruterana, M. Hoffmann, Z. Sitar, M. Pristovsek, M. Kneissl, P. Vogt. J. Appl. Phys. 114, 173503 (2013)
  10. R. Wasielewski, M. Grodzicki, J. Sito, K. Lament, P. Mazur, A. Ciszewski. Acta Phys. Pol. A. 132, 354 (2017)
  11. C.I. Wu, A. Kahn. Appl. Surf. Sci. 162--163, 250 (2000)
  12. F. Machuca, Y. Sun, Z. Liu, K. Ioakeimidi, P. Pianetta, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. B. 18, 3042 (2000)
  13. T.U. Kampen, M. Eyckeler, W. Moench. Appl. Surf. Sci. 123--124, 28 (1998)
  14. G.V. Benemanskaya, S.А. Kukushkin, P.A. Dementev, M.N. Lapushkin, S.N. Timoshnev, D.V. Smirnov. Solid State Commun. 271, 6 (2018)
  15. G.V. Benemanskaya, S.N. Timoshnev, S.V. Ivanov, G.E. Frank-Kamenetskaya, D.E. Marchenko, G.N. Iluridze. JETP. 118, 600 (2014)
  16. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 0249091 (2013)
  17. S.A. Kukushkin, A.M. Mizerov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, S.N. Timoshnev. Thin Solid Films. 646, 158 (2018).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.